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基于量子点半导体光放大器的全光逻辑或门研究 被引量:2
1
作者 余建兴 潘炜 +3 位作者 罗斌 闫连山 郑狄 项水英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期590-595,共6页
利用量子点半导体光放大器的超快增益恢复特性和交叉增益调制效应,建立了基于量子点半导体光放大器的对称型马赫-曾德尔干涉仪模型,数值实现了对160Gb/s归零码信号的全光逻辑或门运算,并分析了多种系统参数对输出性能的影响。结果表明:... 利用量子点半导体光放大器的超快增益恢复特性和交叉增益调制效应,建立了基于量子点半导体光放大器的对称型马赫-曾德尔干涉仪模型,数值实现了对160Gb/s归零码信号的全光逻辑或门运算,并分析了多种系统参数对输出性能的影响。结果表明:一方面,增大注入电流、有源区长度和输入信号光功率均可以提高或门输出信号的Q因子;另一方面,载流子从润湿层到激发态的弛豫时间变短以及较小的线宽增强因子和限制因子也有利于获得较高的Q因子。此外,存在一个最佳的输入信号脉冲宽度使得Q因子的值最大。因此,通过合理优化这些参数值可以大大提高逻辑或门的性能。 展开更多
关键词 量子点半导体光放大器 马赫-曾德尔干涉仪 交叉增益调制 或门
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量子点半导体光放大器波长转换的Q因子特性 被引量:1
2
作者 李雯 王海龙 +2 位作者 崔乐乐 张国 龚谦 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期346-352,共7页
为了改善全光波长转换器的转换性能进而提高输出信号质量,研究了波长转换器的Q因子特性。采用牛顿迭代法和四阶龙格库塔法解光场传输方程和跃迁速率方程,分析了输入信号光功率、脉冲宽度、最大模式增益和有源区长度4个因素对全光波长转... 为了改善全光波长转换器的转换性能进而提高输出信号质量,研究了波长转换器的Q因子特性。采用牛顿迭代法和四阶龙格库塔法解光场传输方程和跃迁速率方程,分析了输入信号光功率、脉冲宽度、最大模式增益和有源区长度4个因素对全光波长转换器的Q因子特性的影响,并将得到的结果与相同条件下的输出消光比比较。结果表明:增大输入信号光功率,Q因子先增大后减小,并且在-12 d Bm时取得最大值8.819 d B;Q因子随着脉冲宽度的增加而不断下降;增大最大模式增益和有源区长度,Q因子增大。在实现波长转换的基础上,优化各参数数值,得到的Q因子达到16.680 d B,输出信号质量较好。要同时获得高的消光比和Q因子,提高输出信号的质量,必须选取适当的输入信号光功率、脉冲宽度、最大模式增益和有源区长度。 展开更多
关键词 量子点半导体光放大器 波长转换 交叉相位调制 Q因子
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量子阱半导体光放大器的增益偏振相关性研究 被引量:1
3
作者 黄黎蓉 黄德修 刘德明 《光通信研究》 北大核心 2006年第4期68-70,共3页
应用能带计算理论,研究了张应变量大小、量子阱厚度对量子阱半导体光放大器(SOA)中的增益偏振相关性的影响。采用张应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.55μm的SOA,它可以在较宽的载流子浓度范围、较宽的光波长范围内满足增益对... 应用能带计算理论,研究了张应变量大小、量子阱厚度对量子阱半导体光放大器(SOA)中的增益偏振相关性的影响。采用张应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.55μm的SOA,它可以在较宽的载流子浓度范围、较宽的光波长范围内满足增益对偏振的不灵敏要求。另外,还采用混合应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.31μm的SOA。 展开更多
关键词 半导体放大器 增益 量子 应变
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2 μm超宽带PbS量子点光纤放大器
4
作者 杨南 王德恩 +2 位作者 万思宇 汪宸希 孙晓岚 《光通信技术》 北大核心 2024年第4期68-72,共5页
