透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量：8

1

作者 王中健 王龙彦 +2 位作者 马仙梅 付国柱 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。 展开更多

关键词 透明非晶态氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示器 集约化模型

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柔性衬底氧化物半导体透明导电膜的研究进展 被引量：14

2

作者 郝晓涛 张德恒 +5 位作者 马瑾 杨莺歌 王卿璞 程传福 田茂华 马洪磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期354-356,359,共4页

回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜 (包括锡掺杂的三氧化二铟ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等 )的研究进展情况。报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工艺以及制备参数的依赖关系 。

关键词 柔性衬底 氧化物半导体 透明导电膜 研究进展

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透明导电半导体ZnO膜的研究 被引量：7

3

作者 蒋向东 张怀武 黄祥成 《应用光学》 CAS CSCD 2002年第2期35-38,共4页

本文采用独特的电子束蒸镀方法，在光学镀膜机上，以 ＺｎＯ＋３％Ａｌ２Ｏ３和 ＺｎＯ为膜料．ｋ９光学玻璃为衬底，制备出ＺｎＯ 膜。膜层为多晶膜，可见光透过率为Ｔ＝７０－９０％，电阻率ｐ＝１×１０－５Ω·ｍ，方电阻为... 本文采用独特的电子束蒸镀方法，在光学镀膜机上，以 ＺｎＯ＋３％Ａｌ２Ｏ３和 ＺｎＯ为膜料．ｋ９光学玻璃为衬底，制备出ＺｎＯ 膜。膜层为多晶膜，可见光透过率为Ｔ＝７０－９０％，电阻率ｐ＝１×１０－５Ω·ｍ，方电阻为 Ｒ　＝１５０±５０±５０Ω／　，膜机械强度超过国标单层标准，找到实用最佳工艺条件。 展开更多

关键词 ZnO膜 透明导电性 电子束蒸镀方法 透明导电氧化物半导体薄膜 氧化锌薄膜

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p型透明导电氧化物薄膜的研究进展 被引量：3

4

作者 刘高斌 冯庆 +2 位作者 李丽 廖克俊 王万录 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期444-448,共5页

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用。近来在这方面的研究取得了一些突出的进展。本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展。

关键词 半导体薄膜 p型透明导电膜 综述 透明氧化物 透明有源器件

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热光伏系统中透明导电氧化物滤波器的优化分析 被引量：2

5

作者 茆磊 叶宏 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期781-787,共7页

建立了透明导电氧化物（TCOs）滤波器的理论模型，分析了载流子浓度和迁移率对其光学性能的影响。计算了TCOs滤波器应用于以GaSb电池为转换器的热光伏（TPV）系统的最佳载流子浓度和薄膜厚度，最后讨论了石英玻璃衬底厚度的影响。得出... 建立了透明导电氧化物（TCOs）滤波器的理论模型，分析了载流子浓度和迁移率对其光学性能的影响。计算了TCOs滤波器应用于以GaSb电池为转换器的热光伏（TPV）系统的最佳载流子浓度和薄膜厚度，最后讨论了石英玻璃衬底厚度的影响。得出以下结论：辐射器温度为1400～1600K时，匹配Al2O3／Er3Al5O12熔融陶瓷选择性辐射器的TCOs滤波器的最优载流子浓度、薄膜厚度区间分别为（4．3～4．4）×10^20 cm^-3、389～399nm，而匹配SiC灰体辐射器的则为（4．4～4．6）×10^20 cm^-3、382～383nm；石英玻璃衬底的厚度对TCOs滤波器性能的影响很小，可以忽略。辐射器温度为1500K时，Al2O3／Er3Al5O12选择性辐射器／TCOS滤波器／GaSh电池的TPV系统输出电功率密度为0．38w／cm^2，光谱效率和TPV效率分别为56．6％和16．7％． 展开更多

关键词 半导体技术 透明导电氧化物 滤波器 热光伏

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特色功能材料——透明导电氧化物薄膜 被引量：4

6

作者 王华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期101-104,共4页

透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空... 透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空电子器件等领域。综述了透明导电氧化物薄膜的基本特性、制备方法及应用,并展望了其发展前景。 展开更多

