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题名金属/半导体接触孔噪声特性研究
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作者
单霞
杜磊
万长兴
包军林
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机构
西安电子科技大学技术物理学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期58-61,共4页
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基金
"十五"国防科技预研项目(41323060204)
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文摘
通过对1mm金属/半导体接触孔链样品施加高应力的加速寿命试验和室温下的噪声频谱测量,得到了1/f噪声、10Hz点频功率谱特征及其变化规律。实验中发现应力前后1/f噪声10Hz点频功率谱有明显的变化。对比实验中电阻和噪声的变化,噪声变化量是电阻变化量的1304倍。1/f噪声可以作为金属/半导体接触孔可靠性的灵敏表征参量。
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关键词
金属/半导体接触孔
1/f噪声
可靠性
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Keywords
metal-semiconductor contacts
1/f noise
reliability
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名金属/碲镉汞接触研究的发展
被引量：1
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作者
王忆锋
刘黎明
孙祥乐
王丹琳
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机构
昆明物理研究所
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出处
《红外》
CAS
2012年第5期7-22,共16页
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文摘
介绍了金属/碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,MCT)接触研究的发展状况,包括基本概念、生长结构、化学活性以及电学性能。金属/MCT接触有两类:一类是电子(欧姆)接触,另一类是整流(Shottky)接触。欧姆接触是MCT红外探测器的一个重要组成部分,它决定了器件的性能和可靠性。欧姆接触的电阻小,与MCT黏附性好,并且在热循环条件下可保持性能稳定。由于需要具有较大功函数的接触金属,p型MCT很难实现,而n型MCT则可以用很多金属实现。
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关键词
金属/半导体接触
金属/半导体界面
金属/碲镉汞接触
欧姆接触
碲镉汞红外探测器
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Keywords
metal/semiconductor contact
metal/semiconductor interface
metal/ mercury cadmium telluride contact
ohm contact
mercury cadmium telluride infrared detector
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分类号
TN305.93
[电子电信—物理电子学]
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