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内含C_(60)掺杂空穴传输层的量子点电致发光器件
被引量：
1
1
作者
沈兴超
杨伯平
+3 位作者
张辉朝
于永亚
崔一平
张家雨
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期1273-1277,共5页
聚乙烯咔唑(PVK)中掺入富勒烯(C60)的重量比从0%到10%变化,以研究在空穴传输层中掺杂C60后对量子点电致发光器件性能的影响。掺入C60后的PVK薄膜在氧化铟锡(ITO)基底上均方根粗糙度从3 nm降至1.6 nm。另外,掺入C60后有利于空穴的注入和...
聚乙烯咔唑(PVK)中掺入富勒烯(C60)的重量比从0%到10%变化,以研究在空穴传输层中掺杂C60后对量子点电致发光器件性能的影响。掺入C60后的PVK薄膜在氧化铟锡(ITO)基底上均方根粗糙度从3 nm降至1.6 nm。另外,掺入C60后有利于空穴的注入和传输,改善器件中电子和空穴的平衡,提高了器件的效率。
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关键词
富勒烯
聚乙烯咔唑
量子点电致发光器件
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职称材料
CdZnSe/ZnSe/ZnSeS量子点材料的制备及其量子点电致发光器件性能研究
2
作者
黄桥灿
杨尊先
郭太良
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第8期658-664,共7页
量子点(QDs)材料由于其出色单色性,发光可调等优点,在电致器件方面得到了快速的发展。文章研究通过物理方法在QDs核生长的过程中用溶剂稀释单体的浓度,减少QDs核的生长时间,从而可在不改变化学成分比例的基础上改变QDs的发光波长。进一...
量子点(QDs)材料由于其出色单色性,发光可调等优点,在电致器件方面得到了快速的发展。文章研究通过物理方法在QDs核生长的过程中用溶剂稀释单体的浓度,减少QDs核的生长时间,从而可在不改变化学成分比例的基础上改变QDs的发光波长。进一步通过包覆ZnSe与ZnSeS壳层对发光波长进行调制,最终得到光致波长在540 nm的绿色QDs。通过对比实验以及LaMer模型解释了发生变色的原理。仅在核的生长阶段进行干涉才能控制QDs的发光峰位。同时发现提高QDs外壳的包覆温度对QDs的缺陷的减少有积极作用。随后将得到的QDs用于制备量子点电致发光器件,在8 V电压下得到了348993 Cd/m^(2)的亮度,以及32 Cd/A的电流效率。另外,该方法可以为其它类型的由热注入法制备的纳米材料制备提供新的思路。
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关键词
热注入法
CdZnSe/ZnSe/ZnSeS
量子
点
量子点电致发光器件
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职称材料
题名
内含C_(60)掺杂空穴传输层的量子点电致发光器件
被引量：
1
1
作者
沈兴超
杨伯平
张辉朝
于永亚
崔一平
张家雨
机构
东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期1273-1277,共5页
基金
江苏省科技支撑计划(工业部分)(No.BE2012163)资助项目
文摘
聚乙烯咔唑(PVK)中掺入富勒烯(C60)的重量比从0%到10%变化,以研究在空穴传输层中掺杂C60后对量子点电致发光器件性能的影响。掺入C60后的PVK薄膜在氧化铟锡(ITO)基底上均方根粗糙度从3 nm降至1.6 nm。另外,掺入C60后有利于空穴的注入和传输,改善器件中电子和空穴的平衡,提高了器件的效率。
关键词
富勒烯
聚乙烯咔唑
量子点电致发光器件
Keywords
fullerene
poly（9-vinylcarbazole）
quantum dot light-emitting device
分类号
O611.4 [理学—无机化学]
O433 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
CdZnSe/ZnSe/ZnSeS量子点材料的制备及其量子点电致发光器件性能研究
2
作者
黄桥灿
杨尊先
郭太良
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第8期658-664,共7页
基金
国家自然科学基金项目(61574039)
福建省自然基金项目(2022J01078)
国家科技部重点研发计划项目(2016YFB0401503,2016YFB0401305,2016YFB0401103)。
文摘
量子点(QDs)材料由于其出色单色性,发光可调等优点,在电致器件方面得到了快速的发展。文章研究通过物理方法在QDs核生长的过程中用溶剂稀释单体的浓度,减少QDs核的生长时间,从而可在不改变化学成分比例的基础上改变QDs的发光波长。进一步通过包覆ZnSe与ZnSeS壳层对发光波长进行调制,最终得到光致波长在540 nm的绿色QDs。通过对比实验以及LaMer模型解释了发生变色的原理。仅在核的生长阶段进行干涉才能控制QDs的发光峰位。同时发现提高QDs外壳的包覆温度对QDs的缺陷的减少有积极作用。随后将得到的QDs用于制备量子点电致发光器件,在8 V电压下得到了348993 Cd/m^(2)的亮度,以及32 Cd/A的电流效率。另外,该方法可以为其它类型的由热注入法制备的纳米材料制备提供新的思路。
关键词
热注入法
CdZnSe/ZnSe/ZnSeS
量子
点
量子点电致发光器件
Keywords
Thermal injection method
CdZnSe/ZnSe/ZnSeS quantum dots
Quantum dot electroluminescent devices
分类号
TN27 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
内含C_(60)掺杂空穴传输层的量子点电致发光器件
沈兴超
杨伯平
张辉朝
于永亚
崔一平
张家雨
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CdZnSe/ZnSe/ZnSeS量子点材料的制备及其量子点电致发光器件性能研究
黄桥灿
杨尊先
郭太良
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
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