采用超声波清洗技术对黑索今(RDX)清洗脱酸,并对其动力学特征进行了研究。以酸度为评价指标,通过单因素试验考察了超声作用时间、温度、超声频率、超声功率对RDX清洗脱酸清洗效果的影响,采用正交试验对超声辅助清洗RDX脱酸试验的工艺条...采用超声波清洗技术对黑索今(RDX)清洗脱酸,并对其动力学特征进行了研究。以酸度为评价指标,通过单因素试验考察了超声作用时间、温度、超声频率、超声功率对RDX清洗脱酸清洗效果的影响,采用正交试验对超声辅助清洗RDX脱酸试验的工艺条件进行了优化,建立了超声辅助清洗RDX的脱酸动力学方程,计算得到相应的活化能。结果表明,各因素对RDX脱酸效果影响大小依次为:超声作用时间>超声频率>温度>超声功率,最佳条件为超声时间70 min、温度35℃、超声频率40 k Hz、超声功率85%,脱酸过程表现为一级动力学反应,活化能为7.105 k J·mol-1,模型的拟合结果与试验数据吻合较好。超声处理不会改变RDX的分子结构和特征官能团。展开更多
半导体产业是支撑经济社会发展和保障国家安全的基础性、战略性和先导性产业,单晶硅由于具有独特的物理及化学性质,在半导体产业中占有重要的地位,多晶硅作为制备单晶硅的前驱体,对纯度的要求尤为严苛,因此本文研究了一种采用低成本混...半导体产业是支撑经济社会发展和保障国家安全的基础性、战略性和先导性产业,单晶硅由于具有独特的物理及化学性质,在半导体产业中占有重要的地位,多晶硅作为制备单晶硅的前驱体,对纯度的要求尤为严苛,因此本文研究了一种采用低成本混酸清洗多晶硅块,进而制备高纯多晶硅的新型方法。在室温环境中,采用纯度为电子级(EL)、超纯(UP)、超纯MOS(UP-S)级的由氢氟酸和硝酸组成的混酸溶液清洗多晶硅块,所得多晶硅表面金属含量均在2 ppbw以下,即符合半导体级多晶硅对表面金属含量的要求;并研究了多晶硅表面金属含量与清洗过程所消耗EL级混酸之间的关系,发现使用300 ml V_(HF):V_(HNO3)=1:10的由氢氟酸和硝酸组成的EL级混酸溶液可以清洗出3.33kg半导体级多晶硅,说明低成本EL级混酸也可以广泛用于半导体级多晶硅的工业生产中。展开更多
文摘采用超声波清洗技术对黑索今(RDX)清洗脱酸,并对其动力学特征进行了研究。以酸度为评价指标,通过单因素试验考察了超声作用时间、温度、超声频率、超声功率对RDX清洗脱酸清洗效果的影响,采用正交试验对超声辅助清洗RDX脱酸试验的工艺条件进行了优化,建立了超声辅助清洗RDX的脱酸动力学方程,计算得到相应的活化能。结果表明,各因素对RDX脱酸效果影响大小依次为:超声作用时间>超声频率>温度>超声功率,最佳条件为超声时间70 min、温度35℃、超声频率40 k Hz、超声功率85%,脱酸过程表现为一级动力学反应,活化能为7.105 k J·mol-1,模型的拟合结果与试验数据吻合较好。超声处理不会改变RDX的分子结构和特征官能团。
文摘半导体产业是支撑经济社会发展和保障国家安全的基础性、战略性和先导性产业,单晶硅由于具有独特的物理及化学性质,在半导体产业中占有重要的地位,多晶硅作为制备单晶硅的前驱体,对纯度的要求尤为严苛,因此本文研究了一种采用低成本混酸清洗多晶硅块,进而制备高纯多晶硅的新型方法。在室温环境中,采用纯度为电子级(EL)、超纯(UP)、超纯MOS(UP-S)级的由氢氟酸和硝酸组成的混酸溶液清洗多晶硅块,所得多晶硅表面金属含量均在2 ppbw以下,即符合半导体级多晶硅对表面金属含量的要求;并研究了多晶硅表面金属含量与清洗过程所消耗EL级混酸之间的关系,发现使用300 ml V_(HF):V_(HNO3)=1:10的由氢氟酸和硝酸组成的EL级混酸溶液可以清洗出3.33kg半导体级多晶硅,说明低成本EL级混酸也可以广泛用于半导体级多晶硅的工业生产中。
