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高阻硅基GaN晶片上MIS栅结构GaN HEMT射频器件研制
被引量：
2
1
作者
顾子悦
吴灯鹏
+2 位作者
程新红
刘晓博
俞跃辉
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019年第4期16-20,共5页
5G通信中3.4~3.6 GHz是主要使用频段。GaN射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G通信应用需求。文中在高阻硅基GaN外延片上研制了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT),并分析了金属-绝缘...
5G通信中3.4~3.6 GHz是主要使用频段。GaN射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G通信应用需求。文中在高阻硅基GaN外延片上研制了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT),并分析了金属-绝缘层-半导体(Metal-Insulator-Semiconductor,MIS)栅对器件直流和射频特性的影响。研究发现:相比于肖特基栅结构,MIS栅结构器件栅极泄漏电流减少2~5个数量级,漏极驱动电流能力和跨导提高10%以上;频率为3.5 GHz时,增益从1.5 dB提升到4.0 dB,最大资用增益从5.2 dB提升到11.0 dB,电流增益截止频率为8.3 GHz,最高振荡频率为10.0 GHz。
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关键词
高阻
硅
氮化镓射频
金属
-
绝缘层
-半导体栅
结构
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职称材料
光寻址电位传感器特性的仿真分析
2
作者
门洪
李毅
+1 位作者
张钦涛
王平
《计量学报》
EI
CSCD
北大核心
2005年第3期279-283,共5页
光寻址电位传感器(LAPS)在生物医学和环境监测领域有着广泛的应用。提出了金属绝缘层硅(MIS)结构LAPS的电路模型,并推导出数学模型。在此基础上,采用电路模拟方法仿真分析了影响LAPS特性的因素:硅掺杂浓度、绝缘层厚度以及光强等,仿真...
光寻址电位传感器(LAPS)在生物医学和环境监测领域有着广泛的应用。提出了金属绝缘层硅(MIS)结构LAPS的电路模型,并推导出数学模型。在此基础上,采用电路模拟方法仿真分析了影响LAPS特性的因素:硅掺杂浓度、绝缘层厚度以及光强等,仿真结果正确地反映了LAPS的实际特性。最后,提出了一种优化设计LAPS的新方案。
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关键词
计量学
光寻址电位传感器(LAPS)
仿真分析
金属
/绝缘层
/硅
(
mis
)
结构
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职称材料
题名
高阻硅基GaN晶片上MIS栅结构GaN HEMT射频器件研制
被引量：
2
1
作者
顾子悦
吴灯鹏
程新红
刘晓博
俞跃辉
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院大学
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019年第4期16-20,共5页
基金
上海市科委项目(18511105202,17521106400)
文摘
5G通信中3.4~3.6 GHz是主要使用频段。GaN射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G通信应用需求。文中在高阻硅基GaN外延片上研制了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT),并分析了金属-绝缘层-半导体(Metal-Insulator-Semiconductor,MIS)栅对器件直流和射频特性的影响。研究发现:相比于肖特基栅结构,MIS栅结构器件栅极泄漏电流减少2~5个数量级,漏极驱动电流能力和跨导提高10%以上;频率为3.5 GHz时,增益从1.5 dB提升到4.0 dB,最大资用增益从5.2 dB提升到11.0 dB,电流增益截止频率为8.3 GHz,最高振荡频率为10.0 GHz。
关键词
高阻
硅
氮化镓射频
金属
-
绝缘层
-半导体栅
结构
Keywords
high resistance silicon
GaN RF
mis
gate structure
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
光寻址电位传感器特性的仿真分析
2
作者
门洪
李毅
张钦涛
王平
机构
浙江大学生物医学工程与仪器科学学院
出处
《计量学报》
EI
CSCD
北大核心
2005年第3期279-283,共5页
基金
国家"863"高技术项目(2001AA635060)
国家自然科学基金(30270387)
教育部博士点基金(20010335007)
文摘
光寻址电位传感器(LAPS)在生物医学和环境监测领域有着广泛的应用。提出了金属绝缘层硅(MIS)结构LAPS的电路模型,并推导出数学模型。在此基础上,采用电路模拟方法仿真分析了影响LAPS特性的因素:硅掺杂浓度、绝缘层厚度以及光强等,仿真结果正确地反映了LAPS的实际特性。最后,提出了一种优化设计LAPS的新方案。
关键词
计量学
光寻址电位传感器(LAPS)
仿真分析
金属
/绝缘层
/硅
(
mis
)
结构
Keywords
Metrology
Light addressable potentiometric sensor （ LAPS ）
Simulation analysis
Metal/Insulation/Silicon（
mis
） structures
分类号
TB99 [机械工程—测试计量技术及仪器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高阻硅基GaN晶片上MIS栅结构GaN HEMT射频器件研制
顾子悦
吴灯鹏
程新红
刘晓博
俞跃辉
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019
2
在线阅读
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职称材料
2
光寻址电位传感器特性的仿真分析
门洪
李毅
张钦涛
王平
《计量学报》
EI
CSCD
北大核心
2005
0
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职称材料
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