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基片台结构和生长参数对单晶金刚石和多晶金刚石膜质量的影响
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作者 刘佳 翁俊 +3 位作者 刘繁 陈晓婧 汪建华 熊礼威 《武汉工程大学学报》 2025年第1期44-52,共9页
调整基片台的结构,在自制的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备上成功地批量生长了单晶金刚石,并沉积了直径为100 mm的多晶金刚石膜。通过对基片台上方的电场强度分布模拟研究发现,从衬底钼(Mo)或硅(Si)上表面到Mo片上表面之间的距离... 调整基片台的结构,在自制的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备上成功地批量生长了单晶金刚石,并沉积了直径为100 mm的多晶金刚石膜。通过对基片台上方的电场强度分布模拟研究发现,从衬底钼(Mo)或硅(Si)上表面到Mo片上表面之间的距离h对基片台上方的电场强度分布有重要影响,对决定金刚石生长质量的等离子体环境有重要作用;等离子体中甲烷(CH_(4))与氢气(H_(2))的体积比对单晶金刚石和多晶金刚石膜的生长质量有重要影响。研究表明:当h保持在0.8~1.0 mm、CH_(4)与H_(2)体积比为5%时的等离子体环境适合单晶金刚石的大面积生长;而h<0.2 mm、CH_(4)与H_(2)体积比为2%时的等离子体环境沉积的多晶金刚石膜具有较高的均匀性。利用两种不同结构的基片台在不同的CH_(4)与H_(2)体积比条件下成功地获得了数量较多、质量较好的单晶金刚石以及质量和形貌较均匀的大面积金刚石膜。 展开更多
关键词 单晶金刚石 多晶金刚石膜 微波等离子体 基片台
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高品质金刚石膜微波等离子体CVD技术的发展现状 被引量:12
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作者 唐伟忠 于盛旺 +3 位作者 范朋伟 李义锋 苏静杰 刘艳青 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第8期33-39,共7页
金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美... 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美、英、德、日、法等先进国家均已掌握了以高功率MPCVD法沉积高品质金刚石膜的技术。但在我国国内,高功率MPCVD装备落后一直是困扰我国高品质金刚石膜制备技术发展的主要障碍。首先综述国际上高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术的发展现状,包括各种高功率MPCVD装置的特点。其后,回顾了我国金刚石膜MPCVD技术的发展历史,并介绍北京科技大学近年来在发展高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术方面取得的新进展。 展开更多
关键词 MPCVD金刚石膜沉积技术 高品质金刚石膜
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纳米金刚石膜/{100}晶面多晶金刚石膜台阶法快速生长研究
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作者 唐春玖 侯海虹 +1 位作者 陈维霞 江学范 《应用技术学报》 2024年第2期133-139,共7页
通过高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)以及台阶式基底排列方法,可以在一次沉积过程中同时沉积纳米晶粒及<100>取向的{100}面多晶金刚石薄膜。详细比较在同一次沉积中同时制备的多种不同类别的金刚石产物的生长速率。采用台... 通过高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)以及台阶式基底排列方法,可以在一次沉积过程中同时沉积纳米晶粒及<100>取向的{100}面多晶金刚石薄膜。详细比较在同一次沉积中同时制备的多种不同类别的金刚石产物的生长速率。采用台阶法并添加少量空气,微波功率从2.0k W增加至3.2 kW,在下面大硅片上生长的纳米金刚石膜的平均生长速率可从0.3μm/h增大到3.0μm/h;而在上面小硅片上生长的纳米金刚石膜的平均生长速率从3.8μm/h也增加到11.2μm/h,同时产物也转变为{100}晶面的多晶膜。另外,在上面小硅片上生长的金刚石膜的边角效应明显,在边界生长的金刚石产物的生长速率更高,从17.0μm/h增大到27.1μm/h。该结果表明少量氮气和氧气同时添加对金刚石生长的形貌多样性调节作用和对生长速率的提升作用强烈依赖于生长条件。 展开更多
关键词 纳米金刚石膜 {100}晶面 台阶法 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)
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类金刚石膜研究进展 被引量:25
