透明导电氧化物薄膜研究进展 被引量：12

1

作者 望咏林 颜悦 +2 位作者 沈玫 贺会权 张官理 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期317-320,共4页

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望。

关键词 氧化物薄膜 透明导电机理 制备工艺 ITO AZO

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喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜 被引量：7

2

作者 季振国 赵丽娜 +2 位作者 何作鹏 陈琛 周强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期211-216,共6页

利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在... 利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在0．06-0．25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In／Sn比超过 0．3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型．因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In／Sn比不宜过低,也不能过高．热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In／Sn=0．2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电．当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80％以上． 展开更多

关键词 铟锡氧化物 透明导电薄膜 p型导电 喷雾热解

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透明导电氧化物薄膜的研究进展 被引量：32

3

作者 王敏 蒙继龙 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期5-7,共3页

综述了TCO薄膜的研究进展和应用前景。ITO薄膜是目前应用最广泛的薄膜,AZO薄膜是研究的热点,具有替代ITO薄膜的潜能。TCO薄膜因具有优异的光电性能而被应用在各种光电器件中,例如,平面液晶显示器,太阳能电池等。随着TCO薄膜制备方法的... 综述了TCO薄膜的研究进展和应用前景。ITO薄膜是目前应用最广泛的薄膜,AZO薄膜是研究的热点,具有替代ITO薄膜的潜能。TCO薄膜因具有优异的光电性能而被应用在各种光电器件中,例如,平面液晶显示器,太阳能电池等。随着TCO薄膜制备方法的不断改进、成熟以及聚合物基TCO薄膜的开发,TCO薄膜将具有更广阔的应用和发展空间。 展开更多

关键词 tco SNO2 IN2O3 ZNO 制备方法 应用前景 透明导电氧化物薄膜

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新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO_2的研究进展 被引量：8

4

作者 冯娴娴 赵小如 +2 位作者 刘凯 刘波 赵亮 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期84-88,共5页

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2因其优异的光电性能成为当今研究的热门材料。本文详细阐述了Nb-TiO2薄膜的光电性能、影响Nb-TiO2光电特性的因素与机理以及目前的研究进展、前沿动态等,着重讨论了载流子浓度及其散射过程对光学透过率和... 新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2因其优异的光电性能成为当今研究的热门材料。本文详细阐述了Nb-TiO2薄膜的光电性能、影响Nb-TiO2光电特性的因素与机理以及目前的研究进展、前沿动态等,着重讨论了载流子浓度及其散射过程对光学透过率和导电性能的影响。 展开更多

关键词 Nb-TiO2 透明导电氧化物薄膜 光电机理

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透明导电氧化物薄膜研究的新进展 被引量：5

5

作者 张明福 许文彬 +2 位作者 沈海涛 王家智 韩杰才 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第5期811-815,共5页

透明导电氧化物(TCO)薄膜因其良好的光电性能,在光电器件上应用广泛,且已成为研究热点。p型TCO薄膜的出现开辟了透明导电氧化物研究的新领域,红外透明导电氧化物薄膜拓展了TCO薄膜的应用范围。该文综述了近几年p型TCO薄膜的研究进展,并... 透明导电氧化物(TCO)薄膜因其良好的光电性能,在光电器件上应用广泛,且已成为研究热点。p型TCO薄膜的出现开辟了透明导电氧化物研究的新领域,红外透明导电氧化物薄膜拓展了TCO薄膜的应用范围。该文综述了近几年p型TCO薄膜的研究进展,并简单介绍了新兴的红外透明导电氧化物薄膜的研究进展。 展开更多

关键词 透明导电氧化物 红外透明 薄膜

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p型透明导电氧化物薄膜的研究进展 被引量：3

6

作者 刘高斌 冯庆 +2 位作者 李丽 廖克俊 王万录 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期444-448,共5页

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用。近来在这方面的研究取得了一些突出的进展。本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展。

关键词 半导体薄膜 p型透明导电膜 综述 透明氧化物 透明有源器件

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柔性透明导电氧化物薄膜的制备及其应用 被引量：2

7

作者 邵景珍 董伟伟 +2 位作者 陶汝华 邓赞红 方晓东 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期675-680,共6页

柔性透明导电氧化物薄膜以其重量轻、不易碎、成本低等独特的优点而备受青睐,在塑料液晶显示、可折叠太阳能电池等领域得到广泛的应用。文章介绍了目前制备柔性透明导电氧化物薄膜的主要技术及其优缺点,总结了近年来对柔性衬底的处理方... 柔性透明导电氧化物薄膜以其重量轻、不易碎、成本低等独特的优点而备受青睐,在塑料液晶显示、可折叠太阳能电池等领域得到广泛的应用。文章介绍了目前制备柔性透明导电氧化物薄膜的主要技术及其优缺点,总结了近年来对柔性衬底的处理方法,最后对柔性透明导电氧化物薄膜在各个领域的开发应用和未来的重点研究方向进行了展望。 展开更多

