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金属/有机半导体界面偶极层的研究
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作者 潘艳芝 李宏建 +1 位作者 周伟昌 戴小玉 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1061-1064,共4页
利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出... 利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出了合理的解释. 展开更多
关键词 金属/有机半导体界面 偶极能 功函数
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用蒙特卡罗方法研究双层重金属与有机半导体界面的X射线剂量增强 被引量:3
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作者 董文斌 赵广义 +2 位作者 赵宝奎 周银行 马玉刚 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期524-527,共4页
用蒙特卡罗方法计算不同几何结构的双层重金属对有机半导体界面产生的剂量增强系数,结果表明,X射线在金-酞菁铜-金界面产生与金-酞菁铜界面相似但更大的剂量增强.当半导体层-酞菁铜厚度相同(均为2μm)时,厚度为4μm比厚度为2μm的金产... 用蒙特卡罗方法计算不同几何结构的双层重金属对有机半导体界面产生的剂量增强系数,结果表明,X射线在金-酞菁铜-金界面产生与金-酞菁铜界面相似但更大的剂量增强.当半导体层-酞菁铜厚度相同(均为2μm)时,厚度为4μm比厚度为2μm的金产生更大的剂量增强;当金的厚度相同(均为2μm)时,厚度为1μm比厚度为2μm的酞菁铜产生更大的剂量增强. 展开更多
关键词 X射线 有机半导体 剂量增强系数 界面
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金属有机框架(MOF)基混合基质膜界面改性方法及其气体分离性能 被引量:3
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作者 王雪莉 杨卫亚 +2 位作者 张会成 王少军 凌凤香 《化工进展》 北大核心 2025年第2期928-940,共13页
气体膜分离技术在化工行业中极为常见,与传统气体分离技术相比,具有占地小、能耗低、操作简单和节能环保等优点,应用前景广泛。膜材料作为气体膜分离技术的核心,被广泛研究,其中基于金属有机框架(MOF)材料的混合基质膜(MMM)兼具高渗透... 气体膜分离技术在化工行业中极为常见,与传统气体分离技术相比,具有占地小、能耗低、操作简单和节能环保等优点,应用前景广泛。膜材料作为气体膜分离技术的核心,被广泛研究,其中基于金属有机框架(MOF)材料的混合基质膜(MMM)兼具高渗透性和高选择性,是有潜力的气体分离膜材料。MOF材料种类繁多,具有孔道结构可调性和表面可修饰性,但MOF颗粒与聚合物存在性质差异,相容性较差,易分散不均匀,导致MMM中存在颗粒团聚、聚合物链段僵化和颗粒孔道堵塞等界面缺陷,进而影响膜的气体分离性能和机械性能。本文根据改性方法原理的不同,归纳了改善MOF基MMM相容性的四种方法,分别是MOF的改性、MOF表面修饰、聚合物的改性和MMM的后处理。结合研究者们的实例,阐述其制备MMM的聚合物种类、MOF种类、目标气体、改性方法的机理和改性目的,并通过对改性前后MMM的渗透率、选择性和机械性能进行数据对比,体现界面改性后达到的分离效果。最后,对目前存在的改性方法进行探讨,提出现有界面优化方法的发展空间,比如对分子本身特性、温度、老化条件的考虑,以及利用预测模型来预筛选聚合物-填料组合。未来,应重点关注MMM的工业应用场景,提升负载量,最大化多孔MOF的优势,增强膜的机械性能和耐老化性能,促进MMM进一步商业化发展。 展开更多
关键词 混合基质膜 气体分离 界面改性 金属有机框架材料
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金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究 被引量:2
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作者 刘秀丽 高国华 KAWI Sibudjing 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1609-1612,共4页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比. 展开更多
关键词 半导体传感器 介孔分子筛(MCM-41) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 二氧化锡 薄膜
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金属─半导体界面附近的空位电子态
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作者 张耀举 张涛 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1994年第1期38-41,共4页
本文用紧束缚模型发展了金属一半导体界而附近的空位理论.研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位一界面间距的变化是一个振荡函数.对文中所考虑的界面,空位趋向于朝界面处吸引;当系统中同时存在两... 本文用紧束缚模型发展了金属一半导体界而附近的空位理论.研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位一界面间距的变化是一个振荡函数.对文中所考虑的界面,空位趋向于朝界面处吸引;当系统中同时存在两个空位时,由于介质极化,空位之间要发生间接相互作用,其间接相互作用能随空位一空位间距的改变发生振荡. 展开更多
关键词 金属 半导体 界面 电子态 空位
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五种二元过渡金属氧化物界面上的相互作用、非晶相结构及催化性能(Ⅱ)——DSC、半导体气敏特性、催化活性与亚单层分散模型
