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题名非对称量子阱与系统的本征值和本征函数
被引量：3
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作者
但伟
邵明珠
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机构
重庆光电技术研究所
重庆交通大学
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第5期271-274,292,共5页
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文摘
利用薄膜生长技术,通过控制材料的厚度来调整阱宽,控制组分来调整阱深,得到了不同光电特性的超晶格半导体材料。为克服"方形"势阱过于简单和理想的缺点,引入非对称相互作用势来描述组分超晶格量子阱。在量子力学框架内,把电子的Schrodinger方程转化为超几何方程,用系统参数和超几何函数严格地求解了电子的本征值和本征函数,并以Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁。结果表明,阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关,适当调节参数可得到不同光电性能的超晶格量子阱。
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关键词
超晶格
量子阱(qw)
超几何方程
单粒子能级
本征值
本征函数
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Keywords
superlattice
quantum well （qw）
hypergeometric equatin
single particle level
eigenvalue
eigenfunction
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分类号
O471.5
[理学—半导体物理]
TN201
[电子电信—物理电子学]
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题名变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响
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作者
袁凤坡
王波
潘鹏
王静辉
唐景庭
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期224-228,共5页
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文摘
采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温度下的样品,得出了最优化的具有三角形量子阱结构外延片的生长条件。通过比较常规恒温量子阱结构和三角形量子阱结构外延片的光致发光光谱,发现TQW结构具有更窄的半峰宽和更高的发光强度。这主要是由于TQW改变了量子阱中的波函数分布,使电子空穴对的复合效率提高。外量子效率从传统的59.38%提高到60.75%,比传统的恒温量子阱提高了1.38%。
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关键词
氮化镓
量子阱(qw)
三角形量子阱(Tqw)
发光二极管(LED)
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
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Keywords
GaN
quantum well（qw）
triangular quantum well（Tqw）
light emitting diode（LED）
metal organic chemical vapor deposition（MOCVD）
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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