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作者 陈青云 施凯敏 +3 位作者 苏敏华 吕会议 罗瑜 曾陈 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期119-128,共10页
类金刚石膜具有高硬度、高热导率、低摩擦因数、良好的耐磨性能和化学惰性等优异的物化性能,在热沉、微电子、抗核加固、生物和汽车工业等领域具有重大的应用前景,近年来吸引了众多研究和关注。文章综述了类金刚石膜的研究进展和膜的成... 类金刚石膜具有高硬度、高热导率、低摩擦因数、良好的耐磨性能和化学惰性等优异的物化性能,在热沉、微电子、抗核加固、生物和汽车工业等领域具有重大的应用前景,近年来吸引了众多研究和关注。文章综述了类金刚石膜的研究进展和膜的成核机理,展示了类金刚石的应用前景,为该材料的研究和工业化应用提供思路和参考。 展开更多
关键词 金刚石膜 机理 结合力 摩擦性能
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外延纳米金刚石膜及其场发射特性 被引量:8
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作者 王维彪 顾长志 +3 位作者 纪红 彭红艳 赵海峰 张传平 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期164-168,共5页
研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性。采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜。用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜... 研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性。采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜。用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜的结构并在高真空条件下研究了其场发射特性。 展开更多
关键词 纳米金刚石膜 场发射特性 制备方法 外延生长 电子发射均匀性 冷阴极材料
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连续多试样纳米金刚石膜沉积设备及工艺 被引量:9
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作者 徐锋 左敦稳 +4 位作者 卢文壮 黎向锋 相炳坤 李磊 王珉 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B11期63-67,共5页
首先对热丝化学气相沉积(Chem ica l vapor depos ition,CVD)系统进行改造,设计了在真空室外对室内试样进行操纵的机械手系统和储料台,实现了一次热丝碳化后完成多个不同工艺条件下试样的连续沉积。有限元仿真研究结果表明,多衬底温度... 首先对热丝化学气相沉积(Chem ica l vapor depos ition,CVD)系统进行改造,设计了在真空室外对室内试样进行操纵的机械手系统和储料台,实现了一次热丝碳化后完成多个不同工艺条件下试样的连续沉积。有限元仿真研究结果表明,多衬底温度场比较均匀,适合于金刚石膜的生长。最后,采用改进沉积系统,在A r-CH4-H2气氛中,在多晶钼衬底上成功制备了纳米金刚石薄膜。R am an,XRD和AFM等结果表明,制备的金刚石纯度较高,晶粒大小在30 nm左右,表面光滑。 展开更多
关键词 纳米金刚石膜 热丝化学气相沉积 机械手 连续沉积
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用氢气/甲醇混合气体在微波等离子体CVD中合成纳米晶粒金刚石膜(英文) 被引量:9
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作者 满卫东 江建华 +3 位作者 王传新 马志斌 王升高 熊礼威 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期126-128,131,共4页
用微波等离子体增强化学气相沉积方法(MPECVD),利用氢气和甲醇的混合气体,在硅片上沉积出纳米晶粒的金刚石薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)及扫描隧道显微镜(STM)对薄膜的晶粒平面平整性及纯度进行了... 用微波等离子体增强化学气相沉积方法(MPECVD),利用氢气和甲醇的混合气体,在硅片上沉积出纳米晶粒的金刚石薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)及扫描隧道显微镜(STM)对薄膜的晶粒平面平整性及纯度进行了表征。通过SEM发现,提高甲醇浓度或降低沉积温度可以减小金刚石膜的晶粒尺寸。拉曼光谱显示薄膜中确实存在纳米晶粒的金刚石,并且薄膜的主要成分为金刚石。用AFM测得薄膜表面的粗糙度Rms<80nm,STM观测晶粒的平均尺寸在10-20nm之间。研究结果表明,用MPECVD方法,利用氢气和甲醇的混合气体是制备纳米晶粒金刚石膜的一种理想方法。 展开更多