为了解决目前光纤放大器增益带宽较窄且结构复杂的问题,制备了一种2μm超宽带PbS量子点光纤放大器。首先,通过有机金属法制备出平均直径约为9.2 nm的PbS量子点,并采用光沉积法将其沉积在光纤锥区表面。然后,采用泵浦光源激发涂覆在光纤... 为了解决目前光纤放大器增益带宽较窄且结构复杂的问题,制备了一种2μm超宽带PbS量子点光纤放大器。首先,通过有机金属法制备出平均直径约为9.2 nm的PbS量子点,并采用光沉积法将其沉积在光纤锥区表面。然后,采用泵浦光源激发涂覆在光纤锥形区域的Pb S量子点,使其在2μm波段释放出与信号光波长一样的光子,从而实现光信号的放大。测试结果表明,光纤放大器在1 900~2 100 nm波段可获得10.1 dB增益,增益带宽约为200 nm。 展开更多
关键词 2μm 有机金属法 沉积法 PbS量子 放大器
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InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究
5
作者 殷景志 杜国同 +3 位作者 龙北红 杨树人 许武 宣丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期116-119,共4页
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80~ 12... 为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80~ 12 5mA电流范围内 ,获得了偏振灵敏度≤ 0 .6dB ,最小可达 0 .1dB ;较大的电流范围内FWHM值为 4 0nm。 展开更多
关键词 半导体放大器 磷化铟 应变补偿结构 晶格匹配 偏振灵敏度 量子阱结构
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半导体光放大器 被引量:1
6
作者 贾正根 《半导体情报》 2000年第3期45-47,51,共4页
详细介绍了半导体光放大器的结构和制造技术。重点介绍了点尺寸变换器和矩阵光开关模块。
关键词 尺寸变换器 半导体放大器 矩阵开关
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半导体量子点集成有机发光二极管的光光转换器进展 被引量:4
7
作者 杨宇 靳映霞 +3 位作者 王登科 杨杰 王茺 吕正红 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第10期599-606,649,共9页
介绍的光光转换器是新型红外光-可见光转换器件,红外光产生的光生载流子直接注入有机发光二极管产生可见光。以半导体红外探测与有机发光器件单片集成的光光转换器,直接实现了红外光到可见光的集成转换,在红外凝视技术中有极大的应用潜... 介绍的光光转换器是新型红外光-可见光转换器件,红外光产生的光生载流子直接注入有机发光二极管产生可见光。以半导体红外探测与有机发光器件单片集成的光光转换器,直接实现了红外光到可见光的集成转换,在红外凝视技术中有极大的应用潜力。综述了无机红外探测与有机发光的光-光转换器的研究进展。 展开更多
关键词 半导体量子 有机发二极管 -转换器
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半导体量子点的尺寸分布对其荧光的影响 被引量:2
8
作者 陈效双 刘兴权 +1 位作者 陆卫 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期81-85,共5页
基于量子局域模型,用类似Kane平均场方法和Lifshitz几率观点获得半导体量子点体系的光荧光谱.对直径为d的半导体量子点尺寸用对数高斯或高斯分布描述,研究表明:光荧光谱的线型在短波边不对称,与实验观测一致;尺寸服... 基于量子局域模型,用类似Kane平均场方法和Lifshitz几率观点获得半导体量子点体系的光荧光谱.对直径为d的半导体量子点尺寸用对数高斯或高斯分布描述,研究表明:光荧光谱的线型在短波边不对称,与实验观测一致;尺寸服从一定的分布导致光荧光峰红移,可用于获得表观激子束缚能; 展开更多
关键词 半导体量子 尺寸分布
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基于量子点光放大器波长转换的啁啾特性研究 被引量:11
9
作者 陈廷廷 王海龙 +1 位作者 刘松 龚谦 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期292-295,共4页