关键词 透明导电氧化物 功能材料 光电特性 制备方法 进展 透明导电氧化物薄膜 太阳能光伏电池 半导体特性 平板显示器件 真空电子器件

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一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性(英文)

7

作者 季振国 周荣福 +2 位作者 毛启楠 霍丽娟 曹虹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1259-1262,共4页

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同... 利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜,p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性. 展开更多

关键词 透明半导体薄膜 锡锑氧化物 PN结

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离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究 被引量：8

8

作者 初国强 王子君 +1 位作者 刘星元 王立军 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第2期135-139,共5页

报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1×... 报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1× 1 0 3Ω/□ ,可见光透过率大于 80 %的优质透明导电膜。实验表明氧离子辅助蒸发可增加氧化锌分子的能量 ,提高其迁移率 ,显著提高薄膜的致密程度 ;氧离子能使分解的锌原子充分氧化 ;离子轰击可平滑薄膜表面。总之 。 展开更多

关键词 氧化锌透明导电膜 离子辅助蒸发 电子束蒸发 氧化物半导体 电导率 透光特性 源参杂 镀膜气氛

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非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响 被引量：1

9

作者 苏雪琼 王丽 +1 位作者 甘渝林 李宬汉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期49-52,共4页

利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测... 利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。 展开更多

关键词 透明氧化物半导体 非晶IGZO薄膜 脉冲激光沉积 透明性 电子迁移率

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优质氧化锌透明导电膜 被引量：1

10

作者 吴瑞华 文元章 +1 位作者 刘亚军 李军 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期299-305,共7页

报道了采用反应电子束蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果。典型的结果：电阻率低达２×１０－４Ω．ｃｍ，霍尔电子迁移率为５２ｃｍ２（Ｖｓ）－１，厚４０００×１０－１０ｍ膜的方块电阻为８．９Ω／□，可见光... 报道了采用反应电子束蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果。典型的结果：电阻率低达２×１０－４Ω．ｃｍ，霍尔电子迁移率为５２ｃｍ２（Ｖｓ）－１，厚４０００×１０－１０ｍ膜的方块电阻为８．９Ω／□，可见光透过率大于９０％。分析了源掺杂、镀膜气氛、衬底温度等参数与膜的电导和透光特性的关系。 展开更多

关键词 氧化锌 透明导电膜 电子束蒸发 氧化物半导体

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溶胶-凝胶法制备ZnO:Sn薄膜的微观结构及光电特性 被引量：6

11

作者 马德福 胡跃辉 +3 位作者 胡鸿豪 张效华 陈义川 陈新华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期25-27,34,共4页

利用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备Sn掺杂ZnO薄膜(ZnO:Sn),研究了不同Sn掺杂量对薄膜结晶性、表面形貌和光电特性的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针测试仪对ZnO:Sn薄膜进行表征... 利用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备Sn掺杂ZnO薄膜(ZnO:Sn),研究了不同Sn掺杂量对薄膜结晶性、表面形貌和光电特性的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针测试仪对ZnO:Sn薄膜进行表征,结果表明:Sn掺杂2at.%时,薄膜具有良好的c轴择优取向,表面簇拥生长并呈现六角形结构,薄膜的平均透光率大约为90%,电阻率最小仅为19.6Ω.cm。 展开更多

关键词 透明氧化物半导体 ZNO薄膜 锡掺杂 溶胶-凝胶法

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热处理温度对溶胶凝胶法制备ZnO:Sn薄膜性能的影响 被引量：8

12

作者 陈俊 胡跃辉 +3 位作者 胡鸿豪 张效华 陈义川 陈新华 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2013年第1期5-10,共6页

