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ZnO纳米粒子结构对光电量子限域特性的影响 被引量:15
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作者 林艳红 王德军 +2 位作者 肇启东 杨敏 张清林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2077-2079,共3页
The ZnO quantum dot particles with an average particle size 3 nm and the ZnO nanorods with an average length of 80 nm and width about 14 nm were synthesized by the sol-gel method. The surface photovoltaic properties o... The ZnO quantum dot particles with an average particle size 3 nm and the ZnO nanorods with an average length of 80 nm and width about 14 nm were synthesized by the sol-gel method. The surface photovoltaic properties of ZnO nanoparticles were investigated by means of FISPS technique and the bands in FISPS were identified. The results show that the surface photovoltaic properties of ZnO nanoparticles make a great difference for the structures or sizes due to the quantum confinement effect. The photovoltaic response intensity of ZnO nanorods is two-orders of magnitude stronger than that of quantum dot particles. And it is found that the ZnO quantum dot particles exhibit significant quantum confinement properties of photogenerated charges. The photovoltaic response bands of ZnO nanorods are related to band-band transition and bound exciton transition, respectively. 展开更多
关键词 ZNO 纳米粒子 结构 光电量子限域 激子态 场诱导表面光电压谱 半导体材料 氧化锌
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ZnO纳米线膜的可控生长及其量子限域效应研究 被引量:6
2
作者 张雯 张庆腾 贺永宁 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期82-86,共5页
针对ZnO半导体低维纳电子/光电子器件中纳米线膜的可控性差及其所导致的特性不稳定问题,利用ZnO纳米籽晶层作为引导层,以实现ZnO纳米线膜的垂直取向生长和尺度分布可控制备,并研究低维量子限域效应对ZnO纳米线膜光电特性的影响机制,利... 针对ZnO半导体低维纳电子/光电子器件中纳米线膜的可控性差及其所导致的特性不稳定问题,利用ZnO纳米籽晶层作为引导层,以实现ZnO纳米线膜的垂直取向生长和尺度分布可控制备,并研究低维量子限域效应对ZnO纳米线膜光电特性的影响机制,利用湿化学法在氧化铟锡导电玻璃上制备ZnO籽晶层,随后利用低温水热法进行ZnO纳米线膜的引导生长,样品的显微结构和物相分析表明,通过调节籽晶热处理温度和生长液浓度能够实现ZnO纳米线直径在10~100nm内可调,籽晶热处理温度对纳米线尺度分布影响尤其显著.室温光致发光(PL)谱测试及分析表明,直径小于20nm的ZnO纳米线薄膜样品的PL谱的近紫外带边发射峰相比于更大直径的纳米线样品发生了明显的蓝移,而且半高宽显著减小.利用量子限域效应理论对PL谱带边发射峰随纳米线的尺度分布发生变化的规律进行了合理分析. 展开更多
关键词 ZNO纳米线 可控生长 光致发光 量子限域效应