信号光的啁啾特性在很大程度上会影响量子点半导体光放大器(QD-SOA)的性能,引起传输信号的走离效应,使误比特率增高。为了改善这一特性,对QD-SOA全光波长转换器的啁啾特性进行了系统分析,基于QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原... 信号光的啁啾特性在很大程度上会影响量子点半导体光放大器(QD-SOA)的性能,引起传输信号的走离效应,使误比特率增高。为了改善这一特性,对QD-SOA全光波长转换器的啁啾特性进行了系统分析,基于QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原理,采用牛顿法和4阶龙格-库塔法求解速率方程和光场传输方程,计算了注入电流、抽运光脉宽和抽运光消光比变化时QD-SOA全光波长转换器输出变换光的啁啾值。结果表明,增大抽运光脉宽、减小注入电流和抽运光消光比均可减小变换光的啁啾值,通过优化这些参量可以减小啁啾的影响,但在设计QD-SOA全光波长转换器时,要考虑抽运光消光比和变换光啁啾之间的均衡。 展开更多
关键词 通信 量子放大器 啁啾 交叉增益调制
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量子点太阳电池中半导体氧化膜与敏化剂结构调控研究进展 被引量:1
10
作者 章晨光 范润洲 +1 位作者 尹细明 熊艳 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期38-41,共4页
新一代太阳电池——量子点敏化太阳电池(QDSSC)由于具有吸收广、多激子和高稳定等独特优势近年来已得到初步发展。从量子点敏化太阳电池的原理入手综述了QDSSC中光阳极半导体氧化膜、量子点敏化剂的种类及两者间的结构调控、量子点制备... 新一代太阳电池——量子点敏化太阳电池(QDSSC)由于具有吸收广、多激子和高稳定等独特优势近年来已得到初步发展。从量子点敏化太阳电池的原理入手综述了QDSSC中光阳极半导体氧化膜、量子点敏化剂的种类及两者间的结构调控、量子点制备方法这三大模块的研究进展,从原理上对光阳极半导体氧化膜、敏化剂的性能进行了简要合理的解释,并结合现存的问题提出了今后的发展方向。 展开更多
关键词 量子敏化太阳电池 阳极 半导体氧化膜 敏化剂
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反胶束法合成Cd_(1-x)Mn_xS量子点及其发光性能研究 被引量:4
11
作者 庞起 郭必成 +4 位作者 王建农 杨世和 王玉琦 葛惟昆 龚孟濂 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1593-1596,共4页
应用反胶束法制备了稀磁半导体 Cd1 - x Mnx S量子点 .量子点的大小可通过改变ωo 值 ( wo=[水 ]/ [表面活性剂 ])来控制 .高分辨透射电镜的分析结果表明 ,量子点呈单分散性 ,是几乎没有缺陷的单晶体 .量子点的大小约为 4.8~ 6nm,随 wo... 应用反胶束法制备了稀磁半导体 Cd1 - x Mnx S量子点 .量子点的大小可通过改变ωo 值 ( wo=[水 ]/ [表面活性剂 ])来控制 .高分辨透射电镜的分析结果表明 ,量子点呈单分散性 ,是几乎没有缺陷的单晶体 .量子点的大小约为 4.8~ 6nm,随 wo 值增大而增大 .电子能谱 ( EDS)测定结果表明 ,Mn2 +离子在量子点中的摩尔分数为 1 .5 % .由电子自旋共振 ( ESR)分析确定一部分 Mn2 + 离子取代 Cd2 + 离子位置而位于晶格 ,另一部分 Mn2 +离子位于 Cd1 - x Mnx S的表面或间隙位置 .吸收光谱显示 ,随着量子点变小 ,吸收带边发生蓝移 ,显示明显的量子尺寸效应 .光致荧光光谱分析表明 ,发光峰属于 Mn2 + 的 4 T1 -6 A1 跃迁 ,而且随着ωo 和粒径的增大 ,发光峰从 2 .2 6,2 .1 0 ,2 .0 5 e V红移到 1 .88e V;其发光峰偏离 2 .1 2 e V,主要是由于 Mn2 + 离子位于扭曲的四面体晶体场所致 . 展开更多
关键词 量子 稀磁半导体 Cd1-xMnxS 反胶束 致荧
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InGaAs量子点激光器光增益的温度特性 被引量:2
12
作者 宁永强 刘云 +1 位作者 王立军 高欣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期285-288,共4页
