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肖特基金属对AlGaN/GaN二极管电学特性的影响
1
作者
邱旭
吕元杰
王丽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期674-678,共5页
肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(I-V)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维...
肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(I-V)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维电子气(2DEG)密度。并通过薛定谔和泊松方程自洽求解计算得到了三者的肖特基接触势垒高度、导带底能带图和沟道2DEG分布情况。研究发现金属功函数越小,势垒高度反而越高,沟道2DEG密度越小,GaN侧的沟道三角形势阱变得越浅。这主要是由于金属功函数越小,电子能量越高,与AlGaN势垒层表面态的电子耦合作用越强所致。
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关键词
ALGAN
GaN
肖特基势垒高度
金属功函数
二维电子气(2DEG)密度
电子耦合
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职称材料
题名
肖特基金属对AlGaN/GaN二极管电学特性的影响
1
作者
邱旭
吕元杰
王丽
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
科技信息中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期674-678,共5页
文摘
肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(I-V)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维电子气(2DEG)密度。并通过薛定谔和泊松方程自洽求解计算得到了三者的肖特基接触势垒高度、导带底能带图和沟道2DEG分布情况。研究发现金属功函数越小,势垒高度反而越高,沟道2DEG密度越小,GaN侧的沟道三角形势阱变得越浅。这主要是由于金属功函数越小,电子能量越高,与AlGaN势垒层表面态的电子耦合作用越强所致。
关键词
ALGAN
GaN
肖特基势垒高度
金属功函数
二维电子气(2DEG)密度
电子耦合
Keywords
AlGaN /GaN
Schottky barrier height
metal function
density of two-dimensional electron gas（2DEG） density
electron coupling
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN312 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
肖特基金属对AlGaN/GaN二极管电学特性的影响
邱旭
吕元杰
王丽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
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