关键词 透明 导电 氧化物薄膜 柔性衬底

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透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究 被引量：1

8

作者 刘振华 刘宝琴 +3 位作者 张春伟 王书昶 刘拥军 何军辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期109-113,共5页

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性... 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3×1020cm-3,45 cm2V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92%,特别地,波长为362 nm时,最高透射率可达99%。 展开更多

关键词 InSnGaMo复合氧化物薄膜 透明导电薄膜 脉冲激光沉积 光电性能

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特色功能材料——透明导电氧化物薄膜 被引量：4

9

作者 王华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期101-104,共4页

透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空... 透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空电子器件等领域。综述了透明导电氧化物薄膜的基本特性、制备方法及应用,并展望了其发展前景。 展开更多

关键词 透明导电氧化物 功能材料 光电特性 制备方法 进展 透明导电氧化物薄膜 太阳能光伏电池 半导体特性 平板显示器件 真空电子器件

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p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征 被引量：1

10

作者 季振国 陈琛 +2 位作者 王超 周强 赵丽娜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期93-95,99,共4页

本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜。X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构。吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学... 本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜。X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构。吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8eV。霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关。热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度。当热氧化温度处于(600～700)℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018cm-3。 展开更多

关键词 透明导电 氧化物薄膜 P型 制备 表征 镓 锡 光学禁带宽度 空穴浓度 X射线衍射 金红石结构 热处理温度 磁控溅射 SnO2 霍尔效应 温度过高 氧化温度 热氧化 合金靶 测试 透过率 可见光 吸收谱 子类型

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背界面纳米光子结构提高透明导电氧化物基超薄Cu(In, Ga)Se_(2)太阳能电池电学性能的理论探究

11

作者 李航瑜 宋浩 +2 位作者 涂野 裴寒宁 殷官超 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第8期3063-3070,3088,共9页

透明导电氧化物(TCO)基超薄Cu(In, Ga)Se_(2)(CIGSe)太阳能电池具有建筑光伏一体化的潜力,然而由于背肖特基结的存在,其增大背复合速率S_b在提高空穴传输的同时也增加了光生电子背复合,从而抑制了其性能的提高。本文使用1D-SCAPS软件对... 透明导电氧化物(TCO)基超薄Cu(In, Ga)Se_(2)(CIGSe)太阳能电池具有建筑光伏一体化的潜力,然而由于背肖特基结的存在,其增大背复合速率S_b在提高空穴传输的同时也增加了光生电子背复合,从而抑制了其性能的提高。本文使用1D-SCAPS软件对背界面纳米光子结构(NPs)如何提高电池的性能进行理论探究,结果表明,背界面NPs的引入产生了复杂的电学效应。一方面,NPs本身不吸收光能,从而降低了背界面附近的有效光吸收体积,导致背界面光生载流子浓度降低,光生电子的背复合显著降低;另一方面,NPs的引入增加了吸收层厚度,导致空间电荷区(SCR)远离背界面,降低了其对光生电子的收集效率,增加了背复合。在高背复合速率(S_(b)=1.0×10^(7)cm·s^(-1))下,光生载流子浓度降低产生的背复合降低大于SCR移动产生的背复合增加,因此总体的背复合降低。与此同时,背复合的降低还缓解了高S_b时的光生电子损耗,从而解除了随S_b增大而增加的背复合对电池性能的抑制。这些发现为设计和优化TCO基超薄CIGSe太阳能电池提供了参考。 展开更多

关键词 tco基超薄CIGSe太阳能电池 纳米光子结构 肖特基势垒 光捕获 背复合 透明导电氧化物

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p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展 被引量：7

12

作者 李军 兰伟 +2 位作者 张铭 董国波 严辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期115-118,共4页

透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制... 透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望。 展开更多

关键词 透明导电氧化物(tco) P型tco CuAlO2薄膜

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透明导电氧化物薄膜的湿热衰减特性研究 被引量：1

13

作者 王新巧 朱红兵 +4 位作者 陈静伟 李明 王辉 傅广生 麦耀华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1149-1155,共7页