研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性 ,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比 .发现In GaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性 .同时发现随着温度升高 ,在 14 0~ 2 0 0K温度范围内 ,InGaAs量子点增益峰值首先增大 ,当温度超... 研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性 ,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比 .发现In GaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性 .同时发现随着温度升高 ,在 14 0~ 2 0 0K温度范围内 ,InGaAs量子点增益峰值首先增大 ,当温度超过 2 0 0K后开始减小 .对这种增益特性的产生机制进行了分析 .增益曲线峰值波长随温度升高单调地向长波长方向移动 。 展开更多
关键词 INGAAS 量子 增益 温度特性 半导体材料 砷镓铟化合物
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量子点光电子器件及其研究进展
13
作者 彭英才 ZHAO Xinwei 马蕾 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期235-240,共6页
作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的最新进展... 作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的最新进展,并对存在的问题进行了分析和讨论。最后,提出了进一步改善器件性能的几种可能途径。 展开更多
关键词 能带工程 半导体量子 电子器件 电子产业
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量子点激光器研究进展综述 被引量:7
14
作者 王建 邢达 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期129-134,共6页
本文综述了量子点激光器的研究进展。介绍了量子点激光器的结构原理、生长及其优化;对量子点激光器光电特性从实验和建立模型进行描述;给出以速率方程描述的量子点激光器的动态特性如光增益均匀展宽、激射光谱控制、激发态迁移等;最后... 本文综述了量子点激光器的研究进展。介绍了量子点激光器的结构原理、生长及其优化;对量子点激光器光电特性从实验和建立模型进行描述;给出以速率方程描述的量子点激光器的动态特性如光增益均匀展宽、激射光谱控制、激发态迁移等;最后展望了量子点激光器的研究方向。 展开更多
关键词 量子 半导体 增益 激射 速率方程
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量子点敏化太阳能电池光阳极优化的研究进展 被引量:4
15
作者 杨丽萍 王小平 +2 位作者 王丽军 张鹏飞 张庆远 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期316-323,281,共9页
量子点敏化太阳能电池因制备简易,生产成本低且理论光电转换效率高而受到广泛关注,至今效率已突破11%。光阳极作为其中重要的组成部分之一,其结构的优化可有效改善电池性能。本文介绍了量子点敏化太阳能电池的基本组成和工作原理,重点... 量子点敏化太阳能电池因制备简易,生产成本低且理论光电转换效率高而受到广泛关注,至今效率已突破11%。光阳极作为其中重要的组成部分之一,其结构的优化可有效改善电池性能。本文介绍了量子点敏化太阳能电池的基本组成和工作原理,重点综述了有序结构、复合结构以及利用掺杂、表面处理等方法优化光阳极的最新研究进展。结合目前研究成果和存在问题对光阳极进一步优化的途径进行了展望。 展开更多
关键词 阳极 量子敏化太阳能电池 半导体氧化物
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量子点敏化太阳电池中光阳极结构优化的研究进展 被引量:2
16
作者 梅兴安 万翔宇 +1 位作者 熊艳 程庆华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第23期22-27,共6页
量子点敏化太阳电池(QDSSC)因具有高理论能量转换效率和低生产成本而受到研究者的广泛关注。简述了QDSSC的基本结构和工作原理,详细评述了基于半导体氧化物薄膜特别是TiO2和ZnO光阳极结构优化的QDSSC的研究进展,并结合目前QDSSC阳极结... 量子点敏化太阳电池(QDSSC)因具有高理论能量转换效率和低生产成本而受到研究者的广泛关注。简述了QDSSC的基本结构和工作原理,详细评述了基于半导体氧化物薄膜特别是TiO2和ZnO光阳极结构优化的QDSSC的研究进展,并结合目前QDSSC阳极结构研究中遇到的问题对今后基于光阳极优化的QDSSC发展进行了展望。 展开更多
关键词 量子敏化太阳电池 阳极 半导体氧化物 共敏化
