基于流体动力学模型的2维砷化镓金属半导体场效应管数值模拟 被引量：3

1

作者 贡顶 韩峰 王建国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1134-1138,共5页

介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型,并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法。使用流体动力学模型,对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟,得到了该器件... 介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型,并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法。使用流体动力学模型,对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟,得到了该器件的I-V曲线、电子密度分布和电子温度分布。数值模拟结果表明,器件栅极电压越负,肖特基结的耗尽层越厚,源漏电流越小;在耗尽层内电场最强处,电子温度达到4 000 K;在强电场下,电子温度将严重偏离晶格温度,形成所谓热电子。 展开更多

关键词 金属半导体场效应管 砷化镓 2维半导体模拟 流体动力学模型 AUSM+up格式

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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应

2

作者 李勇 谢海燕 +2 位作者 杨志强 宣春 夏洪富 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期210-215,共6页

采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后... 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。 展开更多

关键词 高功率微波 金属氧化物半导体场效应管 半导体

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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 被引量：2

3

作者 刁文豪 江伟华 王新新 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期565-568,共4页

给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不... 给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。 展开更多

关键词 脉冲功率 高电压 半导体开关 MARX发生器 金属氧化物半导体场效应管

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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 被引量：4

4

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页

半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较... 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。 展开更多

关键词 Ga2O3单晶 Ga2O3外延 β-Ga2O3肖特基二极管 β-Ga2O3金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) β-Ga2O3鳍式场效应管(FinFET)

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高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究

5

作者 王锦荣 吴双娥 +5 位作者 米成栋 朱梦琦 程子源 高旭珍 史旭蓉 杜胜利 《量子电子学报》 北大核心 2025年第2期238-245,共8页

声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,... 声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,设计了一款高性能声光调制器驱动源。该驱动源以射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管放大模块RA07H0608M为核心器件,输入信号经阻抗匹配电路、高通滤波放大电路、功率放大电路后,最终输出到声光调制器中,同时,监测电路对工作温度和信号功率进行实时监测。实验结果表明,该声光调制器驱动源能够实现频率和功率的连续调谐,在75~85 MHz的工作频率范围内,输入输出信号具有良好的线性关系,输出功率高达1 W,并且同时具有超温和超功率自动关断保护功能,完全满足声光调制器长时间稳定运行的要求。 展开更多

关键词 光电子学 声光调制器驱动源 射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管 连续调谐 自动关断保护电路

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电磁脉冲对MOSFET的热损伤效应研究 被引量：4

6

作者 居培凯 徐建明 +1 位作者 贾巍 曹兵 《上海航天》 CSCD 2017年第6期120-125,共6页

针对金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)在电磁脉冲作用下的热损伤问题,提出了一种新的热分析方法,通过仿真漏极注入阶跃脉冲下器件内部的温度响应研究了其损伤机理和规律。基于热效应半导体基本方程和热流方程,建立了用于仿真的器件模... 针对金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)在电磁脉冲作用下的热损伤问题,提出了一种新的热分析方法,通过仿真漏极注入阶跃脉冲下器件内部的温度响应研究了其损伤机理和规律。基于热效应半导体基本方程和热流方程,建立了用于仿真的器件模型和数值模型。采用注入法,以阶跃脉冲信号为输入,仿真研究了不同偏压上升时间和幅值下的器件损伤。结果发现:阶跃脉冲电压幅值一定时,MOSFET器件内部的温升过程及最后达到的最大温度与脉冲上升时间无关,器件在经过雪崩击穿、电流模式二次击穿后,温度迅速上升直至器件烧毁,烧毁所用时间与脉冲上升时间满足线性关系;脉冲上升时间一定时,器件温升随电压幅值增加而明显加快,器件能达到的最高温度也随之增加,器件烧毁所需时间与电压幅值的大小满足幂函数关系。研究对MOSFET的电磁脉冲毁伤机理认识和加固防护设计有一定的参考价值。 展开更多

关键词 金属氧化物半导体场效应管 电磁脉冲 热损伤效应 注入法 阶跃脉冲 偏压上升时间 偏压幅值 器件温升

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基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究

7

作者 邵红 李永顺 +2 位作者 宋亮 金华俊 张森 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1582-1590,共9页

