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基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型
被引量：
1
1
作者
孙志宇
魏晓光
+1 位作者
赵志斌
周万迪
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期492-499,共8页
新一代增强平面栅软穿通型(Soft Punch Through+,SPT+)IGBT采用了阴极侧载流子浓度增强技术,降低了通态损耗.现有仿真模型大多是基于典型穿通型(Punch Through,PT)IGBT建立的,无法准确描述SPT+型IGBT的通态特性.本文在现有PT模型的基础...
新一代增强平面栅软穿通型(Soft Punch Through+,SPT+)IGBT采用了阴极侧载流子浓度增强技术,降低了通态损耗.现有仿真模型大多是基于典型穿通型(Punch Through,PT)IGBT建立的,无法准确描述SPT+型IGBT的通态特性.本文在现有PT模型的基础上,结合SPT+型IGBT的结构特点和工作特性,将基区分为PIN区和PNP区两个部分,对阴极侧载流子分布进行优化,提出一种改进的SPT+型IGBT稳态模型.通过新旧模型的仿真波形与实测波形的对比,验证了改进模型的准确性.
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
SPT+
载流子存储层
通态数学模型
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职称材料
题名
基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型
被引量：
1
1
作者
孙志宇
魏晓光
赵志斌
周万迪
机构
华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室
全球能源互联网研究院有限公司
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期492-499,共8页
基金
国家自然科学基金委员会-国家电网公司智能电网联合基金资助(No.U1766219)。
文摘
新一代增强平面栅软穿通型(Soft Punch Through+,SPT+)IGBT采用了阴极侧载流子浓度增强技术,降低了通态损耗.现有仿真模型大多是基于典型穿通型(Punch Through,PT)IGBT建立的,无法准确描述SPT+型IGBT的通态特性.本文在现有PT模型的基础上,结合SPT+型IGBT的结构特点和工作特性,将基区分为PIN区和PNP区两个部分,对阴极侧载流子分布进行优化,提出一种改进的SPT+型IGBT稳态模型.通过新旧模型的仿真波形与实测波形的对比,验证了改进模型的准确性.
关键词
绝缘栅双极型晶体管
SPT+
载流子存储层
通态数学模型
Keywords
insulated gate bipolar transistor
SPT+
carrier storage layer
on-state analytical model
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型
孙志宇
魏晓光
赵志斌
周万迪
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
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