In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响 被引量：6

1

作者 叶志成 舒永春 +5 位作者 曹雪 龚亮 姚江宏 皮彪 邢晓东 许京军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期164-168,共5页

利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。... 利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。 展开更多

关键词 分子束外延 INGAAS/GAAS 应变量子阱 变温光致发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算 被引量：10

2

作者 晏长岭 秦莉 +6 位作者 宁永强 张淑敏 王青 赵路民 刘云 王立军 钟景昌 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期29-31,共3页

讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应 ,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系。由克龙尼克 -潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级 ,给出了cl -hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲线 ,并与实... 讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应 ,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系。由克龙尼克 -潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级 ,给出了cl -hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲线 ,并与实验测量的GaInAs/GaAs量子阱的发射波长进行了比较 ,基本一致。与此同时 ,对GaInAs/GaAs应变量子阱向长波长方向的发展也进行了计算分析 。 展开更多

关键词 应变量子阱 量子化能级 跃迁 长波长 色散关系

在线阅读 下载PDF 职称材料

InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算 被引量：8

3

作者 宋晏蓉 华玲玲 +1 位作者 张鹏 张晓 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期565-569,共5页

为了进一步优化半导体激光器的性能,讨论了影响激光器中许多参数的能带结构.以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,利用有限差分法对考虑价带混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量精确求解,得到导带和价带的能带结构图.计算结果表明,... 为了进一步优化半导体激光器的性能,讨论了影响激光器中许多参数的能带结构.以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,利用有限差分法对考虑价带混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量精确求解,得到导带和价带的能带结构图.计算结果表明,应变改变了传统无应变量子阱激光器中轻的导带有效质量与非常重的价带有效质量之间的巨大不对称性,更有利于提高激光器的性能. 展开更多

关键词 应变量子阱 能带结构 6×6Luttinger-Kohn哈密顿量 有限差分法

在线阅读 下载PDF 职称材料

高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵 被引量：6

4

作者 刘迪 宁永强 +2 位作者 张金龙 张星 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期2147-2153,共7页

为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P... 为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08量子阱的带阶。对采用In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08和In0.2Ga0.8As/GaAs两种量子阱结构的器件的输出功率进行了理论模拟和比较分析。分别测试了上述两个列阵器件的脉冲峰值功率并利用由开启电压、阈值电流和串联电阻决定的p参数评估了列阵器件的输出性能。实验结果表明,当注入电流为110A时,发光面积为0.005cm2的In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.084×4VCSEL列阵获得了123 W的脉冲峰值功率,比具有相同发光面积的In0.2Ga0.8As/GaAs列阵器件的脉冲峰值功率大13%,前者相应的功率密度和斜率效率分别为45.42kW/cm2和1.11W/A。连续和脉冲工作下的p值分别为15和13,表明器件在两种工作条件下都具有相对较好的输出性能。得到的结果证明,包含3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱的4×4VCSEL列阵器件能够获得较高的功率输出。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器列阵 峰值功率 功率密度 InGaAs/GaAsP应变量子阱

在线阅读 下载PDF 职称材料

应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用 被引量：7

5

作者 俞波 盖红星 +6 位作者 韩军 邓军 邢艳辉 李建军 廉鹏 邹德恕 沈光地 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期81-84,共4页

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A... 使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件。 展开更多

关键词 光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积

在线阅读 下载PDF 职称材料

AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究 被引量：3

6

作者 盖红星 李建军 +5 位作者 韩军 邢艳辉 邓军 俞波 沈光地 陈建新 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期85-89,共5页

采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线... 采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益。进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势。 展开更多

关键词 光电子学 应变量子阱 光增益 AlInGaAs 半导体激光器

在线阅读 下载PDF 职称材料

不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱 被引量：3

7

作者 孔令民 蔡加法 +2 位作者 李明 吴正云 沈文忠 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期115-118,共4页

本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量．利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好．

关键词 表面光伏谱 应变量子阱 形变势模型 光电器件 砷化镓 铟

在线阅读 下载PDF 职称材料

InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用 被引量：2

8

作者 刘安平 韩伟峰 +1 位作者 黄茂 罗庆春 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1665-1667,共3页

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱... 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1 054 nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1 054 nm激光器的制备,取得了较好的结果。 展开更多

关键词 金属有机物 化学气相淀积 应变量子阱 半导体激光器

在线阅读 下载PDF 职称材料

调制掺杂压缩应变多量子阱激光器的增益特性和线宽增强因子的理论研究 被引量：1

9

作者 彭宇恒 陈松岩 +2 位作者 陈维友 赵铁民 刘式墉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期33-37,共5页

本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子阱激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准费米能级的移动以及微分增益谱的变化。然后，计算了线宽增强因子（α）与应变大小和掺杂浓度以及... 本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子阱激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准费米能级的移动以及微分增益谱的变化。然后，计算了线宽增强因子（α）与应变大小和掺杂浓度以及注入载流子浓度之间的关系，结果发现压缩应变和增大载流子注入虽然能够减小α因子，但很难使它的零点波长对应于增益区，而利用调制掺杂技术能有效地使α因子的零点对应于增益区。在增大压缩应变和载流子注入浓度的情况下可以明显减小为使α因子变为零所需要的调制掺杂浓度。 展开更多

关键词 压缩应变 应变多量子阱 调制掺杂 增益 激光器

在线阅读 下载PDF 职称材料

InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱 被引量：1

10

作者 吴正云 王小军 +1 位作者 余辛 黄启圣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期330-334,共5页

用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较．分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系．

关键词 光伏谱 应变量子阱 铟镓砷/砷化镓

在线阅读 下载PDF 职称材料

固定波长应变量子阱的设计与比较 被引量：2

11

作者 张哲民 黄德修 李同宁 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第12期1083-1086,共4页