关键词 纳米晶粒 金刚石膜 微波 化学气相沉积
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稀土金属抛光金刚石膜技术 被引量:20
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作者 付一良 吕反修 +3 位作者 王建军 钟国仿 王亮 杨让 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第1期1-5,共5页
研究开发了一种快速有效地抛光化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的技术。该技术利用化学活性很强的稀土金属镧(La)与金刚石(碳)的化学反应,在一定的工艺条件下可对金刚石膜进行有效的抛光。抛光速率的高低与抛光温度有关,在温... 研究开发了一种快速有效地抛光化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的技术。该技术利用化学活性很强的稀土金属镧(La)与金刚石(碳)的化学反应,在一定的工艺条件下可对金刚石膜进行有效的抛光。抛光速率的高低与抛光温度有关,在温度大于900℃时抛光效率较高,可达34μm/h,表面粗糙度可从原来的Ra12μm降至Ra1.6μm,如用于后续的精抛光,可大大减少抛光的时间和提高抛光效率,使表面十分粗糙的金刚石厚膜的精抛光能得以经济地进行。 展开更多
关键词 金刚石膜 稀土金属 抛光
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激光在硅基底沉积类金刚石膜的光学应用 被引量:8
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作者 程勇 郭延龙 +3 位作者 王淑云 米朝伟 丁方正 万强 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期875-878,共4页
研究了氧气氛和掺硅对类金刚石(DLC)膜性能的影响机理。采用飞秒激光烧蚀石墨靶材,通过氧气氛、掺硅和离轴平移旋转等技术,在硅基底上镀制出比传统工艺透过率、硬度、附着力和稳定性等性能更优的无氢DLC膜。实验验证了随着氧气氛压强... 研究了氧气氛和掺硅对类金刚石(DLC)膜性能的影响机理。采用飞秒激光烧蚀石墨靶材,通过氧气氛、掺硅和离轴平移旋转等技术,在硅基底上镀制出比传统工艺透过率、硬度、附着力和稳定性等性能更优的无氢DLC膜。实验验证了随着氧气氛压强的增大,样片透过率先增大后减小,存在一个最佳气压(2 Pa)。并且掺硅有助于改善DLC膜的性能,掺硅量也存在一个最佳值。在3-5μm波段,正面镀DLC膜、背面镀普通增透膜的硅红外窗口的平均透过率≥91.7%,DLC膜的纳米硬度高达40-50 GPa,且通过军标规定的高温、低温、湿热、盐雾、重摩擦等环境实验,满足光学窗口工程应用的要求。 展开更多
关键词 激光沉积 金刚石膜 硅基底 光学应用
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掺硼多晶金刚石膜的电化学性能研究 被引量:10
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作者 李春燕 潘凯 +5 位作者 吕宪义 李明吉 刘兆阅 白玉白 李博 金曾孙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2136-2139,共4页
采用EACVD(E lectron Assisted Chem ical Vapor Deposition)方法制备了掺硼金刚石膜,并用扫描电镜、拉曼光谱及霍尔效应等测试方法对其表面形貌、生长特性、载流子浓度以及导电性能进行了分析.测试结果表明,掺硼金刚石膜是由微米级晶... 采用EACVD(E lectron Assisted Chem ical Vapor Deposition)方法制备了掺硼金刚石膜,并用扫描电镜、拉曼光谱及霍尔效应等测试方法对其表面形貌、生长特性、载流子浓度以及导电性能进行了分析.测试结果表明,掺硼金刚石膜是由微米级晶粒组成的多晶膜,其载流子浓度为4.88×1020cm-3,电阻率为0.03Ω.cm,是高品质金刚石膜.用该金刚石膜制作电化学电极,利用循环伏安法分别测量了金刚石膜电极在氯化钾空白底液、亚铁氰化钾溶液和左旋半胱氨酸溶液中的循环伏安曲线,发现该金刚石膜电极在水溶液中具有宽的电化学窗口(约为3.7 V)和接近零的背景电流,在生物制剂的检测中具有很高的灵敏度和良好的稳定性,是一种理想的电化学电极材料. 展开更多
关键词 掺硼金刚石膜 电化学电极 循环伏安法 生物制剂检测
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飞秒激光制备硅窗口增透保护类金刚石膜 被引量:6
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作者 王淑云 郭延龙 +3 位作者 刘旭 曹海源 王会升 程勇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1705-1708,共4页
