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背界面纳米光子结构提高透明导电氧化物基超薄Cu(In, Ga)Se_(2)太阳能电池电学性能的理论探究
1
作者 李航瑜 宋浩 +2 位作者 涂野 裴寒宁 殷官超 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第8期3063-3070,3088,共9页
透明导电氧化物(TCO)基超薄Cu(In, Ga)Se_(2)(CIGSe)太阳能电池具有建筑光伏一体化的潜力,然而由于背肖特基结的存在,其增大背复合速率S_b在提高空穴传输的同时也增加了光生电子背复合,从而抑制了其性能的提高。本文使用1D-SCAPS软件对... 透明导电氧化物(TCO)基超薄Cu(In, Ga)Se_(2)(CIGSe)太阳能电池具有建筑光伏一体化的潜力,然而由于背肖特基结的存在,其增大背复合速率S_b在提高空穴传输的同时也增加了光生电子背复合,从而抑制了其性能的提高。本文使用1D-SCAPS软件对背界面纳米光子结构(NPs)如何提高电池的性能进行理论探究,结果表明,背界面NPs的引入产生了复杂的电学效应。一方面,NPs本身不吸收光能,从而降低了背界面附近的有效光吸收体积,导致背界面光生载流子浓度降低,光生电子的背复合显著降低;另一方面,NPs的引入增加了吸收层厚度,导致空间电荷区(SCR)远离背界面,降低了其对光生电子的收集效率,增加了背复合。在高背复合速率(S_(b)=1.0×10^(7)cm·s^(-1))下,光生载流子浓度降低产生的背复合降低大于SCR移动产生的背复合增加,因此总体的背复合降低。与此同时,背复合的降低还缓解了高S_b时的光生电子损耗,从而解除了随S_b增大而增加的背复合对电池性能的抑制。这些发现为设计和优化TCO基超薄CIGSe太阳能电池提供了参考。 展开更多
关键词 TCO基超薄CIGSe太阳能电池 纳米光子结构 肖特基势垒 光捕获 背复合 透明导电氧化物
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特色功能材料——透明导电氧化物薄膜 被引量：4
2
作者 王华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期101-104,共4页
透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空... 透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空电子器件等领域。综述了透明导电氧化物薄膜的基本特性、制备方法及应用,并展望了其发展前景。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 功能材料 光电特性 制备方法 进展 透明导电氧化物薄膜 太阳能光伏电池 半导体特性 平板显示器件 真空电子器件
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可用于沉积透明导电氧化物薄膜的柔性衬底研究进展 被引量：7
3
作者 刘丹 黄友奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期43-46,共4页
柔性衬底表面沉积TCO薄膜具有许多独特的优点且应用广泛。但柔性衬底存在不耐高温的缺点,如何选择合适的柔性衬底,在表面沉积TCO薄膜过程中至关重要。简单介绍了各种柔性衬底的相关性能,阐述了当前国内外在该领域中各柔性衬底的研究成果... 柔性衬底表面沉积TCO薄膜具有许多独特的优点且应用广泛。但柔性衬底存在不耐高温的缺点,如何选择合适的柔性衬底,在表面沉积TCO薄膜过程中至关重要。简单介绍了各种柔性衬底的相关性能,阐述了当前国内外在该领域中各柔性衬底的研究成果,展望了未来柔性衬底的选择及应用趋势。 展开更多
关键词 柔性衬底 透明导电氧化物薄膜 柔性透明导电氧化物薄膜
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透明导电氧化物薄膜材料研究进展 被引量：37
4
作者 刘宏燕 颜悦 +3 位作者 望咏林 伍建华 张官理 厉蕾 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期63-82,共20页
透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜。综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则... 透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜。综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则。化学计量比的氧化物是不导电的,通过在薄膜中引入缺陷,包括氧空位、间隙原子或者外来杂质等,在禁带中形成缺陷能级,从而改变氧化物薄膜的导电性能,形成透明导电氧化物。根据掺杂离子的不同,即受主掺杂离子和施主掺杂离子,透明导电氧化物包括N型和P型半导体两种。在这种由于缺陷的引入而导电的透明氧化物薄膜中,载流子散射主要包括晶界散射、声子散射、杂质离子散射和孪晶界散射四种,其中晶界散射和杂质离子散射占主导。进一步地,重点介绍In2O3、SnO2和ZnO基掺杂透明导电氧化物薄膜的基本性能及应用。In2O3基透明导电氧化物由于其在制备低电阻率薄膜和半导体加工方面的优势,成为制作透明电极的主要材料,而SnO2和ZnO基透明导电氧化物由于成本低廉,在未来替代In2O3基透明导电氧化物在透明电极制备方面具有巨大的潜力。此外,结合多功能电子器件的发展,提出延展性能好的氧化物/金属/氧化物三明治结构的透明导电氧化物薄膜是将来的发展方向和研究重点。 展开更多