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化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状
17
作者 马志华 柴跃生 +1 位作者 孙钢 张敏刚 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期71-74,共4页
半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共... 半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共溅射法的基本原理及技术特点作了概要介绍。从镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态入手,分类评述了化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜近年来的研究状况,指出了这类复合薄膜的研究重点和发展方向。 展开更多
关键词 纳米复合薄膜 共溅射法 非线性学性质 SIO2 三阶学非线性 介质 量子 化合物半导体 开关 功耗
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量子点光跃迁性质的研究 被引量:1
18
作者 赵国忠 吕俊峰 《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 2000年第2期85-88,共4页
针对半导体量子点中电子的光跃迁性质进行了研究 ,建立起盘形量子点模型 ,具体分析了该模型的电子结构和电子态 .讨论了光场作用下 ,量子点中电子的跃迁几率、跃迁频率、选择定则和能级结构 ,并给出了吸收系数α的解析表达式和相应的吸... 针对半导体量子点中电子的光跃迁性质进行了研究 ,建立起盘形量子点模型 ,具体分析了该模型的电子结构和电子态 .讨论了光场作用下 ,量子点中电子的跃迁几率、跃迁频率、选择定则和能级结构 ,并给出了吸收系数α的解析表达式和相应的吸收曲线 .最后 ,还讨论了量子点光跃迁性质对尺寸的依赖性以及此模型的一维、二维过渡 .结果表明 ,当束缚增强 ,能级随半径变小而增高 ,能级差变大 ;而且 ,吸收峰随尺寸减小向短波方向移动 。 展开更多
关键词 量子 电子态 跃迁性质 半导体 理论模型
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全光逻辑异或门相位差特性研究 被引量:2
19
作者 胡永倩 王海龙 +2 位作者 张书玉 密术超 龚谦 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期659-665,共7页
为了改善全光逻辑门的相位差特性,对全光逻辑异或门的相位差进行了研究。采用细化分段模型对量子点半导体光放大器的动态过程进行建模,利用牛顿法和4阶龙格-库塔法求解三能级跃迁速率方程以及光场传输方程,实现了基于量子点半导体光放... 为了改善全光逻辑门的相位差特性,对全光逻辑异或门的相位差进行了研究。采用细化分段模型对量子点半导体光放大器的动态过程进行建模,利用牛顿法和4阶龙格-库塔法求解三能级跃迁速率方程以及光场传输方程,实现了基于量子点半导体光放大器马赫-曾德尔干涉仪结构的全光逻辑异或门;研究了有源区长度、最大模式增益、输入抽运光功率以及输入抽运光脉冲宽度对通过干涉仪两臂探测光相位差的影响,同时讨论了探测光的相位差与输出光功率的关系。结果表明,增大有源区长度、最大模式增益以及输入抽运光功率,均能使探测光相位差增大;随着抽运光脉冲宽度增大,探测光相位差先增大而后趋于平缓,之后不断减小;有源区长度为2.0mm、最大模式增益为3000m-1、输入抽运光功率为5d Bm、抽运光脉冲宽度为1.0ps时,最大相位差增加至0.3277π;随着探测光相位差增大,输出光功率增大;通过优化参量可以增大探测光的相位差,而输出光功率会随着探测光相位差的增大而增大。该研究为提高转换信号质量提供了参考。 展开更多
关键词 通信 量子点半导体光放大器 异或门 相位差 输出功率
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现代光电子的发展现状、特征和趋势 被引量:5
20
作者 康志龙 辛国锋 +1 位作者 陈国鹰 谢红云 《河北工业大学学报》 CAS 2005年第5期1-7,共7页
系统地介绍了光电子基础理论研究、光电子器件的特征、应用现状以及发展趋势.详细地介绍了几种半导体激光器、Si基光电器件与光电集成芯片的发展现状和趋势.
关键词 电子器件 半导体 量子 量子线 量子
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