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电子特气六氯乙硅烷产品金属杂质检测方法
被引量：
3
1
作者
万烨
肖劲
+3 位作者
严大洲
张园园
仲奇凡
刘芳洋
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期3341-3348,共8页
六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内采用六氯乙硅烷生产技术已制备集成电路,但其十亿分之一量级的...
六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内采用六氯乙硅烷生产技术已制备集成电路,但其十亿分之一量级的超痕量金属杂质检测是国内的检测技术瓶颈,也是国外技术封锁的项目之一。为此,研究六氯乙硅烷的水解过程产生的微颗粒吸附固化金属杂质的机理,采用氢氟酸消解产生的SiF4的强挥发性,以消除硅基效应导致的基体干扰。在此基础上,建立六氯乙硅烷中Li,Na,Mg,Al,K,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,As和Pb共18种金属杂质的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测方法,并确定质谱激发模式和最优仪器参数。研究结果表明:采用这种消解方法可以获得较好的检测效果:标准曲线线性相关系数大于0.999,各元素检出限低于0.10 ng/g,加标回收率为80%~110%,方法精密度小于10%。对比酸雾消解法和直接消解法对硅基体的消解效果,发现酸雾消解法作为样品前处理方式更加安全、洁净、准确和高效。精密度和准确度符合超痕量杂质检测方法的规定,再现性满足用户要求,适用于六氯乙硅烷中金属杂质的检测,其他高纯度氯硅烷的杂质测试亦可参照使用。
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关键词
六氯乙硅烷
ICP-MS
金属杂质
酸雾消解
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职称材料
题名
电子特气六氯乙硅烷产品金属杂质检测方法
被引量：
3
1
作者
万烨
肖劲
严大洲
张园园
仲奇凡
刘芳洋
机构
中南大学冶金与环境学院
中国恩菲工程技术有限公司
多晶硅材料制备技术国家工程实验室
难冶有色金属资源高效利用国家工程实验室
出处
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期3341-3348,共8页
基金
河南省重大科技专项(181200212700)。
文摘
六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内采用六氯乙硅烷生产技术已制备集成电路,但其十亿分之一量级的超痕量金属杂质检测是国内的检测技术瓶颈,也是国外技术封锁的项目之一。为此,研究六氯乙硅烷的水解过程产生的微颗粒吸附固化金属杂质的机理,采用氢氟酸消解产生的SiF4的强挥发性,以消除硅基效应导致的基体干扰。在此基础上,建立六氯乙硅烷中Li,Na,Mg,Al,K,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,As和Pb共18种金属杂质的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测方法,并确定质谱激发模式和最优仪器参数。研究结果表明:采用这种消解方法可以获得较好的检测效果:标准曲线线性相关系数大于0.999,各元素检出限低于0.10 ng/g,加标回收率为80%~110%,方法精密度小于10%。对比酸雾消解法和直接消解法对硅基体的消解效果,发现酸雾消解法作为样品前处理方式更加安全、洁净、准确和高效。精密度和准确度符合超痕量杂质检测方法的规定,再现性满足用户要求,适用于六氯乙硅烷中金属杂质的检测,其他高纯度氯硅烷的杂质测试亦可参照使用。
关键词
六氯乙硅烷
ICP-MS
金属杂质
酸雾消解
Keywords
hexachlorodisilane
ICP-MS
metal impurities
acid mist digestion
分类号
TQ129 [化学工程—无机化工]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子特气六氯乙硅烷产品金属杂质检测方法
万烨
肖劲
严大洲
张园园
仲奇凡
刘芳洋
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
3
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