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题名MEMS电镀金属掩模工艺研究
被引量：5
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作者
宫凯勋
梁庭
雷程
董志超
赵珠杰
白晨
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机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
中北大学机电工程学院
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第11期27-30,34,共5页
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基金
山西省自然科学基金资助项目(201801D221203)
山西省重点研发计划项目(201903D121123)
+1 种基金
中央引导地方科技发展资金资助项目(YDZX20201400001664)
高等学校科技创新项目(1810600108MZ)。
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文摘
在碳化硅(SiC)压阻式压力传感器使用溅射剥离再电镀金属作为掩模进行背腔深刻蚀的工艺中,由于电镀过程中背腔侧壁金属的横向生长,实际背腔刻蚀面积小于设计刻蚀面积。针对该问题,基于电化学仿真计算理论,构建了晶圆背腔刻蚀掩模电镀模型,模拟了该工艺下镀层的生长,为芯片设计提供指导。结果表明,晶圆镀层生长厚度从边缘向中心呈对数减小,背腔侧壁位置横向最大沉积速度要大于纵向最大沉积速度,提高镀液电导率可使二者速度比值趋近于1,可以获得整体厚度更加均匀的镀层,实验与仿真镀层厚度偏差在3.41%,背腔侧壁横向生长厚度与纵向生长厚度之比偏差为4.6%,验证了仿真模型的可靠性。
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关键词
仿真模拟
电镀工艺
金属掩模
刻蚀
压阻式压力传感器
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Keywords
simulation
electroplating process
metal mask
etching
piezoresistive pressure sensor
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TQ15
[化学工程—电化学工业]
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题名40nm一体化刻蚀工艺技术研究
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作者
盖晨光
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机构
上海华力微电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期589-595,共7页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02501)
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文摘
用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其产生的机理进行了深入分析。结合工艺设备与工艺特性,进行了刻蚀实验并对刻蚀工艺条件进行了优化,使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品形貌进行了观测,采用电迁移测试结构对通孔样品的可靠性进行了测试,结果表明,氮化钛厚度、沟槽剖面形貌和顶部缺口形貌得到优化,双大马士革凹槽形貌、通孔剖面形貌以及通孔底部完整性得到较好控制,解决了氟化钛残留问题,有效解决了一体化刻蚀的工艺难题。
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关键词
一体化刻蚀
金属硬掩模层
双大马士革
后道工艺(BEOL)
沟槽刻蚀
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Keywords
AIO etch
metal hard mask （MHM）
dual-damascene
back end of line （BEOL）
trench etch
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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