采用飞秒激光(800 nm,120 fs,3 W,1 000 Hz)制备类金刚石膜,研究了不同偏压、生长温度和氧气氛等辅助手段对激光沉积类金刚石膜的影响,实验发现在室温(25℃)、无偏压和低气压氧气氛(2 Pa)条件下沉积的类金刚石膜性能最优。在单面... 采用飞秒激光(800 nm,120 fs,3 W,1 000 Hz)制备类金刚石膜,研究了不同偏压、生长温度和氧气氛等辅助手段对激光沉积类金刚石膜的影响,实验发现在室温(25℃)、无偏压和低气压氧气氛(2 Pa)条件下沉积的类金刚石膜性能最优。在单面预镀普通增透膜的硅红外窗口材料上镀制出了无氢类金刚石膜,3~5μm波段平均透过率达到90%以上,纳米硬度高达40 GPa,用压力为9.8 N的橡皮磨头,摩擦105次,膜层未见磨损,并且通过了军标规定的高温、低温、湿热、盐雾等环境试验,所制类金刚石膜可对红外窗口起到较好的增透保护作用。 展开更多
关键词 金刚石膜 飞秒激光 氧气氛 偏压 温度
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高功率准分子激光沉积类金刚石膜的结构及性能 被引量:6
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作者 彭鸿雁 金曾孙 +3 位作者 李俊杰 申辉 赵立新 申家镜 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2048-2050,共3页
采用高功率和高频率准分子激光器在高真空及 H2 和 N2 气氛下沉积类金刚石膜 .利用 Raman光谱和电子衍射方法分析了膜的微结构 . Raman光谱呈典型 DLC膜的特征 ,G峰位于 1 5 2 8cm-1,D峰位于1 3 2 7cm-1,为一大的肩峰 ,电子衍射图象呈... 采用高功率和高频率准分子激光器在高真空及 H2 和 N2 气氛下沉积类金刚石膜 .利用 Raman光谱和电子衍射方法分析了膜的微结构 . Raman光谱呈典型 DLC膜的特征 ,G峰位于 1 5 2 8cm-1,D峰位于1 3 2 7cm-1,为一大的肩峰 ,电子衍射图象呈多晶电子衍射特征 ,可观察到 5个同心圆环 ,由此计算出的面间距与金刚石 ( 1 1 1 ) ,( 2 0 0 ) ,( 2 2 0 ) ,( 3 3 1 )和 ( 3 3 2 )面间距相符 .红外吸收光谱测量结果表明 ,在 Ge片上单面镀类金刚石膜具有明显的红外增透效果 ,在 1 0 0 0~ 3 0 0 0 cm-1范围内红外透过率达到 5 5 %以上 .用原子力显微镜和 SEM观察了表面形貌 ,用显微硬度计和显微划痕仪测试了膜的硬度与附着力 . 展开更多
关键词 准分子激光器 金刚石膜 结构特性 制备 电子衍射方法
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掺硼金刚石膜电极表面产生羟基自由基的原位ESR研究 被引量:12
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作者 耿榕 赵国华 +1 位作者 刘梅川 雷燕竹 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1493-1498,共6页
建立了原位电化学-电子顺磁共振(ESR)方法,系统研究了掺硼金刚石(BDD)膜电极表面在水溶液中的羟基自由基(·OH)产生规律.结果表明,在高于析氧电位时,·OH的生成速率随着阳极电位的升高、电流密度的增加而增大,增加速率逐渐减缓... 建立了原位电化学-电子顺磁共振(ESR)方法,系统研究了掺硼金刚石(BDD)膜电极表面在水溶液中的羟基自由基(·OH)产生规律.结果表明,在高于析氧电位时,·OH的生成速率随着阳极电位的升高、电流密度的增加而增大,增加速率逐渐减缓.与此同时,与氢终端的BDD膜电极相比,氧终端的BDD膜电极表面因具有较好的亲水性而具有更高的·OH产生能力.在电化学氧化处理有机废水的过程中,电极表面处于氧终端的状态,有利于·OH产生并保持较高的活性.溶液pH值也在一定程度上影响·OH生成反应,酸性溶液中,BDD膜电极表面的·OH产生能力强于在中性或碱性溶液中.进一步研究发现,BDD膜电极表面还可能生成O3-·0自由基.本研究为深入探索BDD膜电极表面·OH的产生机制提供了研究手段,为阐述BDD膜电极电极在污染物处理中高效性的本质提供了有效的证据. 展开更多
关键词 电化学氧化 掺硼金刚石膜电极 羟基自由基 电子顺磁共振 自旋捕捉技术 5 5-二甲基-1-吡咯啉-N-氧化物
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甲醇在热阴极DC-PCVD方法制备金刚石膜过程中的作用 被引量:5
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作者 姜志刚 金曾孙 +5 位作者 白亦真 曹培江 张露 杨广亮 李俊杰 吕宪义 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1648-1650,共3页
采用热阴极 DC-PCVD方法制备了金刚石膜 ,研究了甲醇对放电状态和金刚石膜生长特性的影响 .结果表明 ,通入适量的甲醇有利于稳定辉光放电状态 ,保持阴极清洁 ,提高膜的生长质量 .