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作者 王智民 李丽 +2 位作者 韩基新 李永战 韩维屏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期653-660,共8页
应用DSC、半导体气敏特性、催化活性及亚单(分子)层分散模型共四项表征技术,进一步研究了五种二元氧化物的界面结构及其特性,DSC曲线的放热峰及吸热峰分别与界面化学反应、晶格畸变和瓦解、熔化、烧结以及固溶体的形成相关,导电性能的... 应用DSC、半导体气敏特性、催化活性及亚单(分子)层分散模型共四项表征技术,进一步研究了五种二元氧化物的界面结构及其特性,DSC曲线的放热峰及吸热峰分别与界面化学反应、晶格畸变和瓦解、熔化、烧结以及固溶体的形成相关,导电性能的测试证明这些二元氧化物属于N-型半导体,对邻二甲苯具有气敏特性,其灵敏度在化学吸附的初期阶段与邻二甲苯蒸气浓度呈线性关系,催化选择性及转化率的测定证明V_2O_5-MnO_3及WO_3-MoO_3体系对邻二甲苯选择性氧化为苯酐具有催化活性,其非晶相MoO_3及V_2O_5的活性较为显著,尤其当二元氧化物的组成接近分散阈值Dt时,选择性最佳,为了解释大的分散阈值Dt与小的比表面积之间的关系,经计算机编程计算,在分子水平及纳米尺度上提出了球形八面体密置的亚单层分散模型并求得了模型的七个参数,通过讨论亚单层分散与非晶相结构之间的关系,提出了晶相损失的机理以及作为催化剂的非晶相结构对热的亚稳特性。 展开更多
关键词 二元过渡金属氧化物界面结构 特性表征(DSC 半导体气敏特性 催化活性 球形八面体密置的亚单层分散模型及其七个参数)
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金属—半导体界面附近的空位电子态
7
作者 张耀举 《郑州轻工业学院学报》 1991年第4期86-90,共5页
本文用紧束缚模型发展了金属—半导体界面附近的空位理论。研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位-界面间距的变化是一个振荡函数;空位趋向于朝界面处吸引。当系统中同时存在两个空位时,由于介质极化,空... 本文用紧束缚模型发展了金属—半导体界面附近的空位理论。研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位-界面间距的变化是一个振荡函数;空位趋向于朝界面处吸引。当系统中同时存在两个空位时,由于介质极化,空位之间要发生间接相互作用,其间接相互作用能随空位-空位间距的改变发生振荡。 展开更多
关键词 金属 半导体 界面 空位电子态
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测量金属—半导体界面态的肖特基电容谱技术
8
作者 王永生 郑有炓 张荣 《电子测量与仪器学报》 CSCD 1989年第1期12-19,共8页
本文提出一种用于测量金属一半导体肖特基结界面态的肖特基电容谱技术,根据肖特基结界面态电容的频率依赖关系,发展并建立了肖特基电容谱技术及测量系统,该系统可给出肖特基结界面态密度Nss时间常数τ和俘获截面σ_n及其随带隙能量分布... 本文提出一种用于测量金属一半导体肖特基结界面态的肖特基电容谱技术,根据肖特基结界面态电容的频率依赖关系,发展并建立了肖特基电容谱技术及测量系统,该系统可给出肖特基结界面态密度Nss时间常数τ和俘获截面σ_n及其随带隙能量分布,文中报道了GaAs肖特基结界面态的测量结果。 展开更多
关键词 金属 半导体 界面 肖基特电容谱
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利用界面调控制备二维有机半导体晶体及其机制研究 被引量:1
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作者 杨成东 马文烨 +3 位作者 夏开鹏 郁智豪 高晏琦 苏琳琳 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1177-1184,共8页
二维有机半导体晶体是利用分子间的范德瓦耳斯力进行自组装生长的单晶材料。本质上的单晶属性使其具备优异的电学特性。更重要的是,二维极限下增强的界面特性能够大幅调控器件行为,为构建多功能界面器件提供可能。此外,充分暴露的电荷... 二维有机半导体晶体是利用分子间的范德瓦耳斯力进行自组装生长的单晶材料。本质上的单晶属性使其具备优异的电学特性。更重要的是,二维极限下增强的界面特性能够大幅调控器件行为,为构建多功能界面器件提供可能。此外,充分暴露的电荷输运沟道和极少的晶面内缺陷能够为研究本征的有机电子输运特性创造可能。目前,对于二维有机半导体晶体的生长工艺研究已经取得了较大的进展,但是从理论层面上研究二维晶体生长的自组装过程仍然十分匮乏。本工作利用添加剂辅助结晶技术成功制备出二维有机半导体晶体,并通过偏光显微镜和原子力显微镜对二维晶体进行了全面的表面形貌和结构表征。通过SEM结合EDS技术对关键的形核界面进行了结构和组成的表征以研究晶体生长的机制。研究结果表明:在添加剂界面上,生长材料能够稳定形核,并计算出添加剂构建的有利界面能够将形核势垒降低为SiO_(2)界面上的1/5。这项工作充分展现了生长界面对于晶体生长的关键作用,并从理论上揭示了界面的调控行为,为二维有机半导体晶体的生长工艺设计提供了可靠的思路。 展开更多
关键词 二维有机半导体晶体 生长机制 界面调控 形核界面 形核势垒 界面接触角
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有机半导体与金属的连接法
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《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期64-65,共2页
关键词 有机半导体 金属 连接法 美国科内尔大学 有机 淀积 金属
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生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置
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《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第3期24-24,共1页
