期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
量子点红外探测器研究进展 被引量:2
1
作者 雷亚贵 于进 +2 位作者 张平雷 张冬燕 王戎瑞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期3-8,共6页
量子点红外光电探测器(QDIP)凭借自身的优点,未来很有可能与碲镉汞(HgCdTe)红外探测器、量子阱红外光电探测器(QWIP)和非制冷微测辐射热计相竞争。目前,普遍采用自组织方法生长量子点,研究主要集中在:①隧道量子点红外探测器(T-QDIP);... 量子点红外光电探测器(QDIP)凭借自身的优点,未来很有可能与碲镉汞(HgCdTe)红外探测器、量子阱红外光电探测器(QWIP)和非制冷微测辐射热计相竞争。目前,普遍采用自组织方法生长量子点,研究主要集中在:①隧道量子点红外探测器(T-QDIP);②量子阱中量子点(DWELL)红外探测器;③Si基QDIP;④Ge QDIP。本文阐述正在研究的几种QDIP,并对下一代传感器用QDIP进行预测。 展开更多
关键词 量子红外光电探测器 隧道量子点红外探测器 量子阱中量子 Ge QDIP
在线阅读 下载PDF
InGaAs/GaAs量子点红外探测器 被引量:1
2
作者 马文全 杨晓杰 +5 位作者 种明 苏艳梅 杨涛 陈良惠 邵军 吕翔 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第1期34-36,56,共4页
与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂... 与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。 展开更多
关键词 量子点红外探测器 垂直入射 分子束外延 光电流
在线阅读 下载PDF
量子点红外探测器的光电流和响应率(英文) 被引量:1
3
作者 刘红梅 王萍 石云龙 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期139-142,共4页
通过考虑光电导增益对探测器所加电压的依赖性改进了包含电子持续势能和总电子传输的光电流模型,并进一步将这个改进的模型用于估算探测器的响应率.相应的计算结果与公布的结果相比较,具有很好的一致性,证明了改进模型的正确性.
关键词 量子点红外探测器 光电流 响应率 光电导增益
在线阅读 下载PDF
量子点红外探测器及焦平面阵列的研究进展 被引量:1
4
作者 邓功荣 史衍丽 +1 位作者 余连杰 何雯瑾 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第2期70-74,共5页
量子点红外探测器(QDIP)理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势。目前,研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器(DWELL-QDIP)、隧穿量子点红外探测器(T-QDIP)、Si/Ge量子点红外... 量子点红外探测器(QDIP)理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势。目前,研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器(DWELL-QDIP)、隧穿量子点红外探测器(T-QDIP)、Si/Ge量子点红外探测器、二维小孔阵列红外探测器(2DHA-QDIP),国外报道了640×512量子点红外焦平面阵列的热成像,但现有的QDIP还未充分显现出其潜在优势。阐述了正在研究的几种QDIP和未来技术发展的趋势。 展开更多
关键词 量子点红外探测器(QDIP) 焦平面阵列 阱中QDIP 隧穿QDIP 二维小孔阵列QDIP
在线阅读 下载PDF
外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响 被引量:2
5
作者 金英姬 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期75-80,共6页
基于外加电场对电子漂移速度的影响,考虑激发能对微米尺度和纳米尺度电子传输的依赖,通过计算仿真研究了外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响.结果表明:在2545kV/cm外加电场下,噪声模型和实验数据吻合;噪声随着外加电... 基于外加电场对电子漂移速度的影响,考虑激发能对微米尺度和纳米尺度电子传输的依赖,通过计算仿真研究了外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响.结果表明:在2545kV/cm外加电场下,噪声模型和实验数据吻合;噪声随着外加电场和温度的增加而增加,当温度小于80K时噪声增加迅速,而当温度大于80K时噪声增加缓慢,并且温度越低噪声随外加电场变化越明显;噪声不随微米尺度电子传输激发能的变化而变化,随着纳米尺度电子传输激发能的增加而减小,随着纳米尺度电子传输激发能变化速度的增加而增加.该研究可为量子点红外探测器的优化设计和性能提高提供理论参考. 展开更多
关键词 量子点红外探测器 噪声 计算仿真 外加电场 温度 两种电子传输
在线阅读 下载PDF
外加条件对量子点红外探测器暗电流特性的影响 被引量:1
6
作者 白宏刚 金英姬 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期97-101,共5页
考虑微米尺度和纳米尺度下电子传输对激发能的共同影响,基于电子漂移速度对外加电场的依赖,研究外加电场和外加温度对量子点红外探测器暗电流特性的影响.结果表明:外加电场在0~25kV/cm范围内时,暗电流模型和实验数据变化相吻合.暗电流... 考虑微米尺度和纳米尺度下电子传输对激发能的共同影响,基于电子漂移速度对外加电场的依赖,研究外加电场和外加温度对量子点红外探测器暗电流特性的影响.结果表明:外加电场在0~25kV/cm范围内时,暗电流模型和实验数据变化相吻合.暗电流随着外加电场的增加而增加,并且当外加电场小于6kV/cm时暗电流增加迅速,而当外加电场大于6kV/cm时暗电流增加缓慢.暗电流随着外加温度的增加迅速增加.该研究为量子点红外探测器的优化设计和性能提高提供了理论参考. 展开更多
关键词 外加条件 量子点红外探测器 暗电流 电子传输 影响分析
在线阅读 下载PDF
以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究 被引量:2
7
作者 魏榕山 邓宁 +4 位作者 王民生 张爽 陈培毅 刘理天 张璟 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1771-1774,共4页
设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜... 设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍. 展开更多
关键词 增透膜 气态源分子束外延 量子 量子点红外探测器 暗电流密度 响应度
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部