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量子点红外探测器研究进展
被引量:
2
1
作者
雷亚贵
于进
+2 位作者
张平雷
张冬燕
王戎瑞
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期3-8,共6页
量子点红外光电探测器(QDIP)凭借自身的优点,未来很有可能与碲镉汞(HgCdTe)红外探测器、量子阱红外光电探测器(QWIP)和非制冷微测辐射热计相竞争。目前,普遍采用自组织方法生长量子点,研究主要集中在:①隧道量子点红外探测器(T-QDIP);...
量子点红外光电探测器(QDIP)凭借自身的优点,未来很有可能与碲镉汞(HgCdTe)红外探测器、量子阱红外光电探测器(QWIP)和非制冷微测辐射热计相竞争。目前,普遍采用自组织方法生长量子点,研究主要集中在:①隧道量子点红外探测器(T-QDIP);②量子阱中量子点(DWELL)红外探测器;③Si基QDIP;④Ge QDIP。本文阐述正在研究的几种QDIP,并对下一代传感器用QDIP进行预测。
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关键词
量子
点
红外
光电
探测器
隧道
量子点红外探测器
量子
阱中
量子
点
Ge
QDIP
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职称材料
InGaAs/GaAs量子点红外探测器
被引量:
1
2
作者
马文全
杨晓杰
+5 位作者
种明
苏艳梅
杨涛
陈良惠
邵军
吕翔
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008年第1期34-36,56,共4页
与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂...
与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。
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关键词
量子点红外探测器
垂直入射
分子束外延
光电流
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职称材料
量子点红外探测器的光电流和响应率(英文)
被引量:
1
3
作者
刘红梅
王萍
石云龙
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期139-142,共4页
通过考虑光电导增益对探测器所加电压的依赖性改进了包含电子持续势能和总电子传输的光电流模型,并进一步将这个改进的模型用于估算探测器的响应率.相应的计算结果与公布的结果相比较,具有很好的一致性,证明了改进模型的正确性.
关键词
量子点红外探测器
光电流
响应率
光电导增益
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职称材料
量子点红外探测器及焦平面阵列的研究进展
被引量:
1
4
作者
邓功荣
史衍丽
+1 位作者
余连杰
何雯瑾
《红外技术》
CSCD
北大核心
2011年第2期70-74,共5页
量子点红外探测器(QDIP)理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势。目前,研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器(DWELL-QDIP)、隧穿量子点红外探测器(T-QDIP)、Si/Ge量子点红外...
量子点红外探测器(QDIP)理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势。目前,研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器(DWELL-QDIP)、隧穿量子点红外探测器(T-QDIP)、Si/Ge量子点红外探测器、二维小孔阵列红外探测器(2DHA-QDIP),国外报道了640×512量子点红外焦平面阵列的热成像,但现有的QDIP还未充分显现出其潜在优势。阐述了正在研究的几种QDIP和未来技术发展的趋势。
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关键词
量子点红外探测器
(QDIP)
焦平面阵列
阱中
点
QDIP
隧穿QDIP
二维小孔阵列QDIP
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职称材料
外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响
被引量:
2
5
作者
金英姬
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期75-80,共6页
基于外加电场对电子漂移速度的影响,考虑激发能对微米尺度和纳米尺度电子传输的依赖,通过计算仿真研究了外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响.结果表明:在2545kV/cm外加电场下,噪声模型和实验数据吻合;噪声随着外加电...
基于外加电场对电子漂移速度的影响,考虑激发能对微米尺度和纳米尺度电子传输的依赖,通过计算仿真研究了外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响.结果表明:在2545kV/cm外加电场下,噪声模型和实验数据吻合;噪声随着外加电场和温度的增加而增加,当温度小于80K时噪声增加迅速,而当温度大于80K时噪声增加缓慢,并且温度越低噪声随外加电场变化越明显;噪声不随微米尺度电子传输激发能的变化而变化,随着纳米尺度电子传输激发能的增加而减小,随着纳米尺度电子传输激发能变化速度的增加而增加.该研究可为量子点红外探测器的优化设计和性能提高提供理论参考.
