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中红外量子级联激光器偏振合束实验研究 被引量:4
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作者 王珂 蔡军 +2 位作者 丁宇 胡启立 张乐 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期173-177,共5页
合束是实现量子级联激光器高功率输出的关键技术,基于激光的偏振特性,研究了偏振合束的实验原理及实验方法。使用线栅偏振片和中波半波片组成偏振合束装置,对两路4.05μm量子级联激光器进行偏振合束,测试了中波半波片对4.05μm激光的透... 合束是实现量子级联激光器高功率输出的关键技术,基于激光的偏振特性,研究了偏振合束的实验原理及实验方法。使用线栅偏振片和中波半波片组成偏振合束装置,对两路4.05μm量子级联激光器进行偏振合束,测试了中波半波片对4.05μm激光的透过率以及中波线栅偏振片对4.05μm激光透射率和反射率与入射角的关系,通过实验研究,当透射路光束和反射路光束与线栅偏振片的夹角为30°时,透射路的透射率为81%,反射路反射率为91%,其光束合束效率达到约86%,并使用光束质量分析仪对合束之后的光束质量进行测试分析。结果表明:两路光束通过该合束装置合束之后,在保证合束效率的条件下,具有较好的光束质量。 展开更多
关键词 偏振合束 量子级联激光器 线栅偏振片 半波片
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新型的Si基量子线光波导及其对发展集成光学的意义
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作者 王兆宏 唐天同 陈时 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2006年第9期21-23,共3页
新型的Si基量子线光波导具有亚波长甚至纳米尺度的光限制能力,还可以实现小曲率半径的低损耗光传输,因此可以实现高密度集成和纳米集成,成为集成光学领域的研究热点。文章简要介绍Si基量子线光波导的结构和原理、独特优势及其在发展高... 新型的Si基量子线光波导具有亚波长甚至纳米尺度的光限制能力,还可以实现小曲率半径的低损耗光传输,因此可以实现高密度集成和纳米集成,成为集成光学领域的研究热点。文章简要介绍Si基量子线光波导的结构和原理、独特优势及其在发展高密度密集纳米集成光路上的应用,并预测了应用于未来集成光路中的新型导光波导的发展方向。 展开更多
关键词 集成光学 Si基量子线光波导 阵列波导光栅 喇曼激光器 光分插复用器
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纳米半导体量子器件评述 被引量:1
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作者 张汉三 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期26-30,共5页
在概述了半导体纳米微结构中的量子效应之后,简要评述了谐振隧道效应器件,量子线FET,单电子隧穿器件,电子波衍射晶体管,量子线和量子箱激光器。还讨论了对量子微结构的尺寸要求。
关键词 纳米半导体 量子线和量子箱激光器 量子器件 电子波衍射晶体管 超晶格 量子效应 谐振隧道器件 库仑阻塞 量子尺寸效应 谐振隧道效应
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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2003年第4期17-18,共2页
TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报... TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报.-2002,28(4).-423-425设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器。制得的未镀膜20 μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56 W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°。未镀膜4 μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5 nm。对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120~190 K。图5参6(李士范) 展开更多
关键词 半导体激光器 线阵二极管激光器 斜率效率 特性分析 应变量子激光器 远场发散角 特征温度 灾变性损伤 变温测试 信息与控制
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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2002年第1期28-31,共4页
TN248.4 2002010200大功率激光二极管的微片棱镜堆光束整形和光纤耦合输出=Micro - prism stack beam shapers for highpower laser diode arrays[刊,中]/石鹏,李小莉,张贵芬,郭明秀,陆雨田(中科院上海光机所,上海(201800))∥光学学报.... TN248.4 2002010200大功率激光二极管的微片棱镜堆光束整形和光纤耦合输出=Micro - prism stack beam shapers for highpower laser diode arrays[刊,中]/石鹏,李小莉,张贵芬,郭明秀,陆雨田(中科院上海光机所,上海(201800))∥光学学报.—2000,20(11). 展开更多
关键词 光纤光栅外腔半导体激光器 线阵二极管激光器 大功率激光二极管阵列 高功率半导体激光器 光子学 中科院 国家重点实验室 光束整形 量子阱半导体激光器 输出功率
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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2001年第2期21-24,共4页
TN248.4 2001020889超低阈值红色垂直腔面发射激光器=Ultralowthreshold red vertical-cavity surface-emittinglasers[刊,英]/程澎,高俊华,康学军,林世鸣,张光斌,刘世安,胡国新(中科院北京半导体所.北京(100083)//半导体学报.—2000,21... TN248.4 2001020889超低阈值红色垂直腔面发射激光器=Ultralowthreshold red vertical-cavity surface-emittinglasers[刊,英]/程澎,高俊华,康学军,林世鸣,张光斌,刘世安,胡国新(中科院北京半导体所.北京(100083)//半导体学报.—2000,21(1).-28-32Visible Vertical-cavity Surface-emitting Lasers(VCSELs)have been designed and fabricatd by usingmetalorganic vapor phase epitaxy.Using the 8λ opticalcavities with 3 quantum wells in 展开更多
关键词 半导体激光器线 半导体垂直腔面发射激光器 中科院 光纤光栅外腔半导体激光器 高功率半导体激光器 大功率半导体激光器 激光二极管线列阵 实验研究 量子激光器 精密仪器
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国家光电子工艺中心的纳米技术研究
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作者 葛璜 胡雄伟 王圩 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期81-82,87,共3页
国家光电子工艺中心的纳米技术研究葛璜,胡雄伟,王圩(国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所)0引言下一代光电子器件是量子效应光电子器件,这就需要控制良好的纳米加工技术。国家光电子工艺中心(NCOT)以研究下一代量... 国家光电子工艺中心的纳米技术研究葛璜,胡雄伟,王圩(国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所)0引言下一代光电子器件是量子效应光电子器件,这就需要控制良好的纳米加工技术。国家光电子工艺中心(NCOT)以研究下一代量子效应光电子器件为主要目标,开展了... 展开更多
关键词 纳米技术 电子工艺 光电子器件 超晶格材料 集成技术 量子 量子线 技术研究 分布反馈激光器 分子束外延
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