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题名Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究
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作者
朱宝
李连杰
丁士进
张卫
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机构
复旦大学微电子研究院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期693-697,共5页
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基金
国家自然科学基金(61076076)
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文摘
首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列。接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性。结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞;当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少;当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少。通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽。最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论。
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关键词
重掺杂p型单晶硅
pt纳米颗粒
快速热退火
辅助化学刻蚀
氢氟酸浓度
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Keywords
heavily doped p-type monocrystalline silicon
pt nanoparticle
rapid thermal annealing
assisted chemical etching
HF concentration
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分类号
TN405.983
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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