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表面环境对量子限域材料非线性光学性质的影响
3
作者 艾希成 费浩生 +8 位作者 韩力 聂瑞娟 胡振华 杨延强 邹炳锁 张岩 李守田 肖良质 李铁津 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第S1期50-51,共2页
超微粒子的电子和光学性质的研究受到越来越多的人们的关注,当粒子尺寸相当于或小于它的相应体相的玻尔半径时,超微粒子由于量子尺寸效应,介电效应和表面效应的影响,其电子和光学性质将发生明显的变化。在这样小的尺度范围内。
关键词 光学性质 材料非线性 超微粒子 量子限域 量子尺寸效应 表面环 电子结构 FRENKEL激子 介电效应 表面效应
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量子限域材料的非线性光学过程
4
作者 费浩生 韩力 +1 位作者 艾希成 张国有 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第1期12-12,共1页
当介质的微粒尺寸小于体相材料中原子的玻尔半径时(大约小于10nm),这类超微粒材料出现了许多特异的光学及非线性光学现象。例如,室温激子吸收的出现,三阶非线性系数x<sup>(3)</sup>的增大,特有的介面现象等,称作量子限... 当介质的微粒尺寸小于体相材料中原子的玻尔半径时(大约小于10nm),这类超微粒材料出现了许多特异的光学及非线性光学现象。例如,室温激子吸收的出现,三阶非线性系数x<sup>(3)</sup>的增大,特有的介面现象等,称作量子限域效应。我们首次报导了利用溶胶化学方法合成了若干过渡金属氧化物(Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>等)的量子限域材料,讨论了非线性光学特性与材料尺寸的关系,给出了若干实验结果。 展开更多
关键词 非线性光学过程 量子限域效应 非线性系数 过渡金属氧化物 非线性光学特性 非线性光学现象 四波混频 室温激子 玻尔半径 超微粒
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两种特殊形状量子限域腔的电子结构
5
作者 侯春风 王玲 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期694-694,共1页
关键词 量子点模型 量子限域 电子结构 柱面透镜形
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类石墨烯C_3N_4纳米片光催化分解水制氢中的量子限域效应 被引量:4
6
作者 郝旭强 杨浩 +3 位作者 靳治良 续京 敏世雄 吕功煊 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第10期2581-2592,共12页
从层状化合物获得的纳米片是一类新型纳米结构材料,这种二维各向异性的纳米甚至亚纳米级的材料具有独特的物理化学性能,其中最好的一个例证就是从石墨烯C_3N_4到石墨烯C_3N_4纳米片的转变。通过高温氧化热刻蚀方法将体相g-C_3N_4剥离成g... 从层状化合物获得的纳米片是一类新型纳米结构材料,这种二维各向异性的纳米甚至亚纳米级的材料具有独特的物理化学性能,其中最好的一个例证就是从石墨烯C_3N_4到石墨烯C_3N_4纳米片的转变。通过高温氧化热刻蚀方法将体相g-C_3N_4剥离成g-C_3N_4纳米片,应用于染料敏化可见光分解水产氢,表现出了较体相g-C_3N_4高于2.6倍的产氢速率。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、扫描电子显微镜(SEM)、Brunauer-Emmett-Teller(BET)、荧光光谱和光电化学等表征研究了g-C_3N_4纳米片的结构及曙红(EY)和gC_3N_4纳米片之间的电子迁移过程。热剥离后的g-C_3N_4纳米片具有较高的比表面积,不仅可以更为有效地吸附染料分子,还因其量子限域效应大大增强了光生电荷的分离效率和电子转移效率,改善了电子沿平面方向的传输能力以及光生载流子的寿命,从而显著提高g-C_3N_4纳米片的光催化产氢活性。 展开更多
关键词 g-C3N4纳米片 染料敏化 量子限域效应 光催化 产氢
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纳米ZnO的量子限域效应和激光散射特性研究
7
作者 蒋剑莉 李江 +1 位作者 曹琦 李相银 《物理实验》 北大核心 2004年第2期20-22,25,共4页
研究了纳米ZnO的量子限域效应和不同粒径对于不同激光的散射特性 ,从实验和理论两方面验证了纳米材料的光学特性 .
