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g-线/i-线光刻胶研究进展
被引量：
7
1
作者
顾雪松
李小欧
+1 位作者
刘亚栋
季生象
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期1091-1104,共14页
光刻胶是半导体领域中不可或缺的关键材料。光刻胶行业常年被日本和美国等国家所垄断,随着国际竞争的日益激烈,光刻胶国产化迫在眉睫。本文针对g-线(436 nm)和i-线(365 nm)光刻胶进行了总结,按照其组成不同,将其分为酚醛树脂/重氮萘醌...
光刻胶是半导体领域中不可或缺的关键材料。光刻胶行业常年被日本和美国等国家所垄断,随着国际竞争的日益激烈,光刻胶国产化迫在眉睫。本文针对g-线(436 nm)和i-线(365 nm)光刻胶进行了总结,按照其组成不同,将其分为酚醛树脂/重氮萘醌、化学放大胶和分子玻璃等类型,并分别进行介绍。目前,市场用量较大的g/i-线光刻胶主要是酚醛树脂/重氮萘醌系列,本文详细介绍了国内外对酚醛树脂/重氮萘醌的研究报道,阐述了其曝光机理以及光敏剂、添加剂等对光刻胶性能的影响。本文期望能对g-线/i-线光刻胶的开发提供参考。
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关键词
光刻胶
g-线
i-线
酚醛树脂/重氮萘醌
化学放大胶
分子玻璃
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职称材料
题名
g-线/i-线光刻胶研究进展
被引量：
7
1
作者
顾雪松
李小欧
刘亚栋
季生象
机构
中科院长春应化所黄埔先进材料研究院
中国科学院长春应用化学研究所
出处
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期1091-1104,共14页
基金
国家自然科学基金(No.51973212)
吉林省科技发展计划中青年科技创新领军人才及团队项目(No.20200301017RQ)资助。
文摘
光刻胶是半导体领域中不可或缺的关键材料。光刻胶行业常年被日本和美国等国家所垄断,随着国际竞争的日益激烈,光刻胶国产化迫在眉睫。本文针对g-线(436 nm)和i-线(365 nm)光刻胶进行了总结,按照其组成不同,将其分为酚醛树脂/重氮萘醌、化学放大胶和分子玻璃等类型,并分别进行介绍。目前,市场用量较大的g/i-线光刻胶主要是酚醛树脂/重氮萘醌系列,本文详细介绍了国内外对酚醛树脂/重氮萘醌的研究报道,阐述了其曝光机理以及光敏剂、添加剂等对光刻胶性能的影响。本文期望能对g-线/i-线光刻胶的开发提供参考。
关键词
光刻胶
g-线
i-线
酚醛树脂/重氮萘醌
化学放大胶
分子玻璃
Keywords
Photoresist
g-line
i-line
Novolak-diazonaphthoquinone photoresist
Chemically amplified photoresist
Molecular glass photoresist
分类号
O644 [理学—物理化学]
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作者
出处
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被引量
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1
g-线/i-线光刻胶研究进展
顾雪松
李小欧
刘亚栋
季生象
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2021
7
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