本发明的的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置,包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器,原子发生器的出气管置入生长室内,生长室采用水冷结构,具有双层壁,夹层充冷... 本发明的的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置,包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器,原子发生器的出气管置入生长室内,生长室采用水冷结构,具有双层壁,夹层充冷却水冷却,在生长室设有由电机带动旋转的水平样品架、样品加热器、氧源进气管、锌源进气管和排气口。工作时,将清洗后的衬底通过进样室输送到生长室,样品生长面水平朝下固定在样品架上,输入不同的反应气体生长不同性能的晶体薄膜,同时,将经原子发生器活化裂化高纯氮源气体分离出的氮原子输入生长室,可以获得厚度均匀、高质量的n型和P型ZnO半导体晶体薄膜。 展开更多
关键词 金属有机化合物 半导体薄膜 沉积装置 氧化锌 生长 汽相 水冷结构 晶体薄膜
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c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
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作者 王子铭 张雅超 +6 位作者 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期420-425,共6页
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_... 本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_(3)物相构成,在生长温度从360℃变化至425℃均能观察到β-Ga_(2)O_(3)(402)峰,而在370~410℃还能观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰。其中,380和390℃时的样品具有更强的ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰和更低的半峰全宽,以及更低的表面粗糙度。两步生长法为以380℃生长的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜作为缓冲层,而后在400~430℃继续生长ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰强度均高于单步生长法且半峰全宽均更低,在430℃时薄膜的(004)峰摇摆曲线半峰全宽达到0.49°。进一步改变单步生长法的压强,明确缓冲层有效促进ε-Ga_(2)O_(3)沿c轴生长。 展开更多
关键词 ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜
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有机半导体二萘嵌苯在Ru(0001)表面上有序结构的电子态
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作者 黄寒 毛宏颖 +4 位作者 张建华 张寒洁 李海洋 何丕模 鲍世宁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期137-141,共5页
在Ru(0 0 0 1)表面上 ,四个与有机半导体二萘嵌苯 (Perylene)分子轨道相关的谱峰分别位于费米能级以下 4 5、6 3、7 2、9 9eV处。在界面处它们的结合能相对较低 ,反映了界面处有机吸附层与衬底之间的相互作用 ,衬底中的电子部分地转... 在Ru(0 0 0 1)表面上 ,四个与有机半导体二萘嵌苯 (Perylene)分子轨道相关的谱峰分别位于费米能级以下 4 5、6 3、7 2、9 9eV处。在界面处它们的结合能相对较低 ,反映了界面处有机吸附层与衬底之间的相互作用 ,衬底中的电子部分地转移到了有机分子的一个或几个轨道上了。低能电子衍射的结果表明 :当沉积厚度接近一个单层时 ,Perylene分子在Ru(0 0 0 1)表面上形成一种类似 (4× 4 )的有序结构。角分辨紫外光电子能谱的结果表明 :Perylene分子平面平行于Ru(0 0 0 1)表面 ,而分子的长轴沿 [10 0 0 ]方向取向。随着衬底温度的上升 ,有机半导体材料在Ru(0 0 0 1)表面以脱附的形式逐渐减少 ,在 15 展开更多
关键词 有机半导体 二萘嵌苯 RU 有序结构 界面电子态 紫外光电子能谱
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金属 /有机界面势垒对单层有机电致发光器件发光效率的影响(英文) 被引量:6
14
作者 赵楚军 李宏建 +4 位作者 黄伯云 易丹青 姚凌江 许雪梅 彭景翠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期401-406,共6页
基于高场下电荷的注入过程及激子的解离和复合过程 ,建立了单层有机发光器件电致发光 (EL)效率的理论模型。计算表明 :(1)当金属 /有机界面势垒高度大于 0 .3eV时 ,器件的EL效率很低 ,降低金属 /有机界面势垒可以显著提高器件的EL效率 ;... 基于高场下电荷的注入过程及激子的解离和复合过程 ,建立了单层有机发光器件电致发光 (EL)效率的理论模型。计算表明 :(1)当金属 /有机界面势垒高度大于 0 .3eV时 ,器件的EL效率很低 ,降低金属 /有机界面势垒可以显著提高器件的EL效率 ;(2 )在较低偏压下 ,注入过程对器件的电致发光效率起主要作用 ,但在高偏压下复合过程起支配作用。这一模型可以阐明注入和复合过程对有机发光器件EL效率的影响 ,对选择发光材料、优化器件结构和提高器件EL效率具有指导意义。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 金属/有机界面 势垒高度 电致发光效率
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应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用 被引量:7
