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以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性
被引量：
2
1
作者
范希武
单崇新
+4 位作者
羊亿
张吉英
申德振
吕有明
刘益春
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期9-14,i001-i002,共8页
用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效...
用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP MOCVD技术,以Volmer Weber(V W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。
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关键词
CDSE
量子
点
ZnCdSe
量子
点
ZnSeS
量子
点
量子点的形成
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职称材料
题名
以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性
被引量：
2
1
作者
范希武
单崇新
羊亿
张吉英
申德振
吕有明
刘益春
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期9-14,i001-i002,共8页
基金
国家自然科学重点基金(69896260)
国家自然科学基金(60278031
+4 种基金
60176003
60376009 )
中国科学院创新工程项目
中国科学院百人计划资助
中国科学院长春光机与物理所激发态物理重点实验室基金资助项目
文摘
用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP MOCVD技术,以Volmer Weber(V W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。
关键词
CDSE
量子
点
ZnCdSe
量子
点
ZnSeS
量子
点
量子点的形成
Keywords
CdSe quantum dots
ZnCdSe quantum dots
ZnSeS quantum dots
formation of quantum dots
分类号
O511.2 [理学—低温物理]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性
范希武
单崇新
羊亿
张吉英
申德振
吕有明
刘益春
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
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