关键词 纳米材料 氧化锌 量子限域效应 激光散射 隐身技术 有效质量 吸收能带 光学蓝移 光学吸收
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CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应 被引量:4
8
作者 王德军 崔毅 +2 位作者 李铁津 董相廷 洪广言 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期1071-1072,共2页
CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应王德军,崔毅,李铁津,董相廷,洪广言(吉林大学化学系,长春,130023)(中国科学院长春应用化学研究所,长春)关键词纳米晶,CeO_2,表面光伏,量子限域纳米材料结构功能特性的研究有... CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应王德军,崔毅,李铁津,董相廷,洪广言(吉林大学化学系,长春,130023)(中国科学院长春应用化学研究所,长春)关键词纳米晶,CeO_2,表面光伏,量子限域纳米材料结构功能特性的研究有着重要的高科技应用背景[1],但有... 展开更多
关键词 纳米晶 量子限域 氧化铈 光伏效应
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GaN半导体中InN量子点的结构性质(英文) 被引量:4
9
作者 陈珊珊 郑江海 +1 位作者 李书平 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期88-92,共5页
采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统,并模拟分析电子结构。从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一... 采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统,并模拟分析电子结构。从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一,说明量子点的限域效应存在着各向异性的特点。c轴极化方向引起量子点结构带边的弯曲形状与传统的量子阱结构不同,使得电子空穴没有发生空间分离,有利于电子空穴的跃迁几率的提高。 展开更多
关键词 量子 量子限域效应 电子态密度
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分解幻数团簇前驱体化合物低温制备高产率超小尺寸硫化镉量子点
10
作者 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第11期19-21,共3页
胶体半导体量子点(QDs)在生物、能源、环境领域具有巨大的应用潜力1–3。由于量子限域效应,半导体QD的光学性质受控于尺寸大小。因此,大量的合成研究专注于QD的尺寸控制。在较低反应温度和较短反应时间条件下,传统合成小尺寸IIVI族QD的... 胶体半导体量子点(QDs)在生物、能源、环境领域具有巨大的应用潜力1–3。由于量子限域效应,半导体QD的光学性质受控于尺寸大小。因此,大量的合成研究专注于QD的尺寸控制。在较低反应温度和较短反应时间条件下,传统合成小尺寸IIVI族QD的产率极低。例如,硒化镉(Cd Se) QD的产率小于2%4;小尺寸硫化镉(Cd S)QD的合成通常伴随多种副产物的生成,如Cd S幻数团簇(MSCs)及其前驱化合物(PCs) 5。低温制备高产率超小尺寸胶体半导体QD的研究,既是本领域的一个巨大挑战,又是本领域的一个研究空白点。 展开更多
关键词 尺寸控制 硫化镉量子 量子限域效应 高产率 低温制备 幻数 硒化镉 光学性质
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电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应
11
作者 尚开 张振中 +6 位作者 李炳辉 徐海阳 张立功 赵东旭 刘雷 王双鹏 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1270-1274,共5页
在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积... 在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积累引起了量子限域斯塔克效应。 展开更多
关键词 ZNO 量子 电子束泵浦 量子限域斯塔克效应
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纳米氧化锌粉体的制备及发光性质的研究 被引量:20
12
作者 吕树臣 宋国利 +2 位作者 肖芝燕 张家骅 黄世华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期306-310,共5页
采用沉淀法制备纳米ZnO粉体 ,探讨了晶粒尺寸与反应浓度和热处理温度的关系 ,并对所得到的纳米ZnO粉体的发光性质进行了研究 ,对不同温度热处理的样品的发光性质做了比较。ZnO的可见发光机制的解释一直未有定论。一部分作者认为绿光是... 采用沉淀法制备纳米ZnO粉体 ,探讨了晶粒尺寸与反应浓度和热处理温度的关系 ,并对所得到的纳米ZnO粉体的发光性质进行了研究 ,对不同温度热处理的样品的发光性质做了比较。ZnO的可见发光机制的解释一直未有定论。一部分作者认为绿光是由氧空位引起的 ;另一部分认为是锌空位造成的。本文的实验结果揭示了可见发光的内部过程 ,肯定了双声子参与的发光过程 ,支持了绿光是由锌空位造成的这一观点。此外 ,用 2 30nm以下波长激发样品时 ,可见发光的行为明显不同于用 32 5nm以上的波长去激发同一样品时的发光情形。实验表明高能激发 ,样品能发白光 ,因此 。 展开更多
