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重合位置点阵特征参数测定的新方法
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作者 戎咏华 彭珉 胡赓祥 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期508-508,共1页
重合位置点阵特征参数测定的新方法戎咏华彭珉胡赓祥MingGaoandRobertP.Wei(上海交通大学材料科学系,上海200030)(Dept.ofMechnicalEngineringandMechanicsLe... 重合位置点阵特征参数测定的新方法戎咏华彭珉胡赓祥MingGaoandRobertP.Wei(上海交通大学材料科学系,上海200030)(Dept.ofMechnicalEngineringandMechanicsLehighUniversity,Be... 展开更多
关键词 重合位置点阵 晶界 晶粒 特征参数 测定
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晶界设计在多晶体金属材料中的应用 被引量:2
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作者 吴杰 陈善华 +3 位作者 卢伢 管登高 邹丛沛 邱绍宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期89-93,共5页
对多晶体金属材料的晶界结构进行设计,能够显著提高这类材料的力学、化学及磁学性能。因此,晶界设计已成为金属材料改性的一项重要技术。对晶界设计的基本理论进行了介绍,在此基础上综述了近年来这项技术的应用研究概况,并提出了未来的... 对多晶体金属材料的晶界结构进行设计,能够显著提高这类材料的力学、化学及磁学性能。因此,晶界设计已成为金属材料改性的一项重要技术。对晶界设计的基本理论进行了介绍,在此基础上综述了近年来这项技术的应用研究概况,并提出了未来的进一步研究方向。 展开更多
关键词 晶界设计 重合位置点阵 形变热处理工艺
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晶界工程处理对Incoloy825合金耐晶间腐蚀性能的影响 被引量:2
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作者 白琴 边璐 +4 位作者 赵清 王宝顺 杨晨 夏爽 周邦新 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2019年第10期705-709,共5页
通过生产用冷拔机对镍基合金管材Incoloy825进行冷拔后退火的晶界工程(GBE)处理,采用晶间腐蚀试验研究了晶界工程处理对Incoloy825合金耐晶间腐蚀性能的影响。结果表明:使用工厂生产设备GBE处理后,能够使Incoloy825合金中的低∑CSL晶界... 通过生产用冷拔机对镍基合金管材Incoloy825进行冷拔后退火的晶界工程(GBE)处理,采用晶间腐蚀试验研究了晶界工程处理对Incoloy825合金耐晶间腐蚀性能的影响。结果表明:使用工厂生产设备GBE处理后,能够使Incoloy825合金中的低∑CSL晶界(晶界两侧晶粒重合位置点阵密度的倒数不超过29)比例提高到75%以上,并显著改善其耐晶间腐蚀性能;GBE处理后Incoloy825合金中形成的大量相互连接的∑3-∑3-∑9和∑3-∑9-∑27等∑3^n类型三叉晶界是其耐晶间腐蚀性能提高的主要原因。 展开更多
关键词 晶界工程(GBE) 晶间腐蚀 重合位置点阵(CSL)晶界 形变 热处理
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CVD-W的晶界结构及其对塑性形变的影响
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作者 孙红婵 李树奎 +2 位作者 侯岳翔 鲁旭东 郭伟 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期76-78,共3页
为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。结果表明:CVD-W具有显著的<001>... 为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中Σ3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料。研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使晶粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变。 展开更多
关键词 化学气相沉积纯钨 晶界结构 重合位置点阵 晶粒择优取向
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脉冲磁场退火对取向硅钢组织及织构的影响 被引量:1
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作者 张思雨 麻永林 +2 位作者 赵云鹏 于文霞 邢淑清 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期90-94,共5页
为研究脉冲磁场对普通取向硅钢组织及织构的影响,在相同时间下对取向硅钢进行普通退火及脉冲磁场为14.1、20.6 mT下退火。用电子背散射衍射装置(EBSD)观察取向硅钢磁场退火阶段的织构、取向差及重合位置点阵(CSL)的变化。结果表明:经脉... 为研究脉冲磁场对普通取向硅钢组织及织构的影响,在相同时间下对取向硅钢进行普通退火及脉冲磁场为14.1、20.6 mT下退火。用电子背散射衍射装置(EBSD)观察取向硅钢磁场退火阶段的织构、取向差及重合位置点阵(CSL)的变化。结果表明:经脉冲磁场退火后,提高λ织构的面积分数和晶粒尺寸,促进二次再结晶的{012}<001>织构增强,{112}<110>不利织构减弱;Σ3和Σ9晶界比增加,取向差为20°~45°的特殊晶界比也增加。 展开更多
关键词 取向硅钢 脉冲磁场退火 取向差 重合位置点阵
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