关键词 氧化铟 氧化锡 氧化锌 透明导电氧化物
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新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO_2的研究进展 被引量：8
5
作者 冯娴娴 赵小如 +2 位作者 刘凯 刘波 赵亮 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期84-88,共5页
新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2因其优异的光电性能成为当今研究的热门材料。本文详细阐述了Nb-TiO2薄膜的光电性能、影响Nb-TiO2光电特性的因素与机理以及目前的研究进展、前沿动态等,着重讨论了载流子浓度及其散射过程对光学透过率和... 新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2因其优异的光电性能成为当今研究的热门材料。本文详细阐述了Nb-TiO2薄膜的光电性能、影响Nb-TiO2光电特性的因素与机理以及目前的研究进展、前沿动态等,着重讨论了载流子浓度及其散射过程对光学透过率和导电性能的影响。 展开更多
关键词 Nb-TiO2 透明导电氧化物薄膜 光电机理
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透明导电氧化物薄膜的研究进展 被引量：32
6
作者 王敏 蒙继龙 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期5-7,共3页
综述了TCO薄膜的研究进展和应用前景。ITO薄膜是目前应用最广泛的薄膜,AZO薄膜是研究的热点,具有替代ITO薄膜的潜能。TCO薄膜因具有优异的光电性能而被应用在各种光电器件中,例如,平面液晶显示器,太阳能电池等。随着TCO薄膜制备方法的... 综述了TCO薄膜的研究进展和应用前景。ITO薄膜是目前应用最广泛的薄膜,AZO薄膜是研究的热点,具有替代ITO薄膜的潜能。TCO薄膜因具有优异的光电性能而被应用在各种光电器件中,例如,平面液晶显示器,太阳能电池等。随着TCO薄膜制备方法的不断改进、成熟以及聚合物基TCO薄膜的开发,TCO薄膜将具有更广阔的应用和发展空间。 展开更多
关键词 TCO SNO2 IN2O3 ZNO 制备方法 应用前景 透明导电氧化物薄膜
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透明导电氧化物薄膜研究的新进展 被引量：5
7
作者 张明福 许文彬 +2 位作者 沈海涛 王家智 韩杰才 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第5期811-815,共5页
透明导电氧化物(TCO)薄膜因其良好的光电性能,在光电器件上应用广泛,且已成为研究热点。p型TCO薄膜的出现开辟了透明导电氧化物研究的新领域,红外透明导电氧化物薄膜拓展了TCO薄膜的应用范围。该文综述了近几年p型TCO薄膜的研究进展,并... 透明导电氧化物(TCO)薄膜因其良好的光电性能,在光电器件上应用广泛,且已成为研究热点。p型TCO薄膜的出现开辟了透明导电氧化物研究的新领域,红外透明导电氧化物薄膜拓展了TCO薄膜的应用范围。该文综述了近几年p型TCO薄膜的研究进展,并简单介绍了新兴的红外透明导电氧化物薄膜的研究进展。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 红外透明 薄膜
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Cu基铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的研究进展 被引量：8
8
作者 刘文婷 张赟 +1 位作者 吴漫漫 李勇安 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期28-32,共5页
介绍了Cu基铜铁矿结构透明导电氧化物(TCO)材料的结构特点,综述了几种主要Cu基铜铁矿结构TCO材料如CuAlO2、CuGaO2、CuInO2和CuScO2在理论计算以及实验研究方面的最新进展。其中,CuAlO2的相关研究开始较早,数量较多;由于可能具有较高的... 介绍了Cu基铜铁矿结构透明导电氧化物(TCO)材料的结构特点,综述了几种主要Cu基铜铁矿结构TCO材料如CuAlO2、CuGaO2、CuInO2和CuScO2在理论计算以及实验研究方面的最新进展。其中,CuAlO2的相关研究开始较早,数量较多;由于可能具有较高的p型导电特性,CuScO2的相关研究也较多;而有关CuGaO2和CuInO2的研究则较少。最后介绍了这几种TCO材料在掺杂改性方面的研究进展。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 Cu基 铜铁矿 掺杂
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透明导电氧化物薄膜及其制备方法 被引量：7
9
作者 王华 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期59-63,共5页