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备掺锡氧化锌(ZnO:Sn)透明导电薄膜,研究了干燥温度和退火温度对薄膜结晶度、微观结构、光电特性的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针法等分析方法对Z... 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备掺锡氧化锌(ZnO:Sn)透明导电薄膜,研究了干燥温度和退火温度对薄膜结晶度、微观结构、光电特性的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针法等分析方法对ZnO:Sn薄膜进行分析表征,结果表明:在300℃温度下干燥10min后,在700℃空气中退火1h制备出的ZnO:Sn薄膜表面平整,具有c轴择优取向,平均透过率达到92%以上,电阻率仅为13.6Ω.cm。 展开更多

关键词 透明氧化物半导体 ZNO薄膜 Sn掺杂 溶胶-凝胶法

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埋栅TCO薄膜的制备及在太阳电池上的应用

13

作者 王文贤 蔡伦 +3 位作者 陈涛 俞健 黄跃龙 沈辉 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期125-131,共7页

提出新型金属埋栅结构来改良透明导电氧化物薄膜(TCO)的光电性能,并分别采用AZO和ITO这2种TCO材料制备和对比3类薄膜(单层TCO薄膜、TCO/金属薄膜/TCO以及TCO/金属栅线/TCO三明治结构的薄膜)的光学和电学性能。本文制备的新型叠层AZO/Mg... 提出新型金属埋栅结构来改良透明导电氧化物薄膜(TCO)的光电性能,并分别采用AZO和ITO这2种TCO材料制备和对比3类薄膜(单层TCO薄膜、TCO/金属薄膜/TCO以及TCO/金属栅线/TCO三明治结构的薄膜)的光学和电学性能。本文制备的新型叠层AZO/Mg栅线/AZO和ITO/Ag栅线/ITO结构在300~1200 nm范围内光学透过率保持约在85%,方阻分别降低至1.94和91Ω/□。将ITO/Ag栅线/ITO作为TCO用在n-CdS/p-Si异质结电池上取得了9.31%的效率,相比单层ITO的电池转换效率提高了6.03%。该工作为低方阻、高光学透过率TCO的制备提供了一种行之有效的思路,在光电子器件上也具有一定的应用前景。 展开更多

关键词 透明导电氧化物 硫化镉太阳电池 半导体异质结器件 ITO/Ag栅线/ITO 掺铝氧化锌(AZO)

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薄膜光学理论与膜系设计

14

《中国光学》 EI CAS 2002年第6期50-52,共3页

O484.1 2002064323透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算=Theoreticalcalculation of optimum doping content for oxidesemiconductor films[刊,中]/范志新(河北工业大学应用物理系.天津(300130))∥半导体学报.—2002,23(6).—589-592... O484.1 2002064323透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算=Theoreticalcalculation of optimum doping content for oxidesemiconductor films[刊,中]/范志新(河北工业大学应用物理系.天津(300130))∥半导体学报.—2002,23(6).—589-592分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 薄膜材料 制备方法 最佳掺杂含量 氧化物半导体 应用物理 晶体结构 学报 透明导电膜 现代光学仪器

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韩国科学技术院开发出使用石墨烯的有机EL元件

15

《石油化工》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1271-1271,共1页

韩国科学技术院（KAIST）开发出以石墨烯替代铟锡氧化物半导体透明导电膜（ITO）作为透明导电膜的绿色发光有机EL元件。该元件主要用于显示器。该发光元件的外部量子效率（EQE）高达40．8％，肉眼感觉的发光效率高达160．31m／W。虽然... 韩国科学技术院（KAIST）开发出以石墨烯替代铟锡氧化物半导体透明导电膜（ITO）作为透明导电膜的绿色发光有机EL元件。该元件主要用于显示器。该发光元件的外部量子效率（EQE）高达40．8％，肉眼感觉的发光效率高达160．31m／W。虽然以往也有用石墨烯作为透明电极的有机EL元件，但这次新开发的元件具有EQE和发光效率都非常高的特点。据研究人员称，发光效率及EQE高的原因是因为有机EL元件设置了共振器结构。因此，提高了特定波长的选择效果，同时也减少了电极上表面等离子体造成的损耗。 展开更多

关键词 韩国科学技术院 发光元件 有机EL 石墨 开发 透明导电膜 氧化物半导体 外部量子效率

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