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金属/有机半导体界面偶极层的研究: 1; 作者潘艳芝李宏建 +1 位作者周伟昌戴小玉《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1061-1064,共4页; 利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出... 展开更多; 关键词金属/有机半导体界面偶极能功函数; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究: 2; 作者王斌徐晓轩 +2 位作者秦哲宋宁张存洲《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1701-1704,共4页; 通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察... 展开更多; 关键词金属半导体界面 FRANZ-KELDYSH效应光伏效应电调制反射谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展: 3; 作者周志文沈晓霞李世国《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页; Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺... 展开更多; 关键词锗(Ge) N型掺杂金属-界面层-半导体接触金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究被引量：2: 4; 作者林海波徐晓轩 +3 位作者吴宏滨王斌俞钢张存洲《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期469-472,共4页; 为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性... 展开更多; 关键词聚合物发光二极管 P-PPV LIF 金属-半导体界面; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属/有机半导体界面偶极层的研究: 1; 作者潘艳芝李宏建周伟昌戴小玉; 机构湖南大学应用物理系; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1061-1064,共4页; 基金湖南省杰出青年科学基金(03JJY1008) 中国博士后科学基金(2004035083); 文摘利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出了合理的解释.; 关键词金属/有机半导体界面偶极能功函数; Keywords Metal/organic semiconductor interface, interfacial dipole potential, work function; 分类号 TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究: 2; 作者王斌徐晓轩秦哲宋宁张存洲; 机构南开大学泰达应用物理学院; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1701-1704,共4页; 基金国家教育部“振兴计划”基金项目(A01504)资助; 文摘通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察电反射谱来研究金属GaAs的界面电场和费米能级扎钉的情况,然后通过傅里叶变换这些所取得的电反射谱来分析这些材料的界面性质。通过测量氦氖激光器诱导产生的光电压和激光器光强之间的关系来得到这些材料的界面态密度情况,从而进行进一步的研究。; 关键词金属半导体界面 FRANZ-KELDYSH效应光伏效应电调制反射谱; Keywords Metal-Semiconductor interfaces Franz-Keldysh effect Photovoltage effect Electroreflectance（ER）; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学] O431 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展: 3; 作者周志文沈晓霞李世国; 机构深圳信息职业技术学院电子与通信学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页; 基金广东省自然科学基金资助项目(S2013010011833) 深圳市科技计划资助项目(JCYJ20120821162230170) 广东省高等学校优秀青年教师资助项目(Yq2014123); 文摘 Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。; 关键词锗(Ge) N型掺杂金属-界面层-半导体接触金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻; Keywords germanium（Ge） n-type doping metal-interfacial layer-semiconductor contact metal oxide semiconductor field effect transistor（MOSFET） contact resistance; 分类号 TN304.11 [电子电信—物理电子学] TN305.93 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究被引量：2: 4; 作者林海波徐晓轩吴宏滨王斌俞钢张存洲; 机构南开大学泰达应用物理学院华南理工大学材料学院高分子光电材料及器件研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期469-472,共4页; 基金国家教育部"振兴"计划资助项目(A01504); 文摘为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标)上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba(Ca)/A l电极结构PLED s器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。; 关键词聚合物发光二极管 P-PPV LIF 金属-半导体界面; Keywords polymer light-emitting diodes P-PPV LiF metal-semiconductor interface; 分类号 TN381.1 [电子电信—物理电子学] TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	金属/有机半导体界面偶极层的研究	潘艳芝李宏建周伟昌戴小玉	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究	王斌徐晓轩秦哲宋宁张存洲	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展	周志文沈晓霞李世国	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究	林海波徐晓轩吴宏滨王斌俞钢张存洲	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料