综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的特性、应用及制备技术的发展,重点讨论了磁控溅射、脉冲激光沉积、溶胶-凝胶、喷射热分解等制备技术和柔性衬底TCO薄膜的制备状况、进展及发展趋势,并指出改进TCO薄膜制备技术的努力方向应体现完善薄膜... 综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的特性、应用及制备技术的发展,重点讨论了磁控溅射、脉冲激光沉积、溶胶-凝胶、喷射热分解等制备技术和柔性衬底TCO薄膜的制备状况、进展及发展趋势,并指出改进TCO薄膜制备技术的努力方向应体现完善薄膜性能、降低反应温度、提高控制精度、降低制备成本和适应集成化等趋势,而制备方法的选择则应根据薄膜的性能要求和不同的应用目的而不同。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 光电特性 制备工艺 柔性衬底 发展趋势
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热光伏系统中透明导电氧化物滤波器的优化分析 被引量：2
10
作者 茆磊 叶宏 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期781-787,共7页
建立了透明导电氧化物（TCOs）滤波器的理论模型，分析了载流子浓度和迁移率对其光学性能的影响。计算了TCOs滤波器应用于以GaSb电池为转换器的热光伏（TPV）系统的最佳载流子浓度和薄膜厚度，最后讨论了石英玻璃衬底厚度的影响。得出... 建立了透明导电氧化物（TCOs）滤波器的理论模型，分析了载流子浓度和迁移率对其光学性能的影响。计算了TCOs滤波器应用于以GaSb电池为转换器的热光伏（TPV）系统的最佳载流子浓度和薄膜厚度，最后讨论了石英玻璃衬底厚度的影响。得出以下结论：辐射器温度为1400～1600K时，匹配Al2O3／Er3Al5O12熔融陶瓷选择性辐射器的TCOs滤波器的最优载流子浓度、薄膜厚度区间分别为（4．3～4．4）×10^20 cm^-3、389～399nm，而匹配SiC灰体辐射器的则为（4．4～4．6）×10^20 cm^-3、382～383nm；石英玻璃衬底的厚度对TCOs滤波器性能的影响很小，可以忽略。辐射器温度为1500K时，Al2O3／Er3Al5O12选择性辐射器／TCOS滤波器／GaSh电池的TPV系统输出电功率密度为0．38w／cm^2，光谱效率和TPV效率分别为56．6％和16．7％． 展开更多
关键词 半导体技术 透明导电氧化物 滤波器 热光伏
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透明导电氧化物MgIn_2O_4的研究进展
11
作者 张俊刚 夏长泰 +1 位作者 吴锋 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期444-449,共6页
透明导电氧化物(TCO)材料由于它的特殊性质,在平板显示器和太阳能电池等方面得到了广泛的应用。MgIn2O4作为一种新型的尖晶石结构的透明导电材料,也受到了研究人员的重视,成为近年来的研究热点,常用的MgIn2O4材料制备方法包括固相合成... 透明导电氧化物(TCO)材料由于它的特殊性质,在平板显示器和太阳能电池等方面得到了广泛的应用。MgIn2O4作为一种新型的尖晶石结构的透明导电材料,也受到了研究人员的重视,成为近年来的研究热点,常用的MgIn2O4材料制备方法包括固相合成、磁控溅射、脉冲激光沉积等,本文综合国外学者的一些研究成果,介绍了目前MgIn2O4材料的制备方法及其性能提高和应用。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 MgIn2O4材料 磁控溅射 脉冲激光沉积
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p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展 被引量：7
12
作者 李军 兰伟 +2 位作者 张铭 董国波 严辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期115-118,共4页
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制... 透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望。 展开更多
关键词 透明导电氧化物(TCO) P型TCO CuAlO2薄膜
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P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展 被引量：2
13
作者 董培明 张铭 +2 位作者 兰伟 董国波 严辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期294-297,共4页
透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域，但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点，成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜... 透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域，但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点，成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质，综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。 展开更多
关键词 P型透明导电氧化物 层状结构 LaCuOS薄膜
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透明导电氧化物薄膜的湿热衰减特性研究 被引量：1
