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X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算
被引量：
1
1
作者
牟维兵
陈盘训
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期208-210,共3页
当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽
关键词
X射线
界面
辐射损伤
剂量增强系数
重金属-硅
大规模集成电路
CMOS
MCNP
Monte
-
Carlo程序
在线阅读
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职称材料
题名
X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算
被引量：
1
1
作者
牟维兵
陈盘训
机构
中国工程物理研究院核物理与化学研究所
中国工程物理研究院应用电子学研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期208-210,共3页
文摘
当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽
关键词
X射线
界面
辐射损伤
剂量增强系数
重金属-硅
大规模集成电路
CMOS
MCNP
Monte
-
Carlo程序
Keywords
X ray
interface
radiation impairment
dose enhancement
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
O434.14 [机械工程—光学工程]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算
牟维兵
陈盘训
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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