将制备的3种透明导电氧化物（TCO）薄膜材料，即掺铝氧化锌（ZnO：A1，AZO）、掺硼氧化锌（ZnO：B，BZO）和掺氟氧化锡（SnO：FTO）薄膜进行温度为85℃和相对湿度为85％的湿热实验并进行退火，研究其光学和电学性质衰减特性以及恢复情... 将制备的3种透明导电氧化物（TCO）薄膜材料，即掺铝氧化锌（ZnO：A1，AZO）、掺硼氧化锌（ZnO：B，BZO）和掺氟氧化锡（SnO：FTO）薄膜进行温度为85℃和相对湿度为85％的湿热实验并进行退火，研究其光学和电学性质衰减特性以及恢复情况。研究表明：湿热实验和经过后续热处理的3种TCO薄膜的表面形貌基本不变；AZO和FTO薄膜光学和电学性能都相对稳定；但BZO薄膜的迁移率则是在湿热实验20h内由初始的19cm2／Vs迅速下降到1．99cm2／Vs，而BZO薄膜载流子浓度是在湿热处理327h由初始值7．2×1019/cm3迅速下降到8．8×1018／cm3，载流子浓度的降低导致薄膜在800-2200nm波长范围内的光吸收减少；通过对晶粒间迁移率和晶界处迁移率分析得到BZO薄膜的迁移率衰退主要与水分子侵入薄膜内部并被吸附在晶界处；适当的热处理可使BZO薄膜的电学性能得到恢复。 展开更多

关键词 透明导电氧化物(tco)薄膜 湿热处理 退火 晶界迁移率 晶粒内迁移率

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可用于沉积透明导电氧化物薄膜的柔性衬底研究进展 被引量：7

14

作者 刘丹 黄友奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期43-46,共4页

柔性衬底表面沉积TCO薄膜具有许多独特的优点且应用广泛。但柔性衬底存在不耐高温的缺点,如何选择合适的柔性衬底,在表面沉积TCO薄膜过程中至关重要。简单介绍了各种柔性衬底的相关性能,阐述了当前国内外在该领域中各柔性衬底的研究成果... 柔性衬底表面沉积TCO薄膜具有许多独特的优点且应用广泛。但柔性衬底存在不耐高温的缺点,如何选择合适的柔性衬底,在表面沉积TCO薄膜过程中至关重要。简单介绍了各种柔性衬底的相关性能,阐述了当前国内外在该领域中各柔性衬底的研究成果,展望了未来柔性衬底的选择及应用趋势。 展开更多

关键词 柔性衬底 透明导电氧化物薄膜 柔性透明导电氧化物薄膜

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硅异质结太阳能电池用透明导电氧化物薄膜的研究现状及发展趋势

15

作者 夏鹏 傅萍 +2 位作者 黄金华 李佳 宋伟杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1-9,共9页

硅异质结(SHJ)太阳能电池是目前光伏产业中的重要组成部分,其由于具有高开路电压(V_(oc))等优点而引起了广泛的关注。在硅异质结太阳能电池中,透明导电氧化物(TCO)薄膜层的光学性能和电学性能分别影响着电池的短路电流(J_(sc))、填充因... 硅异质结(SHJ)太阳能电池是目前光伏产业中的重要组成部分,其由于具有高开路电压(V_(oc))等优点而引起了广泛的关注。在硅异质结太阳能电池中,透明导电氧化物(TCO)薄膜层的光学性能和电学性能分别影响着电池的短路电流(J_(sc))、填充因子(FF),进而影响电池的转换效率。近年来,SHJ电池中TCO层的研究主要集中于掺杂的In 2O 3和ZnO体系。本文从硅异质结太阳能电池的不同结构出发,概述了TCO薄膜的光电性能(透过率、禁带宽度、方块电阻、载流子浓度、迁移率和功函数)以及与相邻层的接触对电池性能的影响,介绍了不同体系的透明导电氧化物薄膜在硅异质结太阳能电池中的应用及研究现状,并展望其未来的发展趋势。 展开更多

关键词 硅异质结太阳能电池 背发射极结构 透明导电氧化物薄膜 迁移率

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非晶透明导电氧化物薄膜研究进展 被引量：4

16

作者 张晓锋 颜悦 +3 位作者 陈牧 刘宏燕 郝常山 张官理 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-16,共16页