为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect... 为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect transistor,LDMOS)设计的重点和难点.本文介绍了一种基于高温氧化层(High Temperature Oxidation layer,HTO)结构的LDMOS,并对其热载流子注入退化机制进行了研究分析,利用高温氧化层结构改善了传统浅槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)结构中氧化物台阶嵌入半导体内部对器件热载流子注入造成的不利影响,提高器件可靠性,同时还缩短了器件导通情况下的电流路径长度,降低损耗.此外本文还提出了对P型体区的工艺优化方法,利用多晶硅作为高能量离子注入的掩蔽层,改善阱邻近效应对器件鲁棒性的影响,同时形成更深的冶金结,可以辅助漂移区杂质离子耗尽,降低漂移区表面电场,在不需要额外增加版次的情况下提高了器件击穿电压.最终得到的基于HTO结构的LDMOS击穿电压为43 V,比导通电阻为9.5 mΩ·mm^(2),线性区电流在10000 s之后的退化量仅为0.87%. 展开更多

关键词 横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 热载流子注入 高温氧化层 低损耗 高可靠性

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太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算 被引量：5

8

作者 李凡 史衍丽 +1 位作者 赵鲁生 徐文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第7期1205-1208,共4页

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的... Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。 展开更多

关键词 金属半导体场效应管 太赫兹探测 I-V特性 器件模拟 Synopsys器件模拟软件

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SiC MESFET高温工作寿命研究 被引量：2

9

作者 李理 柏松 +4 位作者 陈刚 蒋浩 陈征 李赟 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期331-334,共4页

对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散... 对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散使欧姆接触性能下降。改进工艺采用WTi作为扩散阻挡层后,扩散现象得到了有效抑制,试验前后器件的饱和电流下降幅度在16%以内。三温加速寿命试验表明,器件在150℃结温下平均失效时间(MTTF)达4.1×106h。 展开更多

关键词 4H碳化硅 金属半导体场效应管 平均失效时间

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微波功率SiC MESFET小信号等效电路建模研究 被引量：1

10

作者 徐跃杭 徐锐敏 +1 位作者 延波 王磊 《微波学报》 CSCD 北大核心 2007年第B08期130-133,共4页

在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型。该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度。提出直接利用cold FET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取... 在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型。该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度。提出直接利用cold FET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取SiC MESFET小信号等效电路寄生参数的方法。该模型应用于国内SiC MESFET工艺线,在0.5-18GHz范围内S参数的仿真值和实测值非常吻合。 展开更多

关键词 SiC MESFET(碳化硅金属半导体场效应管) 小信号等效电路 GAAS MESFET

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Volterra级数法分析MESFET功率放大器 被引量：1

11

作者 张伟 李霞明 吴保中 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第11期98-101,共4页

功率放大器是射频收发信机的重要组成部分,它的性能直接影响到整个系统的性能.文中使用Volterra级数法对MESFET功率放大器单频时的非线性性能进行分析,进而将该方法推广用于连续谱信号激励下的非线性性能分析,得出功放三阶互调及频谱再... 功率放大器是射频收发信机的重要组成部分,它的性能直接影响到整个系统的性能.文中使用Volterra级数法对MESFET功率放大器单频时的非线性性能进行分析,进而将该方法推广用于连续谱信号激励下的非线性性能分析,得出功放三阶互调及频谱再生等结果,为工程设计提供依据. 展开更多

关键词 伏特拉级数 金属半导体场效应管 非线性 三阶互调失真

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n沟道4H-SiC MESFET研究 被引量：1

12

作者 陈刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期177-179,218,共4页

报告了4H-SiCMESFET的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120μmn沟道4H-SiCMESFET,其主要直流特性为在Vds=30V时,最大漏电流密度Idss为56mA/mm,最大跨导Gm为15mS/mm;漏源击穿电压最高达150V... 报告了4H-SiCMESFET的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120μmn沟道4H-SiCMESFET,其主要直流特性为在Vds=30V时,最大漏电流密度Idss为56mA/mm,最大跨导Gm为15mS/mm;漏源击穿电压最高达150V;微波特性测试结果在fo=1GHz、Vds=32V时该器件最大输出功率7.05mW,在fo=1.8GHz、Vds=32V时最大输出功率3.1mW。 展开更多

关键词 4H碳化硅 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体

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激光雷达测距系统光源驱动设计 被引量：7

13

作者 熊显名 李三龙 +2 位作者 张文涛 张良 李鹏飞 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第2期115-119,共5页

脉冲式激光雷达探测性能与激光光源发出的光脉冲密切相关,而激光二极管(LD)驱动电路性能直接决定了光脉冲的优劣。基于激光雷达系统要求,选用超快速金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)作为开关器件,建立驱动电路模型,对驱动电路设计与分... 脉冲式激光雷达探测性能与激光光源发出的光脉冲密切相关,而激光二极管(LD)驱动电路性能直接决定了光脉冲的优劣。基于激光雷达系统要求,选用超快速金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)作为开关器件,建立驱动电路模型,对驱动电路设计与分析,经过多次试验,成功设计出最小脉宽10 ns,上升沿3.5 ns,重复频率可达50 k Hz的LD驱动电路。驱动LD峰值功率将近60 W,成功用于激光雷达光源部分,测距精度达到3 cm/10.77 m,满足激光雷达系统要求。 展开更多

