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金／硅纳米孔柱阵列的场发射
1
作者
富笑男
罗艳伟
+3 位作者
符建华
李坤
程莉娜
李新建
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期1559-1562,共4页
利用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))上制备了复合纳米薄膜Au/Si-NPA。测试了其场发射性能。测试结果显示,Au/Si-NPA的开启电场为约2V/μm;在7.59V/μm的外加电场下,其发射电流密度为67μA/cm2...
利用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))上制备了复合纳米薄膜Au/Si-NPA。测试了其场发射性能。测试结果显示,Au/Si-NPA的开启电场为约2V/μm;在7.59V/μm的外加电场下,其发射电流密度为67μA/cm2;在外加电压2000V时,其电流浮动率为21%。导致Au/Si-NPA优良的发射性能是由于其独特的表面形貌和结构所致。
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关键词
金/硅纳米孔柱阵列
场发射
浸渍技术
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职称材料
题名
金／硅纳米孔柱阵列的场发射
1
作者
富笑男
罗艳伟
符建华
李坤
程莉娜
李新建
机构
河南工业大学理学院
郑州大学物理系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期1559-1562,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10574112)
河南省教育厅自然科学基金资助项目(2007140003)
+1 种基金
河南工业大学科研基金资助项目(07XJC010)
河南工业大学博士基金资助项目(2007BS009)
文摘
利用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))上制备了复合纳米薄膜Au/Si-NPA。测试了其场发射性能。测试结果显示,Au/Si-NPA的开启电场为约2V/μm;在7.59V/μm的外加电场下,其发射电流密度为67μA/cm2;在外加电压2000V时,其电流浮动率为21%。导致Au/Si-NPA优良的发射性能是由于其独特的表面形貌和结构所致。
关键词
金/硅纳米孔柱阵列
场发射
浸渍技术
Keywords
Au/Si-NPA
field emission
immersion technique
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金／硅纳米孔柱阵列的场发射
富笑男
罗艳伟
符建华
李坤
程莉娜
李新建
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
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