关键词 热阴极DC-PCVD 甲醇 辉光放电 金刚石膜 生长特性 直流等离子体沉积
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ZnS上金刚石膜的过渡层设计和附着力研究 被引量:6
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作者 郝鹏 张树玉 +5 位作者 黎建明 杨海 苏小平 余怀之 刘伟 贺琪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期347-351,共5页
CVD ZnS是中长波前视红外窗口和整流罩的合适材料,文中从折射率、热应力、透射波段和附着力等方面考虑,由实验设计出HfO2/非晶膜双层结构作为ZnS与金刚石保护膜间的过渡层,采用射频反应磁控溅射技术在ZnS表面制备过渡膜层,并采用划痕法... CVD ZnS是中长波前视红外窗口和整流罩的合适材料,文中从折射率、热应力、透射波段和附着力等方面考虑,由实验设计出HfO2/非晶膜双层结构作为ZnS与金刚石保护膜间的过渡层,采用射频反应磁控溅射技术在ZnS表面制备过渡膜层,并采用划痕法研究了薄膜的显微结构对其与衬底间附着力的影响。结果表明,金刚石能够在HfO2/非晶膜过渡层上形核、生长,得到优质的保护膜,同时过渡层也缓解了金刚石膜与ZnS衬底间由于热膨胀系数的较大差异而引起的膜层脱落问题,单面沉积过渡层的ZnS在2~12μm范围具有增透膜的作用。与AlN/非晶膜组成的过渡层相比,HfO2/非晶膜组成的过渡层具有更小的残余应力。在典型实验条件下,该过渡层与ZnS衬底附着性良好,研究发现薄膜的显微结构对附着力的大小有重要影响,形成细小致密的柱状纤维结构,有利于提高附着力。 展开更多
关键词 过渡层 ZNS 金刚石膜 附着力
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激光沉积大面积均匀类金刚石膜的设计改进及实验 被引量:5
16
作者 陆益敏 黄国俊 +4 位作者 郭延龙 丁方正 陈霞 韦尚方 米朝伟 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期555-560,共6页
针对激光等离子体的边缘粒子对激光沉积类金刚石膜性能的不利影响,改进自转衬底一维变速平移技术的大面积均匀镀膜机构。利用开孔的挡板滤除等离子体边缘的粒子,同时在原有膜厚分布数学模型中加入相应的模块;通过优化模型中的机构运动参... 针对激光等离子体的边缘粒子对激光沉积类金刚石膜性能的不利影响,改进自转衬底一维变速平移技术的大面积均匀镀膜机构。利用开孔的挡板滤除等离子体边缘的粒子,同时在原有膜厚分布数学模型中加入相应的模块;通过优化模型中的机构运动参数,指导实验获得了直径200 mm的大面积均匀类金刚石膜。测试结果表明:该类金刚石膜的不均匀性为±4.5%,且膜厚分布特征与理论优化结果相同,同时纳米硬度和红外透过率较改进前显著提高;相对于改进前的大面积均匀镀膜技术,改进后的机构具有更实际的应用价值。 展开更多
关键词 机械制造工艺与设备 光学薄 脉冲激光沉积 金刚石膜 大面积均匀薄
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沉积温度突变导致金刚石膜中大量黑色缺陷形成的孪晶模型 被引量:4
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作者 姜春生 刘政 +2 位作者 郭世斌 唐伟忠 吕反修 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期51-57,共7页