针对ｌｎＧａＡｓＰ材料，我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大，阱宽越窄，其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大，以及其较大的态密度，使... 针对ｌｎＧａＡｓＰ材料，我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大，阱宽越窄，其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大，以及其较大的态密度，使得张应变量子阱的微分增益比压应变和匹配量子阱的大得多如果固定的张应变量只能使第一子带为ＬＨ，第二子带为ＨＨ，则存在一个最优的阱宽，阱宽太小不能消除ＬＨＩ与ＨＨ２的耦合，阱宽太大又会带来ＬＨ３与ＨＨ２的耦合。 展开更多

关键词 应变量子阱 增益系数 激光器 设计 垒层材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响 被引量：1

12

作者 贾国治 姚江宏 +3 位作者 刘国梁 柏天国 刘如彬 邢晓东 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期105-109,共5页

通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应... 通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高． 展开更多

关键词 光电子学 俄歇复合 应变量子阱 阈值电流密度 特征温度

在线阅读 下载PDF 职称材料

大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究 被引量：1

13

作者 潘教青 黄柏标 +4 位作者 张晓阳 任忠祥 秦晓燕 朱宝富 李先林 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期707-710,共4页

金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。

关键词 金属有机物化学气相沉积 生长中断 应变缓冲层 应变量子阱激光器 INGAAS/GAAS量子阱

在线阅读 下载PDF 职称材料

InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究 被引量：1

14

作者 孔令民 蔡加法 +3 位作者 林雪娇 杨克勤 吴正云 沈文忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期549-553,共5页

分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,... 分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子 声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。 展开更多

关键词 InGaAs/GaAs应变量子阱 光谱研究 时间分辨谱 光致发光谱 光伏谱 半导体材料 砷化镓 砷镓铟化合物 形态势模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性 被引量：1

15

作者 段子刚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1453-1455,共3页

采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1- y多量子阱材料 ,对应1.3μm波段 平均应变量 - 0 .16 % ,周期 11nm 采用三个周期外延材料的芯片制作的LD 。

关键词 SOA 偏振无关 TM模增益 混合应变量子阱

在线阅读 下载PDF 职称材料

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变量子阱光学性质

16

作者 李锋 张耀辉 +1 位作者 江德生 王佑祥 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期340-346,共7页

研究了用分子束外延方法生长在GaAs(100)衬底上的In_xGa_(1-x)As/GaAs(x=0.1)应变多量子阱样品,观察了其光荧光谱和光调制反射谱的光谱结构,讨论了有关基态光跃迁和激发态光跃迁性质.根据实验结果给出了能带偏移比值为Q_c=0.69(Q_v=1-Q_... 研究了用分子束外延方法生长在GaAs(100)衬底上的In_xGa_(1-x)As/GaAs(x=0.1)应变多量子阱样品,观察了其光荧光谱和光调制反射谱的光谱结构,讨论了有关基态光跃迁和激发态光跃迁性质.根据实验结果给出了能带偏移比值为Q_c=0.69(Q_v=1-Q_c=0.31),并提出有关轻空穴束缚于GaAs层而形成Ⅱ类超晶格的重要佐证. 展开更多

关键词 应变量子阱 能带偏移 砷化镓 光谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

热退火中应变量子阱的扩散激活能的研究

17

作者 王帅 刘如彬 +2 位作者 许军 孙强 孙彦铮 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期761-763,共3页

进行了可用于太阳电池的应变量子阱的退火性质研究,并对传统数据分析方法进行了改进,提出一种新的应变量子阱热退火扩散激活能的拟合方法,理论与实验结果吻合较好。

关键词 太阳电池 应变量子阱 热退火 扩散激活能

在线阅读 下载PDF 职称材料

InGaAs／GaAs和InGaAs／AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程

18

作者 金世荣 罗晋生 +5 位作者 褚君浩 徐仲英 袁之良 罗昌平 许继宗 郑宝真 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期237-240,共4页

利用时间分辨光谱技术，在１１～９０Ｋ温度范围研究了不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变层量子阱子带弛豫过程，讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用．

关键词 子带间弛豫 应变层量子阱 铟镓砷 激子

在线阅读 下载PDF 职称材料

双偏振双波长混合应变量子阱激光器 被引量：1

19

作者 张哲民 金锦炎 +2 位作者 黄格凡 李同宁 黄德修 《光通信研究》 北大核心 1998年第2期46-49,共4页

本文报道了以混合应变量子阱结构为有源区的激光器。对有源区分别采用体材料、匹配量子阱、压应变量子阱和混合应变量子阱结构的激光器进行了比较。混合应变量子阱激光器能同时工作于两种偏振模式，而且两种偏振模式的激射波长不同。结... 本文报道了以混合应变量子阱结构为有源区的激光器。对有源区分别采用体材料、匹配量子阱、压应变量子阱和混合应变量子阱结构的激光器进行了比较。混合应变量子阱激光器能同时工作于两种偏振模式，而且两种偏振模式的激射波长不同。结合实验结果，我们可以看出在混合应变量子阱结构中，从偏振自发辐射谱峰值波长差不能推断两种量子阱的能带填充效应大小。 展开更多

关键词 半导体激光器 应变量子阱 偏振

在线阅读 下载PDF 职称材料

MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响

20

作者 曾一平 孔梅影 +3 位作者 王晓亮 朱世荣 李灵霄 李晋闽 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第4期381-384,共4页

采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器... 采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外微分量子效率为０４ｍＷ／ｍＡ，激射波长为９７６±２ｎｍ，线性输出功率为１００ｍＷ。 展开更多

关键词 应变单量子阱 激光器 MBE生长 外延生长

在线阅读 下载PDF 职称材料