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关键词
量子点红外探测器
噪声
计算仿真
外加电场
温度
两种电子传输
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职称材料
外加条件对量子点红外探测器暗电流特性的影响
被引量:
1
6
作者
白宏刚
金英姬
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期97-101,共5页
考虑微米尺度和纳米尺度下电子传输对激发能的共同影响,基于电子漂移速度对外加电场的依赖,研究外加电场和外加温度对量子点红外探测器暗电流特性的影响.结果表明:外加电场在0~25kV/cm范围内时,暗电流模型和实验数据变化相吻合.暗电流...
考虑微米尺度和纳米尺度下电子传输对激发能的共同影响,基于电子漂移速度对外加电场的依赖,研究外加电场和外加温度对量子点红外探测器暗电流特性的影响.结果表明:外加电场在0~25kV/cm范围内时,暗电流模型和实验数据变化相吻合.暗电流随着外加电场的增加而增加,并且当外加电场小于6kV/cm时暗电流增加迅速,而当外加电场大于6kV/cm时暗电流增加缓慢.暗电流随着外加温度的增加迅速增加.该研究为量子点红外探测器的优化设计和性能提高提供了理论参考.
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关键词
外加条件
量子点红外探测器
暗电流
电子传输
影响分析
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职称材料
以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究
被引量:
2
7
作者
魏榕山
邓宁
+4 位作者
王民生
张爽
陈培毅
刘理天
张璟
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1771-1774,共4页
设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜...
设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍.
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关键词
增透膜
气态源分子束外延
量子
点
量子点红外探测器
暗电流密度
响应度
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职称材料
题名
量子点红外探测器研究进展
被引量:
2
1
作者
雷亚贵
于进
张平雷
张冬燕
王戎瑞
机构
华北光电技术研究所
国防科工局中心
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期3-8,共6页
文摘
量子点红外光电探测器(QDIP)凭借自身的优点,未来很有可能与碲镉汞(HgCdTe)红外探测器、量子阱红外光电探测器(QWIP)和非制冷微测辐射热计相竞争。目前,普遍采用自组织方法生长量子点,研究主要集中在:①隧道量子点红外探测器(T-QDIP);②量子阱中量子点(DWELL)红外探测器;③Si基QDIP;④Ge QDIP。本文阐述正在研究的几种QDIP,并对下一代传感器用QDIP进行预测。
关键词
量子
点
红外
光电
探测器
隧道
量子点红外探测器
量子
阱中
量子
点
Ge
QDIP
Keywords
QDIP
T-QDIP
DWELL
Ge QDIP
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
InGaAs/GaAs量子点红外探测器
被引量:
1
2
作者
马文全
杨晓杰
种明
苏艳梅
杨涛
陈良惠
邵军
吕翔
机构
中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008年第1期34-36,56,共4页
基金
航天三院科技创新基金资助项目(HT3Y83582005)
文摘
与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。
关键词
量子点红外探测器
垂直入射
分子束外延
光电流
Keywords
Quantum dot infrared photodetector
Normal incidence
Molecular beam epitaxy
Photocurrent
分类号
TN2 [电子电信—物理电子学]
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
量子点红外探测器的光电流和响应率(英文)
被引量:
1
3
作者
刘红梅
王萍
石云龙
机构
山西大同大学固体物理研究所
山西大同大学物理与电子科学学院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期139-142,共4页
基金
Supported by Launching Scientific Research Funds for Doctors(2012-B-04)
National Natural Science Foundation of China(61307121,11274207)
+1 种基金
Industry Research Prroject of Datong City(2015018)
Aeronautical Science Foundation of China(20122481002)
文摘
通过考虑光电导增益对探测器所加电压的依赖性改进了包含电子持续势能和总电子传输的光电流模型,并进一步将这个改进的模型用于估算探测器的响应率.相应的计算结果与公布的结果相比较,具有很好的一致性,证明了改进模型的正确性.
