在分子束外延生长量子阱材料过程中 ,分析了在不同的 Ga As/ Al Ga As异质结生长次序中 Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称 ,讨论了 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性 ...在分子束外延生长量子阱材料过程中 ,分析了在不同的 Ga As/ Al Ga As异质结生长次序中 Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称 ,讨论了 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性 ,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的量子阱材料和相应器件进行了比较 .发现 。展开更多
介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况。结合热处理工艺,通过测试I-V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配进行了实验,确定了适合n+GaAs/AlGaAs的电极体系,并对沉积金...介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况。结合热处理工艺,通过测试I-V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配进行了实验,确定了适合n+GaAs/AlGaAs的电极体系,并对沉积金属后的热处理条件进行了初步研究。在400℃、氮气氛围、60 s的条件下,采用传输线模型计算后,在n+GaAs(1×10^18 cm^-3)上取得了比接触电阻为3.07×10^-5Ω·cm2的实验结果。展开更多
文摘介绍了 AlGaAs/GaAs 多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测试并分析。在温度小于40 K 时,随着温度的改变暗电流没有明显的变化;当温度大于40 K 时,暗电流随着温度的升高迅速变大,正、负偏压下 QWIP 暗电流具有不对称特性。
文摘在分子束外延生长量子阱材料过程中 ,分析了在不同的 Ga As/ Al Ga As异质结生长次序中 Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称 ,讨论了 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性 ,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的量子阱材料和相应器件进行了比较 .发现 。
