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GaAs半导体量子箱中电子的斯塔克效应
1
作者
王升
康云
+2 位作者
李贤丽
张秀龙
严晓波
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期1150-1156,共7页
在有效质量近似下,利用变分法研究了在GaAs半导体量子箱中电子能量的斯塔克效应.结论表明:电场平行于量子箱的中心轴时,斯塔克能移只与量子箱高度有关;电场垂直于中心轴时,斯塔克能移仅仅与它的截面尺寸有关.当电场方向与中心轴夹角为...
在有效质量近似下,利用变分法研究了在GaAs半导体量子箱中电子能量的斯塔克效应.结论表明:电场平行于量子箱的中心轴时,斯塔克能移只与量子箱高度有关;电场垂直于中心轴时,斯塔克能移仅仅与它的截面尺寸有关.当电场方向与中心轴夹角为任意角时,斯塔克能移与高度和截面都有关.同时在低场和高场极限下,理论上分析了电场大小和量箱尺寸对斯塔克能移的影响.
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关键词
斯塔克效应
量子箱
电场
变分法
量子
尺寸
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职称材料
题名
GaAs半导体量子箱中电子的斯塔克效应
1
作者
王升
康云
李贤丽
张秀龙
严晓波
机构
东北石油大学电子科学学院
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期1150-1156,共7页
基金
黑龙江省教育厅科学技术面上研究项目(11551023)
文摘
在有效质量近似下,利用变分法研究了在GaAs半导体量子箱中电子能量的斯塔克效应.结论表明:电场平行于量子箱的中心轴时,斯塔克能移只与量子箱高度有关;电场垂直于中心轴时,斯塔克能移仅仅与它的截面尺寸有关.当电场方向与中心轴夹角为任意角时,斯塔克能移与高度和截面都有关.同时在低场和高场极限下,理论上分析了电场大小和量箱尺寸对斯塔克能移的影响.
关键词
斯塔克效应
量子箱
电场
变分法
量子
尺寸
Keywords
stark effect, quantum boxes, electric field, variational method, quantum sizes
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs半导体量子箱中电子的斯塔克效应
王升
康云
李贤丽
张秀龙
严晓波
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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