反应磁控溅射法制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜的结构和透明导电性能 被引量：1

1

作者 祝柏林 郑思龙 +1 位作者 谢挺 吴隽 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期98-104,共7页

以Zn/ZnO/ZnF_(2)混合物为靶材,在衬底温度(T_(s))为150℃和300℃、溅射气氛为Ar+O_(2)和Ar+H_(2)下反应溅射制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜,研究气体流量、T_(s)以及溅射气氛对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果表明:对于Ar+O_(2)下制备的FZ... 以Zn/ZnO/ZnF_(2)混合物为靶材,在衬底温度(T_(s))为150℃和300℃、溅射气氛为Ar+O_(2)和Ar+H_(2)下反应溅射制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜,研究气体流量、T_(s)以及溅射气氛对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果表明:对于Ar+O_(2)下制备的FZO薄膜,T_(s)=300℃时有利于制备出具有(002)择优取向、结晶度高、压应力低且透明导电性能较好的薄膜。对于Ar+H_(2)下制备的薄膜,T_(s)增大到300℃虽然提高了薄膜结晶度和透光性,降低了压应力,但薄膜厚度明显降低,薄膜导电性能变差。比较两种气氛下制备的FZO薄膜,发现Ar+H_(2)下制备的薄膜可在150℃和0.8~3.2 mL·min^(-1)的H_(2)流量范围内得到更好的透明导电性能(电阻率为3.5×10^(-3)Ω·cm,可见光平均透光率为87%)。讨论Ar+H_(2)气氛时H等离子的刻蚀作用与H掺杂、Ar+O_(2)气氛时O离子的轰击作用与薄膜氧缺陷的变化、T_(s)升高时沉积原子反应活性与迁移能力增强以及Eg与载流子浓度的关系。 展开更多

关键词 复合靶材 反应溅射 FZO薄膜 透明导电性 禁带宽度

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反应溅射法制备AZO薄膜的结构和透明导电性能

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作者 祝柏林 李昆鹏 +1 位作者 谢挺 吴隽 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第3期443-449,共7页

不同于常用的金属或氧化物靶材,本研究以表面粘贴Al片的Zn/Zn O混合物(Al@Zn/Zn O)为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃,溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备Al掺杂Zn O(AZO)薄膜。通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见... 不同于常用的金属或氧化物靶材,本研究以表面粘贴Al片的Zn/Zn O混合物(Al@Zn/Zn O)为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃,溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备Al掺杂Zn O(AZO)薄膜。通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了Ts以及O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果发现,随O2流量增加,两种Ts下制备的AZO薄膜保持(002)择优取向,薄膜中压应力呈下降的趋势,而薄膜结晶度趋向于先增加后略有下降。薄膜的导电性能随O2流量增加呈逐渐增强的趋势。当O2流量高于一定值时,薄膜可以获得较高的可见光透过率,因此达到较高的品质因子。当Ts从150℃增加到300℃,薄膜的压应力降低,结晶度提高,但导电性未见明显提高。另外,薄膜禁带宽度主要由薄膜中压应力决定。与Ar+O2下制备的AZO薄膜相比,Ar+H2气氛下制备的薄膜基本上为非晶态,其导电性能差,而可见光透过率较高、禁带宽度较大。 展开更多

关键词 复合靶材 反应溅射 AZO薄膜 透明导电性 禁带宽度 品质因子

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新型透明导电性PC

3

作者 严淑芬 《现代塑料加工应用》 CAS 北大核心 2014年第5期7-7,共1页

据＂www.ptonline.com＂报道,沙特基础工业公司（SABIC）与新加坡Cima Nano Tech合作开发出一种新型透明导电性聚碳酸酯（PC）,该透明导电性PC具有高透明性、好的柔韧性和导电性。主要用于电子产品、汽车、建筑和医疗保健品等和医疗保... 据＂www.ptonline.com＂报道,沙特基础工业公司（SABIC）与新加坡Cima Nano Tech合作开发出一种新型透明导电性聚碳酸酯（PC）,该透明导电性PC具有高透明性、好的柔韧性和导电性。主要用于电子产品、汽车、建筑和医疗保健品等和医疗保健品等。 展开更多

关键词 透明导电性 PC 沙特基础工业公司 医疗保健品 CIMA NANO 聚碳酸酯 合作开发

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帝人化成公司开发出全球最高水平的透明导电性薄膜

4

《石油化工》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期307-307,共1页

日本帝人化成公司开发出一种新型透明导电性薄膜。该薄膜具有防止画面分辨率下降的特点，它的画面分辨率可达全球最高水平。公司已向大触摸屏生产商提供试样，并得到高度评价。这次开发的新产品具有非常适宜的薄膜折射率和反射等光学特性。