15
作者 俞波 盖红星 +6 位作者 韩军 邓军 邢艳辉 李建军 廉鹏 邹德恕 沈光地 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期81-84,共4页
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A... 使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件。 展开更多
关键词 光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积
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976nm高效率半导体激光器 被引量:5
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作者 安振峰 林琳 +4 位作者 徐会武 陈宏泰 车相辉 王晶 位永平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期345-347,共3页
976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光... 976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率。25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110 A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%。15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%。 展开更多
关键词 高效率 半导体激光器 976nm 金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD) 线阵列
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941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列 被引量:4
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作者 辛国锋 花吉珍 +4 位作者 陈国鹰 康志龙 杨鹏 徐会武 安振峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期521-524,共4页
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半... 计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9% 展开更多
关键词 金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱
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氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延 被引量:5
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作者 沈波 杨学林 许福军 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期1953-1969,共17页
以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由... 以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升。本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展。最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望。 展开更多
关键词 氮化镓 氮化铝 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大失配异质外延 宽禁带半导体
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Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究 被引量:1
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作者 谢自力 张荣 +11 位作者 崔旭高 陶志阔 修向前 刘斌 李弋 傅德颐 张曾 宋黎红 崔影超 韩平 施毅 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期150-153,共4页
利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相的出现,当Mn... 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相的出现,当Mn的掺杂浓度达到3.9%时观察到了第二相。采用光学测试得到了由于Mn杂质引入杂质能级和缺陷而产生一个很宽的发射和吸收谱。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积 稀磁半导体 锰掺杂 X射线衍射
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纳米级半导体材料的制备及其表征
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作者 阎圣刚 高占先 周科衍 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第S1期288-292,共5页
本文较详细地介绍了纳米级半导体材料的制备及其表征。同时讨论了目前纳米级半导体材料制备中所存在的问题及将来可能的研究方向。
关键词 纳米级半导体 半导体粒子 纳米粒子 体材料 分子筛 金属有机化合物气相沉积 纳米材料 制备方法 纳米半导体 块状晶体
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