随着有机/聚合物衬底的广泛使用,非晶透明导电氧化物薄膜由于兼具优异的透明与导电性、性能稳定、表面平整光滑、易于刻蚀和大面积制备、兼容现有工艺、无须后续退火处理进而简化工艺流程等优点,已应用于薄膜晶体管、有机/聚合物太阳能... 随着有机/聚合物衬底的广泛使用,非晶透明导电氧化物薄膜由于兼具优异的透明与导电性、性能稳定、表面平整光滑、易于刻蚀和大面积制备、兼容现有工艺、无须后续退火处理进而简化工艺流程等优点,已应用于薄膜晶体管、有机/聚合物太阳能电池、电致变色、电磁屏蔽等诸多领域。尽管非晶态透明导电氧化物的原理与结晶态的基本相同,但其不是简单的结晶态透明氧化物的非晶态,而是特定组元在特定条件下制备获得的。在简要介绍透明与导电及两者间的耦合关系的基础上,重点介绍了更为一般的非晶半导体氧化物的研究历程及其特点,并与结晶态透明导电氧化物薄膜对比,指出N型非晶透明导电氧化物的电子结构特征是其金属阳离子结构为(n-1)d10ns0,由于s电子轨道呈球对称,且相邻重叠积分较大,迁移率较高,结构容错性较强,因此可以稳定保持其结晶态时的中近程结构及优异的特性,并详细介绍了表征其近程结构的中程有序、因缺乏衡量周期的量子数而使用更为一般的态密度以及非晶结构的亚稳特性。在此基础上,详细举例介绍了N型和P型非晶透明导电氧化物体系的性质和特点,特别介绍了铟系非晶透明导电氧化物的种类和特点,其中又以氧化铟锌的性能最为优异。由于目前的非晶透明导电氧化物体系主要是针对N型导电的,故P型非晶透明导电氧化物的例子较少。最后结合产业动态简要介绍了非晶透明导电氧化物薄膜的应用领域,并结合当前研究现状和发展趋势指出了今后三个可能的研究发展方向:(1)非铟系透明导电氧化物的研究与开发有待进一步加强;(2)另辟蹊径开发P型透明导电氧化物的基本原理和材料;(3)充分发挥非晶透明导电氧化物的优势,拓展其在部分半导体领域的应用。 展开更多

关键词 薄膜 非晶 透明导电氧化物 稳定性 氧化铟

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P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展 被引量：2

17

作者 董培明 张铭 +2 位作者 兰伟 董国波 严辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期294-297,共4页

透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域，但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点，成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜... 透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域，但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点，成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质，综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。 展开更多

关键词 P型透明导电氧化物 层状结构 LaCuOS薄膜

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透明氧化物半导体及其溶液法制备薄膜晶体管 被引量：2

18

作者 周腾 陈征 崔铮 《中国材料进展》 CAS CSCD 2014年第3期144-150,179,共8页

透明氧化物电子材料是当今最重要的电子材料之一,其本质是一类具有高迁移率的宽带隙半导体。通过调节其组分和结构,可以大范围调节其载流子浓度,从而使其表现为半导体或者导体性质。因此,透明氧化物电子材料可用于多种器件,特别是作为... 透明氧化物电子材料是当今最重要的电子材料之一,其本质是一类具有高迁移率的宽带隙半导体。通过调节其组分和结构,可以大范围调节其载流子浓度,从而使其表现为半导体或者导体性质。因此,透明氧化物电子材料可用于多种器件,特别是作为半导体沟道和透明导电电极。透明导电氧化物更早成为了研究热点,并已在商业化应用中广泛使用,透明氧化物作为新一代半导体也被广泛研究,现在透明氧化物半导体薄膜晶体管已经可以实用化。在较低的温度和大气环境中,通过溶液法制备的透明氧化物,表现出了较好的电子特性,因此成为了印刷电子中重要的领域。简要地介绍了透明导电氧化物和透明氧化物半导体晶体管的发展历程,并概述了溶液法制备透明氧化物晶体管方面所做的研究及取得的最新进展。并指出,现今采用的溶液法制备工艺所存在的问题,特别是工艺温度偏高,应进一步深入研究,使在低温工艺下制备高性能透明氧化物晶体管工艺走向成熟,才能进入工业化生产。 展开更多

关键词 透明导电氧化物 透明氧化物薄膜晶体管 溶液法加工 印刷电子

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氧分压对直流磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电薄膜特性的影响 被引量：23

19

作者 马全宝 叶志镇 +3 位作者 何海平 朱丽萍 张银珠 赵炳辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1113-1116,共4页

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依... 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%. 展开更多

关键词 ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 氧分压 光电特性

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绒面ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备 被引量：8

20

作者 付恩刚 方玲 +1 位作者 庄大明 张弓 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期672-676,共5页

利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(98wt%ZnO+2wt%Al2O3)陶瓷靶材制备了绒面ZAO(ZnO∶Al)薄膜,考察了所制备的绒面ZAO薄膜与绒面SnO2∶F薄膜在绒度、粗糙度、表面形貌以及电学性质的差异,利用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行了分... 利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(98wt%ZnO+2wt%Al2O3)陶瓷靶材制备了绒面ZAO(ZnO∶Al)薄膜,考察了所制备的绒面ZAO薄膜与绒面SnO2∶F薄膜在绒度、粗糙度、表面形貌以及电学性质的差异,利用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行了分析并计算出薄膜表面粗糙度,利用紫外可见分光光度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性。结果表明:所制备的绒面ZAO薄膜具有与绒面SnO2∶F薄膜相比拟的各种性能,在非晶硅太阳电池中具有潜在的应用前景。 展开更多

关键词 磁控溅射 ZAO薄膜 SnO2:F薄膜 导电薄膜 绒面透明导电氧化物 陷光结构 掺铝氧化锌 非晶硅太阳电池

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