h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质氢终端金刚石场效应晶体管 被引量：2

1

作者 王维 蔚翠 +5 位作者 何泽召 周闯杰 郭建超 马孟宇 高学栋 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第9期687-691,724,共6页

金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料,制备了h-BN/Al_(... 金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料,制备了h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石FET,h-BN/Al_(2)O_(3)/氢终端金刚石材料的载流子迁移率得到提升,达到186 cm^(2)/(V·s)。相较于Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET,h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET最大饱和电流密度和最大跨导均得到提升,分别为141 mA/mm和9.7 mS/mm。通过电容-电压(C-V)测试计算了栅介质和金刚石间界面固定电荷密度和陷阱密度,h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET界面负固定电荷密度为5.4×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1),低于Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET(8.5×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1))。固定电荷密度低、载流子迁移率高是h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质金刚石FET性能提升的主要原因。 展开更多

关键词 金刚石 场效应晶体管(fet) 氢终端 六方氮化硼(h-BN) 栅介质

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基于石墨烯场效应晶体管的研究进展 被引量：3

2

作者 王聪 刘玉荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期561-569,579,共10页

在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子... 在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子限制法在调控石墨烯带隙方面比外加电场调节法和引入应力法更具有实用价值。重点探讨了几种GFET有源层石墨烯薄膜的制备方法:外延生长法、剥离法、化学气相沉积法(CVD)、氧化石墨烯还原法、旋涂法以及喷涂法,并对比分析了各种制备方法的优缺点。最后概述了GFET的应用前景和挑战。 展开更多

关键词 石墨烯 场效应晶体管(fet) 带隙调控 超高迁移率 制备工艺

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碳纳米管场效应晶体管的研究进展 被引量：1

3

作者 吕建伟 王万录 +3 位作者 张毅 万步勇 曹春兰 孔纪兰 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期91-93,共3页

介绍了利用纳米材料和技术代替传统的硅(Si)材料，研制电子功能元器件的重要性和急迫性。着重介绍了用纳米碳管研制场效应晶体管(FET)这一重要的电子元件的进展情况及几种常见的碳纳米管FET。分析了现有的碳纳米管FET实用化的困难和存... 介绍了利用纳米材料和技术代替传统的硅(Si)材料，研制电子功能元器件的重要性和急迫性。着重介绍了用纳米碳管研制场效应晶体管(FET)这一重要的电子元件的进展情况及几种常见的碳纳米管FET。分析了现有的碳纳米管FET实用化的困难和存在的问题，并展望了碳纳米管FET的应用前景。 展开更多

关键词 场效应晶体管 碳纳米管 研究进展 fet 纳米材料 电子功能 电子元件 纳米碳管 元器件 实用化 研制

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GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理 被引量：2

4

作者 林丽艳 李用兵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期663-666,共4页

对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结... 对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3"+"3"-"和3"-"极性下,器件失效模式为栅源短路,在3"+"极性下器件电参数退化。运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿。 展开更多

关键词 GaAs场效应晶体管(fet) 静电放电(ESD)实验 热模型 失效模式 损伤机理

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石墨烯场效应晶体管的非线性模型

5

作者 杜光伟 李佳 +2 位作者 胡志富 冯志红 宋旭波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期292-296,301,共6页

包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表... 包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表征GFET的特性。该模型包含了GFET的栅源电流模型、源漏电流模型、电容模型和低频散射效应等。此外该模型为可定标的模型,可用于一定尺寸范围的器件的仿真。该模型可集成在仿真软件中进行石墨烯电路的设计,其直流I-V特性和多偏置S参数的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了该模型的有效性。 展开更多

关键词 石墨烯 场效应晶体管(fet) 非线性 模型 低频散射效应

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电子级金刚石材料生长及其MESFET器件特性

6

作者 王晶晶 何泽召 +4 位作者 宋旭波 张平伟 郭辉 冯志红 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期685-690,共6页

采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料。采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶体分析及表征,结果表明,金刚石薄膜为(110)择优取向,厚度均匀,... 采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料。采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶体分析及表征,结果表明,金刚石薄膜为(110)择优取向,厚度均匀,电学性能稳定。研究了抛光转速和压力对金刚石膜抛光效率的影响,抛光处理后金刚石表面粗糙度(R ms)为0.569 nm。采用氢等离子体处理方法对该样品进行处理形成p型表面沟道,并采用自对准工艺制作出具有射频特性的金刚石场效应晶体管,其饱和电流密度为330.9 mA/mm,电流截止频率f T为9.3 GHz,最大振荡频率f max为18.5 GHz。 展开更多

关键词 直流电弧喷射法 多晶金刚石 射频场效应晶体管（RF MESfet） 射频特性 抛光速率

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二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性