关键词 纳米氧化锌粉体 制备 发光性质 纳米ZNO粉体 沉淀法 量子限域效应 发光材料
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氧分压对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及光学特性的影响 被引量:13
13
作者 徐小丽 马书懿 +3 位作者 陈彦 魏晋军 张国恒 孙小菁 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期730-735,共6页
采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射及紫外-可见吸收和透射光谱研究了氧分压变化对ZnO薄膜的微观结构及光吸收特性的影响。结果表明,当工作气压恒定时,用射频反应磁控溅射制备的Zn... 采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射及紫外-可见吸收和透射光谱研究了氧分压变化对ZnO薄膜的微观结构及光吸收特性的影响。结果表明,当工作气压恒定时,用射频反应磁控溅射制备的ZnO薄膜的生长行为主要取决于成膜空间中氧的密度,合适的氧分压能够提高ZnO薄膜的结晶质量;薄膜在可见光区的平均透过率达到90%以上,且随着氧分压的增大,薄膜的光学带隙发生了一定程度的变化。采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作了相应的理论计算,计算结果与对样品吸收谱所作的拟合结果符合较好,二者的变化趋势完全一致,表明ZnO纳米晶粒较小时,薄膜光学带隙的变化与量子限域效应有很大关系。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 X射线衍射 光学特性 量子限域
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纳米ZnO胶体可见发射机制的研究 被引量:10
14
作者 宋国利 刘慧英 +2 位作者 孙凯霞 杨幼桐 陈保久 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期348-352,共5页
关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论。本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发射,另一个是可见发射;发现两个发射带的峰值能量之间存在线性关系,并由此提出了可见发射机制是来自导带... 关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论。本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发射,另一个是可见发射;发现两个发射带的峰值能量之间存在线性关系,并由此提出了可见发射机制是来自导带的电子到深陷阱的跃迁。 展开更多
关键词 纳米ZnO胶体 可见发射机制 激子发射 量子限域效应 发射带 氧化锌 半导体材料
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纳米Gd_2O_3中两种格位Eu^(3+)的电荷迁移态激发跃迁 被引量:7
15
作者 刘春旭 张家骅 +2 位作者 吕少哲 刘俊业 花景田 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期193-196,共4页
观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd_2O_3:Eu^(3+)的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱。受强量子限域效应的影响,纳米Gd_2O_3:Eu^(3+)的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖性。用Jorgensen公式计算电荷迁移带的位置,与实... 观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd_2O_3:Eu^(3+)的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱。受强量子限域效应的影响,纳米Gd_2O_3:Eu^(3+)的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖性。用Jorgensen公式计算电荷迁移带的位置,与实验测得激发光谱中位置相一致。通过电荷迁移带不同位置的选择激发光谱可以分辨出立方相Gd_2O_3:Eu^(3+)中C_2和S_6格位Eu^(3+)的发光,从选择激发的发射光谱和激发光谱结果计算出C_2和S_6格位电荷迁移带的激发光谱,与实验结果相符合。 展开更多
关键词 纳米晶 三氧化二钆 电荷迁移带 格位选择激发光谱 量子限域效应 稀土氧化物发光材料 铒离子掺杂
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一维Si纳米材料的研究进展 被引量:3
16