关键词 脉冲式激光雷达 光脉冲 金属氧化物半导体场效应管 峰值功率

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改善SiC MOSFET开关性能的变电压有源驱动电路研究 被引量：4

14

作者 李先允 卢乙 +3 位作者 倪喜军 王书征 张宇 唐昕杰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期362-368,共7页

碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)开关过程中存在电流、电压过冲和振荡问题,这会产生额外的损耗,甚至造成器件损坏。文章提出一种用于SiC MOSFET的变... 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)开关过程中存在电流、电压过冲和振荡问题,这会产生额外的损耗,甚至造成器件损坏。文章提出一种用于SiC MOSFET的变电压有源驱动电路,能在开通电流上升和关断电流下降阶段改变器件驱动电压,从而抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡,实验结果表明,与传统驱动电路相比,所提出的变电压有源驱动电路,能有效抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡,最后将其应用于光伏变压器中,验证其实用性。 展开更多

关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET) 有源驱动 过冲 振荡 光伏变压器

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纳米双栅MOS器件的二维量子模拟 被引量：2

15

作者 王豪 王高峰 +1 位作者 常胜 黄启俊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期174-179,共6页

利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。与模空间法的仿真效率及模拟结果进行了比较,对栅极漏电流受栅介质、栅与源漏交叠、栅氧层厚度的影响进行... 利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。与模空间法的仿真效率及模拟结果进行了比较,对栅极漏电流受栅介质、栅与源漏交叠、栅氧层厚度的影响进行了研究。 展开更多

关键词 非平衡格林函数 双栅金属氧化物半导体场效应管 量子力学效应 实空间 数值模拟 栅极漏电流

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大屏幕SM-PDP能量复得维持驱动电路系统设计 被引量：3

16

作者 吴忠 李晓华 +1 位作者 汤勇明 郑姚生 《电子器件》 CAS 2004年第3期432-435,共4页

针对新型结构的荫罩式等离子平板显示器 ( SM-PDP)提出了一种有效的能量复得维持驱动电路方案。从理论上详细分析了电路的工作原理 ,并且介绍了相关金属氧化物半导体场效应管 ( MOSFET)的栅极驱动方法。电路系统通过实验证明 ,利用电感... 针对新型结构的荫罩式等离子平板显示器 ( SM-PDP)提出了一种有效的能量复得维持驱动电路方案。从理论上详细分析了电路的工作原理 ,并且介绍了相关金属氧化物半导体场效应管 ( MOSFET)的栅极驱动方法。电路系统通过实验证明 ,利用电感与屏寄生电容之间的串联谐振可以大大减小 PDP屏寄生电容的位移电流在电路上损耗的功耗。此能量复得电路已经在 3 4in全彩色 SM-PDP( 640× RGB× 480 ) 展开更多

关键词 荫罩式等离子体平板显示器 能量复得电路 金属氧化物半导体场效应管

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短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析 被引量：3

17

作者 朱兆旻 王睿 +1 位作者 赵青云 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期101-105,共5页

基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。... 基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。 展开更多

关键词 双栅金属-氧化物-半导体场效应管 亚阈值特性 摆幅 短沟道效应

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亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型 被引量：1

18

作者 韩名君 柯导明 +2 位作者 王保童 王敏 徐春夏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2237-2241,共5页

本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小... 本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合. 展开更多

关键词 金属氧化物半导体场效应管 电势解析模型 栅氧化层 空间电荷区

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SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型 被引量：2

19

作者 邹晓 徐静平 +2 位作者 李艳萍 陈卫兵 苏绍斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期148-151,156,共5页

通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽... 通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大。而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。 展开更多

关键词 锗硅沟道 金属-氧化物-半导体场效应管 阈值电压 短沟道效应

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基于迁移率波动的MOSFET线性区域1/f噪声模型 被引量：1

20

作者 徐建生 周求湛 张新发 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1192-1195,共4页

统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加... 统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加时 ,该模型低估了噪声功率的增加 .据此 ,本文提出了一种基于物理机理的迁移率波动(MF) 1/f噪声模型 ,并给出了新MF模型与统一的 1/f噪声模型在线性区的仿真结果 .从仿真结果可以看出 ,新噪声模型更接近于测试的结果 . 展开更多

关键词 线性区域 1/f噪声模型 金属氧化物半导体场效应管 迁移率波动 载流子数量波动 MOSFETS

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