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DICE加固结构触发器的重离子实验研究
被引量：
1
1
作者
张筱颖
田海燕
于宗光
《电子器件》
CAS
北大核心
2013年第5期594-599,共6页
基于0.18μm工艺平台,对双互锁存储单元DICE(Double Interlocked Storage Cell)结构的触发器电路进行重粒子试验,验证单粒子效应SEE(Single Event Effect)中的单粒子翻转SEU(Single Event Upset)对体硅CMOS工艺器件及电路的影响。对比...
基于0.18μm工艺平台,对双互锁存储单元DICE(Double Interlocked Storage Cell)结构的触发器电路进行重粒子试验,验证单粒子效应SEE(Single Event Effect)中的单粒子翻转SEU(Single Event Upset)对体硅CMOS工艺器件及电路的影响。对比分析不同频率、不同驱动能力、不同版图结构和不同电压这4种情况下的辐照数据,结果表明:当合理考虑DICE触发器的工作频率、工作电压、版图面积、结点驱动等因素时,电路的翻转次数可降为13次,翻转阈值达到33 MeV·cm2/mg。
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关键词
抗辐照电路设计
DICE触发器
重粒子实验
单
粒子
效应
单
粒子
翻转
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职称材料
题名
DICE加固结构触发器的重离子实验研究
被引量：
1
1
作者
张筱颖
田海燕
于宗光
机构
江南大学物联网工程学院
中国电子科技集团公司
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2013年第5期594-599,共6页
基金
江苏省333工程科研项目(BRA2011115)
文摘
基于0.18μm工艺平台,对双互锁存储单元DICE(Double Interlocked Storage Cell)结构的触发器电路进行重粒子试验,验证单粒子效应SEE(Single Event Effect)中的单粒子翻转SEU(Single Event Upset)对体硅CMOS工艺器件及电路的影响。对比分析不同频率、不同驱动能力、不同版图结构和不同电压这4种情况下的辐照数据,结果表明:当合理考虑DICE触发器的工作频率、工作电压、版图面积、结点驱动等因素时,电路的翻转次数可降为13次,翻转阈值达到33 MeV·cm2/mg。
关键词
抗辐照电路设计
DICE触发器
重粒子实验
单
粒子
效应
单
粒子
翻转
Keywords
radiation hardened circuit design
double interlocked storage cell flip-flop
heavy ion experiment
single event effect
single event upset
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
DICE加固结构触发器的重离子实验研究
张筱颖
田海燕
于宗光
《电子器件》
CAS
北大核心
2013
1
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