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硅微电子技术物理极限的挑战
被引量：
7
1
作者
王阳元
韩汝琦
+1 位作者
刘晓彦
康晋锋
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第11期77-84,共8页
本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的...
本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的挑战进行了讨论其中起源于基本物理规律的基本物理极限是不可逾越的，而在实际发展过程中由于材料、结构。
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关键词
硅微
电子
技术
CMOS
物理极限
量子电子器件
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职称材料
题名
硅微电子技术物理极限的挑战
被引量：
7
1
作者
王阳元
韩汝琦
刘晓彦
康晋锋
机构
北京大学微电子研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第11期77-84,共8页
文摘
本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的挑战进行了讨论其中起源于基本物理规律的基本物理极限是不可逾越的，而在实际发展过程中由于材料、结构。
关键词
硅微
电子
技术
CMOS
物理极限
量子电子器件
Keywords
Silicon microelectronics, CMOS, Foundmental limits, Practical limilations. Quantumn
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅微电子技术物理极限的挑战
王阳元
韩汝琦
刘晓彦
康晋锋
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
7
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