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银通孔阵列的模板电沉积制备及折射率传感性能 被引量:1
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作者 徐蝶 申晓华 +2 位作者 李焕焕 杜元春 胡家文 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期2511-2515,共5页
以聚苯乙烯微球的单层和双层胶体晶体为模板,通过模板电沉积银,移除模板后得到单层和双层银通孔阵列,并用作基于增强光透射(EOT)的等离子传感器.结果表明,与单层银通孔阵列相比,双层通孔阵列的传感灵敏度和品质因子都有很大提升,最高分... 以聚苯乙烯微球的单层和双层胶体晶体为模板,通过模板电沉积银,移除模板后得到单层和双层银通孔阵列,并用作基于增强光透射(EOT)的等离子传感器.结果表明,与单层银通孔阵列相比,双层通孔阵列的传感灵敏度和品质因子都有很大提升,最高分别达到559.71 nm/RIU(RIU:Refractive index unit)和14.28 RIU^(-1). 展开更多
关键词 表面等离子体 通孔阵列 模板电沉积 自组装 折射率传感
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低系统开销的多TSV子阵列联合数据传输方法 被引量:8
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作者 冯旭 崔小乐 +2 位作者 魏琛 崔小欣 金玉丰 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第4期649-654,共6页
串扰抑制编码往往具有图形限制特性,在小规模硅通孔(through silicon via, TSV)阵列中应用时,可以在合理的编解码器面积开销下取得良好的串扰抑制效果.为了在大规模的TSV阵列中实现低系统开销的高质量数据传输,提出基于多TSV子阵列联合... 串扰抑制编码往往具有图形限制特性,在小规模硅通孔(through silicon via, TSV)阵列中应用时,可以在合理的编解码器面积开销下取得良好的串扰抑制效果.为了在大规模的TSV阵列中实现低系统开销的高质量数据传输,提出基于多TSV子阵列联合数据传输的方法.针对参与数据联合传输的子阵列最优数量问题,通过研究子阵列数量与对应联合传输方法的系统开销之间的关系,提出求解方法,并给出了相应的理论证明.面向多TSV子阵列联合数据传输场景,设计了一种基于数系变换的编解码算法.使用多组TSV阵列的电学参数,进行了不同编码方法 TSV阵列的串扰抑制效果的仿真实验.结果表明,所提方法在系统开销、传输延迟、传输功耗、编解码器面积等方面均优于已有的基于斐波那契数系的串扰抑制编码方法. 展开更多
关键词 通孔阵列 图形限制编码 串扰抑制 系统开销
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K波段单片硅MEMS谐振器
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作者 郁元卫 张勇 +2 位作者 朱健 贾世星 陈辰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1889-1891,共3页
介绍了基片集成波导技术和ICP深刻蚀微机械通孔阵列的硅基MEMS谐振器,通孔阵列和地平面形成不辐射介质波导,采用CPW电流探针与谐振腔进行信号耦合,在单层硅片上实现了平面电路与三维硅填充谐振腔的信号传输,得到低成本高性能可与平面电... 介绍了基片集成波导技术和ICP深刻蚀微机械通孔阵列的硅基MEMS谐振器,通孔阵列和地平面形成不辐射介质波导,采用CPW电流探针与谐振腔进行信号耦合,在单层硅片上实现了平面电路与三维硅填充谐振腔的信号传输,得到低成本高性能可与平面电路集成的MEMS谐振器.谐振器工作于主模TE101模式,在片测试的Q值大于180,谐振频率21GHz,与仿真结果吻合,芯片尺寸为4.7mm×4.6mm×0.5mm. 展开更多
关键词 MEMS谐振器 通孔阵列 基片集成波导 K波段
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通过电源完整性分析和电迁移修复提高供电网络可靠性 被引量:5
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作者 王晶 蔡懿慈 周强 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第4期499-506,共8页
电迁移是集成电路供电网络的关键失效因素,由于芯片集成度和电流密度的增加,供电网络设计留给电迁移优化的余量越来越小.供电网络的传统设计缺乏电迁移和电压降的综合分析,会造成设计的过度约束.为避免上述问题,提出一种基于通孔灵敏度... 电迁移是集成电路供电网络的关键失效因素,由于芯片集成度和电流密度的增加,供电网络设计留给电迁移优化的余量越来越小.供电网络的传统设计缺乏电迁移和电压降的综合分析,会造成设计的过度约束.为避免上述问题,提出一种基于通孔灵敏度分析的供电网络优化方法.首先,通过伴随矩阵的方法验证通孔的灵敏度对电迁移和电压降的影响;然后,结合供电网络的结构,针对关键通孔制定梯度优化策略,避免电迁移过度优化;最后,采用配置通孔阵列结构的方法提高通孔的可靠性.所提分析方法基于32核服务器实现,并通过IBM benchmark进行验证.实验结果表明,与全通孔优化的策略比较,所提方法以极小的面积代价实现电迁移优化,并且协同优化后,电路不存在电压降违规. 展开更多
关键词 电迁移优化 可靠性 通孔阵列 供电网络
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