提出了沉积温度突变时黑色缺陷形成的孪晶机制模型。这一模型提出的基本假设为:沉积温度改变时,金刚石膜的表面上产生贯穿型的孪晶,孪晶以及原来的晶粒的各晶面均将按α2d所规定的生长速率扩张,在生长时相邻晶粒的晶界处形成了一种形如&... 提出了沉积温度突变时黑色缺陷形成的孪晶机制模型。这一模型提出的基本假设为:沉积温度改变时,金刚石膜的表面上产生贯穿型的孪晶,孪晶以及原来的晶粒的各晶面均将按α2d所规定的生长速率扩张,在生长时相邻晶粒的晶界处形成了一种形如"峡谷"状的、相邻晶面夹角过小的局部环境,后者将导致活性气体扩散的过程难于进行,从而形成黑色缺陷。在此假设的基础上,利用水平集方法对此模型进行了二维的模拟,并通过实验进行了验证。模拟及实验的结果表明,在金刚石膜沉积的过程中,沉积温度的突变将通过在众多金刚石晶粒的表面诱发产生孪晶,显著提高金刚石膜中黑色缺陷的形成几率。 展开更多
关键词 金刚石膜 黑色缺陷 水平集方法 生长参数
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类金刚石膜的制备、性能和应用 被引量:27
18
作者 袁镇海 邓其森 +2 位作者 罗广南 谢致薇 郑健红 《材料科学与工程》 CSCD 1994年第4期32-38,共7页
本文简单介绍了类金刚石膜的制备方法、并讨论了膜成分、结构、电阻率、硬度、内应力和附着力等性能,总结了类金刚石膜在机械、电子、声学、电子计算机、光学和医学等领域的应用状况以及将来的发展趋势。
关键词 金刚石膜 性能 应用
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脉冲激光沉积类金刚石膜红外增透技术研究 被引量:4
19
作者 杨雪 汪怡平 +3 位作者 郭延龙 曹海源 米朝伟 田方涛 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期46-51,共6页
针对传统方法制备类金刚石(DLC)膜存在的3~5μm波段红外透过率低这一难题,采用飞秒脉冲激光沉积(PLD)法在红外材料硅基底上镀制DLC膜。重点考查了靶材与基片的间距、背景气压、激光单脉冲能量、负偏压、温度以及掺硅量等工艺参数对其... 针对传统方法制备类金刚石(DLC)膜存在的3~5μm波段红外透过率低这一难题,采用飞秒脉冲激光沉积(PLD)法在红外材料硅基底上镀制DLC膜。重点考查了靶材与基片的间距、背景气压、激光单脉冲能量、负偏压、温度以及掺硅量等工艺参数对其透过率的影响,经过大量的实验与优化分析,总结出一套有效的脉冲激光沉积DLC膜工艺来制备优良的光学保护增透膜。相比传统工艺,大大提高了3~5μm波段的平均红外透过率,在硅基底上单面镀制DLC膜的最高红外透过率达到了68.2%,与理论最高值的68.7%仅相差0.5%。 展开更多
关键词 飞秒脉冲激光 脉冲激光沉积法 金刚石膜 红外透过率
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CVD金刚石膜X射线探测器的研制及性能研究 被引量:4
20
作者 刘健敏 夏义本 +3 位作者 王林军 张明龙 苏青峰 史伟民 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期669-672,共4页
金刚石以其独特的性能成为辐射探测器的理想材料。采用HFCVD方法制备了高质量、(100)取向的CVD金刚石膜,在此基础上研制出X射线探测器。使用55Fe 5.9keV X射线研究了CVD金刚石膜探测器的光电流和电荷收集效率。结果表明,探测器在偏压加... 金刚石以其独特的性能成为辐射探测器的理想材料。采用HFCVD方法制备了高质量、(100)取向的CVD金刚石膜,在此基础上研制出X射线探测器。使用55Fe 5.9keV X射线研究了CVD金刚石膜探测器的光电流和电荷收集效率。结果表明,探测器在偏压加到100V还具有好的欧姆接触;电场为50kV.cm-1时的暗电流与光电流分别为16.3和16.8nA;电荷收集效率η为45.1%,对应的电荷收集距离δ(CCD)为9.0μm。 展开更多
关键词 CVD金刚石膜 X射线探测器 光电流 电荷收集效率
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