7

作者 景永凯 范超 +4 位作者 孟宪成 刘哲 王蒙军 郑宏兴 杨瑞霞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期87-93,104,共8页

采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有... 采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有良好的结晶度,SnS_(2)薄膜背栅型FET具备良好的栅压调控特性。器件对波长为405 nm的蓝紫光表现出明显的光响应,光响应度高达456.82 A·W^(-1),外量子效率为1.40×10^(5)%,比探测率为7.12×10^(12)Jones,并且具有较快的光响应速度,上升和下降响应时间分别为1 ms和0.5 ms。器件的光探测性能受栅压调控,当栅压为40 V时,器件的光响应度可达730 A·W^(-1)。 展开更多

关键词 二硫化锡(SnS_(2)) 场效应晶体管(fet) 可见光探测器 光响应度 栅压调控

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超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展 被引量：10

8

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期1-14,共14页

以SiC/GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表,受到研究人员的广泛关注。介绍了金刚石功率电子学的最新进展,如金刚石单晶、金... 以SiC/GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表,受到研究人员的广泛关注。介绍了金刚石功率电子学的最新进展,如金刚石单晶、金刚石化学气相沉积同质和异质单晶外延、金刚石多晶外延、金刚石二极管、金刚石MOSFET、金刚石结型场效应晶体管、金刚石双极结型晶体管、金刚石逻辑电路、金刚石射频场效应晶体管和金刚石上GaN HEMT等。还介绍了金刚石材料的大尺寸、低缺陷和p型及n型掺杂等制备技术,金刚石新器件结构设计,金刚石新器件工艺,转移掺杂H端-金刚石沟道和金刚石/GaN界面热阻等研究成果。分析了金刚石功率电子学的发展由来、关键技术突破和发展态势。 展开更多

关键词 金刚石 单晶 多晶 金刚石二极管 金刚石场效应晶体管(fet) 射频(RF)fet 金刚石上GaN HEMT 功率电子学

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异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展 被引量：2

9

作者 陈根强 赵浠翔 +4 位作者 于众成 李政 魏强 林芳 王宏兴 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期931-944,共14页

相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子器件的理想半导体材料... 相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子器件的理想半导体材料。然而由于可获得单晶金刚石的尺寸较小,且价格昂贵,极大地阻碍了金刚石的发展。历经长时间的探索,异质外延生长技术成为了获得高质量、大面积单晶金刚石的有效手段。本综述从金刚石异质外延的衬底选择、生长机理以及质量改善等方面对近些年来异质外延单晶金刚石的发展进行详细介绍。进一步地,对基于异质外延单晶金刚石的场效应晶体管和二极管的研究进行了总结,说明了异质外延单晶金刚石在电子器件领域的巨大潜力。最后总结了异质外延单晶金刚石仍需面对的挑战,展望了其在未来的应用与发展前景。 展开更多

关键词 单晶金刚石 异质外延生长 宽禁带半导体 半导体器件 场效应晶体管 二极管

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MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展 被引量：12

10

作者 王艳丰 王宏兴 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期2139-2152,共14页

本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望。详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理。研究了影响MPCVD单晶金刚石生长的关键因素,为获得最优生... 本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望。详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理。研究了影响MPCVD单晶金刚石生长的关键因素,为获得最优生长条件提供指导。分析了横向外延、拼接生长、三维生长等关键性生长技术,逐步提高单晶金刚石的质量和面积。在金刚石掺杂的研究中,详细介绍了n型和p型掺杂的研究进展。通过对金刚石肖特基二极管、氢终端金刚石场效应晶体管、紫外探测器的研究,展现了金刚石在电子器件领域的成果和进展。最后总结了MPCVD单晶金刚石生长及其电子应用过程中面临的挑战,展望了金刚石在电子器件领域的巨大应用前景。 展开更多

关键词 金刚石 MPCVD 横向外延 拼接生长 掺杂 二极管 场效应晶体管 探测器

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半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究

11

作者 张福海 牛文成 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第4期22-27,共6页

本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。

关键词 氢离子敏感场效应晶体管(pH-ISfet) 场效应晶体管型溶二氧化碳传感器(fet型pCO₂传感器)

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克服FET生物传感器德拜屏蔽效应的研究进展 被引量：1

12

作者 熊恩毅 魏淑华 +4 位作者 张兆浩 魏千惠 张双 方敏 张青竹 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期169-177,共9页

目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测。虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽效应的影响,导致灵敏度降低甚至无法检测。阐述了Bio... 目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测。虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽效应的影响,导致灵敏度降低甚至无法检测。阐述了BioFET的工作原理;介绍了BioFET目前面临的挑战之一——德拜屏蔽效应;解释了德拜屏蔽效应的原理;探讨了克服德拜屏蔽效应的典型方法:增加德拜长度、优化目标物、优化器件结构以及降低电双层影响,并对这4个方面的研究进展从增强机理、具体方法及检测效果等方面进行了详细的分析和总结。 展开更多

