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PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究
被引量：
1
1
作者
易扬波
孙伟锋
+2 位作者
孙智林
陈畅
陆生礼
《应用科学学报》
CAS
CSCD
2004年第2期162-166,共5页
提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高...
提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.
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关键词
功率集成电路
功率器件
半导体工艺
PDP扫描驱动芯片
MOSFET
量刻蚀
等离子平板显示器
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职称材料
题名
PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究
被引量：
1
1
作者
易扬波
孙伟锋
孙智林
陈畅
陆生礼
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
2004年第2期162-166,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2002AA1Z1550)
文摘
提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.
关键词
功率集成电路
功率器件
半导体工艺
PDP扫描驱动芯片
MOSFET
量刻蚀
等离子平板显示器
Keywords
power IC
power device
semiconductor process
分类号
TN873.94 [电子电信—信息与通信工程]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究
易扬波
孙伟锋
孙智林
陈畅
陆生礼
《应用科学学报》
CAS
CSCD
2004
1
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