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题名量子束缚态问题的初值解法
被引量：3
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作者
董键
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机构
曲阜师范大学物理工程学院
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出处
《大学物理》
北大核心
2013年第11期4-7,25,共5页
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文摘
通过研究一维量子束缚态的初值解法,导出了一个引理和相关的推论,导出了在经典禁区确定初始条件的计算,进而用"打靶法"简洁直观地确定能量本征值和本征函数.该方法可以推广到求解多维空间径向波动方程.
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关键词
量子束缚态
初值解法
打靶法
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Keywords
quantum bound states
initial value solution
shooting method
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分类号
O562.1
[理学—原子与分子物理]
O413.1
[理学—理论物理]
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题名InSb纳米结构材料与器件进展与展望
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作者
郝秋来
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期1069-1074,共6页
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基金
中国国家留学基金委员会资助
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文摘
锑化铟（indium antimonide,熔点～525℃）是一种窄禁带半导体。由于其高的电子迁移率、小的有效质量及在极性III-V族材料中有最大的g因子,因而在高速器件、磁阻器件等方面具有潜在的电子学应用价值,而且已被广泛用于磁敏器件、红外探测器等。由于具有较大的波尔半径（60 nm）,使得InSb纳米结构成为具有吸引力的进行量子效应研究的半导体。因为这些特性,已有一些关于InSb纳米结构生长的报道。本文描述了近期InSb纳米结构生长的情况。透射电子显微镜等形貌像显示纳米结构为纳米晶体或纳米线,器件制备和性能测试显示其下一步的应用能力。
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关键词
锑化铟
Ⅲ-V族化合物
纳米材料
纳米器件
量子束缚
禁带宽度
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Keywords
InSb
III-V group compound
nanomaterials
nanodevice
quantum confine
bandgap
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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