14
作者 王新巧 朱红兵 +4 位作者 陈静伟 李明 王辉 傅广生 麦耀华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1149-1155,共7页
将制备的3种透明导电氧化物（TCO）薄膜材料，即掺铝氧化锌（ZnO：A1，AZO）、掺硼氧化锌（ZnO：B，BZO）和掺氟氧化锡（SnO：FTO）薄膜进行温度为85℃和相对湿度为85％的湿热实验并进行退火，研究其光学和电学性质衰减特性以及恢复情... 将制备的3种透明导电氧化物（TCO）薄膜材料，即掺铝氧化锌（ZnO：A1，AZO）、掺硼氧化锌（ZnO：B，BZO）和掺氟氧化锡（SnO：FTO）薄膜进行温度为85℃和相对湿度为85％的湿热实验并进行退火，研究其光学和电学性质衰减特性以及恢复情况。研究表明：湿热实验和经过后续热处理的3种TCO薄膜的表面形貌基本不变；AZO和FTO薄膜光学和电学性能都相对稳定；但BZO薄膜的迁移率则是在湿热实验20h内由初始的19cm2／Vs迅速下降到1．99cm2／Vs，而BZO薄膜载流子浓度是在湿热处理327h由初始值7．2×1019/cm3迅速下降到8．8×1018／cm3，载流子浓度的降低导致薄膜在800-2200nm波长范围内的光吸收减少；通过对晶粒间迁移率和晶界处迁移率分析得到BZO薄膜的迁移率衰退主要与水分子侵入薄膜内部并被吸附在晶界处；适当的热处理可使BZO薄膜的电学性能得到恢复。 展开更多
关键词 透明导电氧化物(TCO)薄膜 湿热处理 退火 晶界迁移率 晶粒内迁移率
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双掺杂透明导电氧化物纳米线的制备与发光性能
15
作者 肖海花 陈翌庆 +3 位作者 徐亮 苏勇 朱黎昂 周庆涛 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期11-14,共4页
文章以金属镓(Ga)、铟(In)和氧化亚锡(SnO)粉末作为前驱反应物,通过简单的热蒸方法成功制备出双掺杂的氧化物ISGO(掺杂了In、Sn的Ga2O3)纳米线。样品的形貌、结构与成分的测定分别在场发射扫描电镜、X射线衍射谱仪、选区电子衍射、高分... 文章以金属镓(Ga)、铟(In)和氧化亚锡(SnO)粉末作为前驱反应物,通过简单的热蒸方法成功制备出双掺杂的氧化物ISGO(掺杂了In、Sn的Ga2O3)纳米线。样品的形貌、结构与成分的测定分别在场发射扫描电镜、X射线衍射谱仪、选区电子衍射、高分辨透射电镜以及X射线能量散射谱仪上进行,结果表明已合成的纳米线为掺杂In和Sn具有单斜晶结构的-βGa2O3;还提出了用自催化气-液-固(VLS)生长机制来解释双掺杂氧化物ISGO纳米线的生长;提出了由于Sn和In成分的双掺杂,使得其发光峰的峰位明显红移、半高宽变宽。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 双掺杂氧化物 光致发光
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硅异质结太阳能电池用透明导电氧化物薄膜的研究现状及发展趋势
16
作者 夏鹏 傅萍 +2 位作者 黄金华 李佳 宋伟杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1-9,共9页
硅异质结(SHJ)太阳能电池是目前光伏产业中的重要组成部分,其由于具有高开路电压(V_(oc))等优点而引起了广泛的关注。在硅异质结太阳能电池中,透明导电氧化物(TCO)薄膜层的光学性能和电学性能分别影响着电池的短路电流(J_(sc))、填充因... 硅异质结(SHJ)太阳能电池是目前光伏产业中的重要组成部分,其由于具有高开路电压(V_(oc))等优点而引起了广泛的关注。在硅异质结太阳能电池中,透明导电氧化物(TCO)薄膜层的光学性能和电学性能分别影响着电池的短路电流(J_(sc))、填充因子(FF),进而影响电池的转换效率。近年来,SHJ电池中TCO层的研究主要集中于掺杂的In 2O 3和ZnO体系。本文从硅异质结太阳能电池的不同结构出发,概述了TCO薄膜的光电性能(透过率、禁带宽度、方块电阻、载流子浓度、迁移率和功函数)以及与相邻层的接触对电池性能的影响,介绍了不同体系的透明导电氧化物薄膜在硅异质结太阳能电池中的应用及研究现状,并展望其未来的发展趋势。 展开更多
关键词 硅异质结太阳能电池 背发射极结构 透明导电氧化物薄膜 迁移率
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非晶透明导电氧化物薄膜研究进展 被引量：4
17
作者 张晓锋 颜悦 +3 位作者 陈牧 刘宏燕 郝常山 张官理 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-16,共16页
随着有机/聚合物衬底的广泛使用,非晶透明导电氧化物薄膜由于兼具优异的透明与导电性、性能稳定、表面平整光滑、易于刻蚀和大面积制备、兼容现有工艺、无须后续退火处理进而简化工艺流程等优点,已应用于薄膜晶体管、有机/聚合物太阳能... 随着有机/聚合物衬底的广泛使用,非晶透明导电氧化物薄膜由于兼具优异的透明与导电性、性能稳定、表面平整光滑、易于刻蚀和大面积制备、兼容现有工艺、无须后续退火处理进而简化工艺流程等优点,已应用于薄膜晶体管、有机/聚合物太阳能电池、电致变色、电磁屏蔽等诸多领域。尽管非晶态透明导电氧化物的原理与结晶态的基本相同,但其不是简单的结晶态透明氧化物的非晶态,而是特定组元在特定条件下制备获得的。