关键词 场效应晶体管(fet) 生物传感器 德拜屏蔽效应 电双层 灵敏度

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GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析 被引量：6

13

作者 林丽艳 李用兵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期143-147,共5页

GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构... GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构特点不能对内部FET直接进行参数测试,为进一步研究GaAs FET的氢效应作用机理,对GaAs FET结构单元开展高温电老炼试验,试验过程中GaAs FET电流变化趋势与低噪声放大器相同。分析了GaAs FET结构单元试验过程中饱和漏电流、夹断电压变化趋势,认为导致GaAs FET电参数先减小是由于沟道二维电子气(2DEG)浓度减小和栅金属与GaAs界面状态改变两种机理共同作用,电参数部分恢复主要是栅金属与GaAs界面状态改变起作用。 展开更多

关键词 GAAS PHEM低噪声放大器 GaAs场效应晶体管(fet) 高温电老炼 氢效应 退化机理

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GaAs开关FET功率特性的研究 被引量：4

14

作者 王磊 马伟宾 刘帅 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期110-114,共5页

在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分... 在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分析,发现频率下降会降低开关FET的栅压,从而降低开关FET低频下的功率容量。通过增加栅极电阻来提高栅极电压,进而增加开关FET功率容量。最后通过实际的开关电路验证了增大栅极电阻可有效提高开关电路的功率容量,对今后的开关类器件设计工作起到一定的指导意义。 展开更多

关键词 砷化镓 场效应晶体管(fet) 栅极电阻 功率容量 功率压缩

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微波FET放大器CAD的数学模型研究 被引量：2

15

作者 程书田 梁昌洪 赵希明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期391-394,共4页

建立了微波ＦＥＴ（场效应晶体管）放大器ＣＡＤ（计算机辅助设计）的数学模型．在建立数学模型时，考虑了不连续性和ＦＥＴ源极接地点等因素对放大器性能的影响，并加入了约束条件．对某些指标（如噪声、驻波比）采取了一种新型的数学... 建立了微波ＦＥＴ（场效应晶体管）放大器ＣＡＤ（计算机辅助设计）的数学模型．在建立数学模型时，考虑了不连续性和ＦＥＴ源极接地点等因素对放大器性能的影响，并加入了约束条件．对某些指标（如噪声、驻波比）采取了一种新型的数学模型形式．最后，以两级放大器为例，给出了８．５～８．７５ＧＨｚ两级放大器的测试结果． 展开更多

关键词 微波fet放大器 数学模型 场效应晶体管 CAD

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GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究 被引量：3

16

作者 顾占彪 王淼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期474-478,共5页

基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使... 基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。 展开更多

关键词 砷化镓 场效应晶体管(fet) 微波脉冲固态功率放大器 脉冲波形顶部降落 脉冲波形顶部过冲

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使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数

17

作者 赵宇航 卢意飞 刘强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。 展开更多

关键词 MoS2场效应晶体管(fet) Y函数方法 寄生电阻 杂质电荷 回滞特性

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一种GaN FET开关用高压高速驱动器的设计与实现 被引量：2

18

作者 王子青 廖斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期674-678,共5页

设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时... 设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时提高了输入噪声容限,电平转换级、输出级对传统电路结构做了改进,转换速度更快,功耗更低。该电路采用标准硅基高压CMOS工艺制造流片,芯片测试结果表明,负电源工作电压为-5^-40 V,静态电流小于10μA,动态电流为5 m A@10 MHz,传输延时小于20 ns。芯片尺寸为1.42 mm×1.83 mm。该电路具有响应速度快、功耗低以及抗噪声能力强等特点,可广泛应用于微波通信系统中。 展开更多

关键词 Ga N场效应晶体管(fet)开关 高压驱动器 施密特电路 电平转换 死区时间

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a-Si:N FET的研制

19

作者 冯玉春 罗晋生 海国强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期35-37,共3页

用辉光放电连续淀积a-Si_xN_(1-x):H和a-Si:H的方法制备了a-Si:H FET通过改进a-Si:H与源、漏Al电极的欧姆接触,在氮气氛中退火等工艺,获得了直流特性良好的a-Si:HFET.当栅极电压V_G变化10V时,漏、源电流的变化达六个数量级.

关键词 α-Si:H fet 非晶硅 场效应晶体管

全文增补中

对有源相控阵雷达的一些新要求与宽禁带半导体器件的应用(续完) 被引量：1

20

作者 张光义 王炳如 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2005年第3期1-4,共4页

关键词 宽禁带半导体 有源相控阵雷达 fet 场效应晶体管 器件 品质因素 功率 处理能力

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