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高深宽比的TSV制作与填充技术
被引量：
4
1
作者
余成昇
许高斌
+2 位作者
陈兴
马渊明
展明浩
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期93-97,共5页
硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD...
硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD工艺在通孔内沉积的重掺杂多晶硅作为电极引线实现电气互连,并对通孔进行了电阻特性的测试,测试结果表明,通孔阻值约为25Ω,通孔互连的电学特性较好。
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关键词
硅通孔
ICP刻蚀
LPCVD
重掺杂多晶硅
高深宽比
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职称材料
题名
高深宽比的TSV制作与填充技术
被引量：
4
1
作者
余成昇
许高斌
陈兴
马渊明
展明浩
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心
中国兵器工业集团北方通用电子集团有限公司
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期93-97,共5页
基金
国家863计划项目(2013AA041101)
文摘
硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD工艺在通孔内沉积的重掺杂多晶硅作为电极引线实现电气互连,并对通孔进行了电阻特性的测试,测试结果表明,通孔阻值约为25Ω,通孔互连的电学特性较好。
关键词
硅通孔
ICP刻蚀
LPCVD
重掺杂多晶硅
高深宽比
Keywords
Through silicon via
ICP etching
LPCVD
Heavily doped poly-Si
High aspect ratio
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高深宽比的TSV制作与填充技术
余成昇
许高斌
陈兴
马渊明
展明浩
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
4
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