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反应离子刻蚀法(RIE)制备的高效黑硅太阳能电池
被引量：
3
1
作者
刘文峰
赵增超
+2 位作者
周子游
黄海龙
蔡先武
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期880-885,共6页
为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究...
为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究通过表面结构修饰和热氧化钝化的方式大幅提升了少子寿命,单晶黑硅电池平均转换效率达到20.38%,多晶黑硅电池平均转换效率达到19.25%。由于金刚线切硅片无法沿用传统的酸制绒,采用RIE处理及工艺优化后,电池转换效率达到19.22%,对行业推广低成本的金刚线切硅片有重大意义。
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关键词
黑硅
太阳电池
反射率
金刚线切多晶硅片
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职称材料
题名
反应离子刻蚀法(RIE)制备的高效黑硅太阳能电池
被引量：
3
1
作者
刘文峰
赵增超
周子游
黄海龙
蔡先武
机构
湖南红太阳光电科技有限公司
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期880-885,共6页
基金
湖南省创新创业技术投资资助项目(2017GK5002)。
文摘
为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究通过表面结构修饰和热氧化钝化的方式大幅提升了少子寿命,单晶黑硅电池平均转换效率达到20.38%,多晶黑硅电池平均转换效率达到19.25%。由于金刚线切硅片无法沿用传统的酸制绒,采用RIE处理及工艺优化后,电池转换效率达到19.22%,对行业推广低成本的金刚线切硅片有重大意义。
关键词
黑硅
太阳电池
反射率
金刚线切多晶硅片
Keywords
Black silicon
Solar cell
Reflectivity
DW-sawn mc-Si wafers
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
反应离子刻蚀法(RIE)制备的高效黑硅太阳能电池
刘文峰
赵增超
周子游
黄海龙
蔡先武
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020
3
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