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基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器被引量：1: 1; 作者王洪培王旭 +3 位作者王顺刘健蒋成张子旸《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期456-460,473,共6页; 锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用。由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力。然而,生长发光中心波长(λ)为1... 展开更多; 关键词被动锁模光纤激光器 InAs/GaAs量子点(QD) 量子点半导体可饱和吸收镜(qd-sesam) SiO_(2) 环形腔; 在线阅读下载PDF 职称材料

1550nm InAs/GaAs量子点调Q光纤激光器被引量：1: 2; 作者秦亮王旭 +3 位作者刘健蒋成陈红梅张子旸《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期133-137,168,共6页; 调Q光纤激光器在光纤传感、激光雷达、激光加工和光纤通信等众多方面有着广泛的应用。半导体量子点(QD)由于具有较高的损伤阈值和宽光谱特性,是一种优良的可饱和吸收体(SA),但是目前制备发光中心波长为1550 nm的QD SA依然是一个巨大的... 展开更多; 关键词 INAS/GAAS量子点被动调Q光纤激光器近红外(NIR) 量子点半导体可饱和吸收镜(qd-sesam) 直线腔; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型材料InGaNAs的生长与应用前景被引量：1: 3; 作者王勇刚马骁宇 +1 位作者韦欣文芳《红外》 CAS 2003年第10期17-20,共4页; 详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。; 关键词 InGaNAs 半导体材料生长特点晶格匹配应用前景砷氮镓铟化合物长波长量子阱激光器长波长垂直腔面发射激光器半导体可饱和吸收镜长波长谐振腔增强探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料