作者 艾飞 刘岩 +1 位作者 周燕飞 潘志雷 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F10期93-97,105,共6页
基于量子限域效应,一维Si纳米材料(硅纳米线等)具有体材料硅所不具备的特异的光学、电学、机械和化学性质,在纳光电子学领域具有潜在的应用价值。通过掺杂或与其它材料的复合,硅纳米线可以用于制作纳电子器件的关键组件,既能作为功... 基于量子限域效应,一维Si纳米材料(硅纳米线等)具有体材料硅所不具备的特异的光学、电学、机械和化学性质,在纳光电子学领域具有潜在的应用价值。通过掺杂或与其它材料的复合,硅纳米线可以用于制作纳电子器件的关键组件,既能作为功能单元也能用于器件互连。综述了硅纳米线(硅纳米管)的制备方法、生长机制、性质及应用和近年来的研究新进展。 展开更多
关键词 纳米材料 研究进展 SI 一维 量子限域效应 硅纳米线 纳电子器件 化学性质 应用价值 光电子学 器件互连 功能单元 制备方法 生长机制 体材料 过掺杂 纳米管
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多孔硅的制备与光伏特性研究 被引量:3
17
作者 王宝辉 王德军 李铁津 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第9期1349-1352,共4页
采用特制的电解池在不同条件下制备了一系列多孔硅样品,通过测定其SPS发现,多孔硅的SPS特征带同单晶硅相比有明显蓝移,并且随制备条件不同,蓝移效应也不同。电解质中HF浓度和电解时间对其SPS响应有明显影响。这一现象的... 采用特制的电解池在不同条件下制备了一系列多孔硅样品,通过测定其SPS发现,多孔硅的SPS特征带同单晶硅相比有明显蓝移,并且随制备条件不同,蓝移效应也不同。电解质中HF浓度和电解时间对其SPS响应有明显影响。这一现象的出现主要归因于量子线阵的生成。 展开更多
关键词 多孔硅 表面光电压谱 量子限域效应
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ZnO纳米晶的发光性质 被引量:3
18
作者 鲁成祝 张琳 刘春棠 《光电子技术》 CAS 2004年第2期100-103,共4页
研究了量子限域体系下 Zn O纳米晶随尺寸变化的发光性质。吸收边随着颗粒尺寸减小发生持续的蓝移。光致发光光谱包含两个发光峰 :一个是紫外激子发射 ,另一个是处于绿光区的杂质或缺陷发射 ,均受量子限域效应调制。带边发射相对于吸收峰... 研究了量子限域体系下 Zn O纳米晶随尺寸变化的发光性质。吸收边随着颗粒尺寸减小发生持续的蓝移。光致发光光谱包含两个发光峰 :一个是紫外激子发射 ,另一个是处于绿光区的杂质或缺陷发射 ,均受量子限域效应调制。带边发射相对于吸收峰的 Stokes移动随着颗粒尺寸减小而增大。 展开更多
关键词 ZNO 纳米晶 量子限域效应 光致发光 尺寸选择激光
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纳米晶须SiC受激拉曼光散射性质研究 被引量:1
19
作者 张洪涛 徐重阳 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期17-18,共2页
本文讨论了分布在SiO2 中纳米碳化硅晶须的拉曼受激散射现象。在用非晶态SiO2 包覆的纳米碳化硅材料中 ,随纳米碳化硅含量增高 ,激发阈值降低 ,激发强度增大。这是由于量子限域效应所致。随纳米晶须的半径降低 ,激发阈值降低 ;并且随激... 本文讨论了分布在SiO2 中纳米碳化硅晶须的拉曼受激散射现象。在用非晶态SiO2 包覆的纳米碳化硅材料中 ,随纳米碳化硅含量增高 ,激发阈值降低 ,激发强度增大。这是由于量子限域效应所致。随纳米晶须的半径降低 ,激发阈值降低 ;并且随激发波长的增长 ,蓝移减小。 展开更多
关键词 拉曼受激散射 纳米碳化硅晶须 光学性质 量子限域效应 半导体
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少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜电子结构和光学性质理论研究
20
作者 李中军 王安健 +4 位作者 赵伟 王健越 陈实 李国祥 仇怀利 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第9期1280-1283,共4页
文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是... 文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是当薄膜厚度减小到2QL和1QL时,由于量子限域效应,体电子态和表面电子态的能隙都明显增大,导致体电子态和表面电子态发生分离,这种分离有利于制备基于1QL和2QL的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的自旋电子器件。光吸收系数的计算发现,厚度为5QL、4QL、3QL的薄膜在红外区有1个吸收主峰,吸收边远超出了红外区;当厚度减小到2QL和1QL时,吸收边发生明显蓝移,红外区的吸收峰蓝移且强度明显减小,这表明3QL以上的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜更适合制备红外光探测器件。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 少层Bi 2Se 3薄膜 拓扑表面态 量子限域效应 光吸收谱
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