关键词
量子点红外探测器
光电流
响应率
光电导增益
Keywords
quantum dot infrared photodetectors(QDIP)
photocurrent
responsivity
photoconductive gain
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
量子点红外探测器及焦平面阵列的研究进展
被引量:
1
4
作者
邓功荣
史衍丽
余连杰
何雯瑾
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2011年第2期70-74,共5页
基金
国家973重大安全基础研究子课题
文摘
量子点红外探测器(QDIP)理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势。目前,研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器(DWELL-QDIP)、隧穿量子点红外探测器(T-QDIP)、Si/Ge量子点红外探测器、二维小孔阵列红外探测器(2DHA-QDIP),国外报道了640×512量子点红外焦平面阵列的热成像,但现有的QDIP还未充分显现出其潜在优势。阐述了正在研究的几种QDIP和未来技术发展的趋势。
关键词
量子点红外探测器
(QDIP)
焦平面阵列
阱中
点
QDIP
隧穿QDIP
二维小孔阵列QDIP
Keywords
QDIP, FPA, DWELL-QDIP, T-QDIP, 2DHA-QDIP
分类号
TN216 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响
被引量:
2
5
作者
金英姬
机构
西藏民族大学教育学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期75-80,共6页
基金
国家自然科学基金(No.11661073)
西藏自治区自然科学基金(No.2016ZR-15-19)
西藏民族大学青年学人培育计划项目(No.14myQP01)资助~~
文摘
基于外加电场对电子漂移速度的影响,考虑激发能对微米尺度和纳米尺度电子传输的依赖,通过计算仿真研究了外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响.结果表明:在2545kV/cm外加电场下,噪声模型和实验数据吻合;噪声随着外加电场和温度的增加而增加,当温度小于80K时噪声增加迅速,而当温度大于80K时噪声增加缓慢,并且温度越低噪声随外加电场变化越明显;噪声不随微米尺度电子传输激发能的变化而变化,随着纳米尺度电子传输激发能的增加而减小,随着纳米尺度电子传输激发能变化速度的增加而增加.该研究可为量子点红外探测器的优化设计和性能提高提供理论参考.
关键词
量子点红外探测器
噪声
计算仿真
外加电场
温度
两种电子传输
Keywords
Quantum dot infrared photodetectors
Noise
Calculation and simulation
Electric field
Temperature
Two electrons transport
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
外加条件对量子点红外探测器暗电流特性的影响
被引量:
1
6
作者
白宏刚
金英姬
机构
武警工程大学理学院
西藏民族大学教育学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期97-101,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61307121)
武警工程大学基础研究基金(No.WJY201405)
+2 种基金
武警工程大学军事理论研究课题(Nos.JLX201518
JLX201519)
西藏民族大学青年学人培育计划项目(No.14myQP01)资助~~
文摘
考虑微米尺度和纳米尺度下电子传输对激发能的共同影响,基于电子漂移速度对外加电场的依赖,研究外加电场和外加温度对量子点红外探测器暗电流特性的影响.结果表明:外加电场在0~25kV/cm范围内时,暗电流模型和实验数据变化相吻合.暗电流随着外加电场的增加而增加,并且当外加电场小于6kV/cm时暗电流增加迅速,而当外加电场大于6kV/cm时暗电流增加缓慢.暗电流随着外加温度的增加迅速增加.该研究为量子点红外探测器的优化设计和性能提高提供了理论参考.
关键词
外加条件
量子点红外探测器
暗电流
电子传输
影响分析
Keywords
Preset condition
Quantum dot infrared photodetectors
Dark current
Electrons transport
Influence analysis
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究
被引量:
2
7
作者
魏榕山
邓宁
王民生
张爽
陈培毅
刘理天
张璟
机构
清华大学微电子学研究所
英国帝国理工学院Blackett实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1771-1774,共4页
基金
国家自然科学基金重点基金资助(69836020)
教育部985基金资助(JZ2001010)
文摘
设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍.
关键词
增透膜
气态源分子束外延
量子
点
量子点红外探测器
暗电流密度
响应度
Keywords
Anti-reflection coating
GSMBg
quantum dot
quantum dot infrared photodetectors (QDIPs)
dark current density
photocurrent responsivity
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
量子点红外探测器研究进展
雷亚贵
于进
张平雷
张冬燕
王戎瑞
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
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职称材料
2
InGaAs/GaAs量子点红外探测器
马文全
杨晓杰
种明
苏艳梅
杨涛
陈良惠
邵军
吕翔
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
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职称材料
3
量子点红外探测器的光电流和响应率(英文)
刘红梅
王萍
石云龙
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
4
量子点红外探测器及焦平面阵列的研究进展
邓功荣
史衍丽
余连杰
何雯瑾
《红外技术》
CSCD
北大核心
2011
1
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职称材料
5
外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响
金英姬
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
2
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职称材料
6
外加条件对量子点红外探测器暗电流特性的影响
白宏刚
金英姬
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
7
以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究
魏榕山
邓宁
王民生
张爽
陈培毅
刘理天
张璟
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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职称材料
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引证文献
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