在简要介绍透明与导电及两者间的耦合关系的基础上,重点介绍了更为一般的非晶半导体氧化物的研究历程及其特点,并与结晶态透明导电氧化物薄膜对比,指出N型非晶透明导电氧化物的电子结构特征是其金属阳离子结构为(n-1)d10ns0,由于s电子轨道呈球对称,且相邻重叠积分较大,迁移率较高,结构容错性较强,因此可以稳定保持其结晶态时的中近程结构及优异的特性,并详细介绍了表征其近程结构的中程有序、因缺乏衡量周期的量子数而使用更为一般的态密度以及非晶结构的亚稳特性。在此基础上,详细举例介绍了N型和P型非晶透明导电氧化物体系的性质和特点,特别介绍了铟系非晶透明导电氧化物的种类和特点,其中又以氧化铟锌的性能最为优异。由于目前的非晶透明导电氧化物体系主要是针对N型导电的,故P型非晶透明导电氧化物的例子较少。最后结合产业动态简要介绍了非晶透明导电氧化物薄膜的应用领域,并结合当前研究现状和发展趋势指出了今后三个可能的研究发展方向:(1)非铟系透明导电氧化物的研究与开发有待进一步加强;(2)另辟蹊径开发P型透明导电氧化物的基本原理和材料;(3)充分发挥非晶透明导电氧化物的优势,拓展其在部分半导体领域的应用。 展开更多
关键词 薄膜 非晶 透明导电氧化物 稳定性 氧化铟
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透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能 被引量：11
18
作者 田苗苗 范翊 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期605-608,共4页
以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜（IBO）。实验表明：IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×10^19cm^-3,载流子迁移率达到50.21cm^2·V^-1·s^-1,电... 以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜（IBO）。实验表明：IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×10^19cm^-3,载流子迁移率达到50.21cm^2·V^-1·s^-1,电导率为3.143×10^-3Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率超过82%,功函数为4.76eV。采用其作为阳极制作的OLED得到最大亮度30230cd/m^2,最大电流效率为5.1cd/A。结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极材料。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 掺杂 IN2O3 BI2O3 有机电致发光器件
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铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析 被引量：1
19
作者 初学峰 黄林茂 +2 位作者 张祺 谢意含 胡小军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期848-854,共7页
本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样... 本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样品的表面较为均匀。通过X射线光电子能谱仪(XPS)表征薄膜样品表面的元素、组成、价态和电子态信息,结果表明制备方式与退火处理等因素影响了薄膜样品表面的元素组成与价态,这些信息与薄膜的电学和光学性能具有一定的关联。上述研究结果可以为新型透明导电薄膜的设计和性能提升提供参考。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 磁控溅射 退火 表面形貌 X射线光电子能谱 透过率
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透明导电材料研究进展 被引量：2
20
作者 张聪 梁柄权 +4 位作者 王晓峰 陈新亮 侯国付 赵颖 张晓丹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期72-84,共13页
近年来,透明导电材料(Transparent conductive materials, TCM)作为触摸屏、液晶显示器(LCD)、智能窗、太阳电池(Solar cells)、发光二极管(LED)等先进光电子器件中的关键组件,其作用尤其重要。氧化铟锡(ITO)薄膜具有优异的光学和电学性... 近年来,透明导电材料(Transparent conductive materials, TCM)作为触摸屏、液晶显示器(LCD)、智能窗、太阳电池(Solar cells)、发光二极管(LED)等先进光电子器件中的关键组件,其作用尤其重要。氧化铟锡(ITO)薄膜具有优异的光学和电学性能,是光电器件中应用广泛的透明导电材料。然而,铟元素的稀缺性、易碎性以及沉积过程中对底层薄膜的潜在损坏限制了其在未来新型光电子器件中的应用。开发适应高性能光电器件应用的TCM成为当前研究的重点。本文综述了透明导电氧化物、超薄金属和金属网格、介质层/金属/介质层(Dielectric/metal/dielectric, DMD)、碳纳米管和石墨烯等类型的TCM光电性能、应用领域、近年来相应的研究策略和重要成果、面临的挑战以及未来发展方向。 展开更多
关键词 透明导电材料 透明导电氧化物 超薄金属和金属网格 纳米材料
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