关键词 薄膜折射率 透明导电性 开发 高水 人化 画面分辨率 光学特性 生产商

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日东电工株式会社推出新型透明导电性膜

5

《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期45-45,共1页

关键词 透明导电性 株式会社 透明膜 电工 SIOX 干法工艺 硬涂层 侧面

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氧化物薄层光电晶体的制备及其透明导电性研究

6

作者 罗文秀 任鹏程 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第5期6-8,40,共4页

综合报道采用有机金属化学气相沉积技术研制Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎ氧化物光电薄层晶体的结果。给出了通过ＭＯＣＶＤ技术获得透明导电的ＴｉＯ２－ｘ，Ｆｅ２Ｏ３．Ｔｉ，ＳｎＯ２．Ｐ，ＳｎＯ２．Ｓｂ，ＳｎＯ２．Ｆ，Ｉｎ２Ｏ... 综合报道采用有机金属化学气相沉积技术研制Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎ氧化物光电薄层晶体的结果。给出了通过ＭＯＣＶＤ技术获得透明导电的ＴｉＯ２－ｘ，Ｆｅ２Ｏ３．Ｔｉ，ＳｎＯ２．Ｐ，ＳｎＯ２．Ｓｂ，ＳｎＯ２．Ｆ，Ｉｎ２Ｏ３．Ｓｎ和ＺｎＯ．Ｈ薄层晶体的方法。讨论了这些膜的导电机制。提供了它们在太阳能电池中的应用途径。 展开更多

关键词 光电薄层晶体 透明导电性 制造

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喷雾热分解法制备SnO_2透明导电薄膜 被引量：10

7

作者 张锦文 武光明 +2 位作者 宋世庚 龚健 陶明德 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期313-313,316,共2页

利用压缩空气雾化器，通过喷雾热分解法，以ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ为原料，在载玻片上成功制备了ＳｎＯ２薄膜。在１１０℃到３６５℃间的不同沉积温度下进行镀膜，考察了沉积温度、沉积时间对ＳｎＯ２薄膜制备的影响。结果表明：在... 利用压缩空气雾化器，通过喷雾热分解法，以ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ为原料，在载玻片上成功制备了ＳｎＯ２薄膜。在１１０℃到３６５℃间的不同沉积温度下进行镀膜，考察了沉积温度、沉积时间对ＳｎＯ２薄膜制备的影响。结果表明：在３２５℃的沉积温度下，薄膜已晶化。随温度升高，喷雾时间增加，方块电阻降低。３２５℃下的样品在可见光区透射率达８０％以上，近红外区透射率达９０％以上。 展开更多

关键词 喷雾热分解 薄膜 透明导电性 二氧化锡

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透明导电半导体ZnO膜的研究 被引量：7

8

作者 蒋向东 张怀武 黄祥成 《应用光学》 CAS CSCD 2002年第2期35-38,共4页

本文采用独特的电子束蒸镀方法，在光学镀膜机上，以 ＺｎＯ＋３％Ａｌ２Ｏ３和 ＺｎＯ为膜料．ｋ９光学玻璃为衬底，制备出ＺｎＯ 膜。膜层为多晶膜，可见光透过率为Ｔ＝７０－９０％，电阻率ｐ＝１×１０－５Ω·ｍ，方电阻为... 本文采用独特的电子束蒸镀方法，在光学镀膜机上，以 ＺｎＯ＋３％Ａｌ２Ｏ３和 ＺｎＯ为膜料．ｋ９光学玻璃为衬底，制备出ＺｎＯ 膜。膜层为多晶膜，可见光透过率为Ｔ＝７０－９０％，电阻率ｐ＝１×１０－５Ω·ｍ，方电阻为 Ｒ　＝１５０±５０±５０Ω／　，膜机械强度超过国标单层标准，找到实用最佳工艺条件。 展开更多

关键词 ZnO膜 透明导电性 电子束蒸镀方法 透明导电氧化物半导体薄膜 氧化锌薄膜

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透明导电薄膜材料的研究与发展趋势 被引量：13

9

作者 蔡珣 王振国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期76-82,共7页

本文简述了透明导电薄膜材料的发展现况和趋势,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态.材料设计原理及其应用进行了重点介绍,并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论.

关键词 透明导电性 氧化物透明导电膜 功函数 相空间 复合多层膜

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反应溅射法制备高透明导电ZnO薄膜的研究 被引量：2

10

作者 谢挺 祝柏林 +3 位作者 杨玉婷 张俊峰 龙晓阳 吴隽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期711-717,共7页

利用Zn/Zn O复合靶材,通过射频磁控溅射技术,在衬底温度为150℃时分别在Ar+O2和Ar+H2的混合气氛中制备Zn O薄膜,通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果发现,... 利用Zn/Zn O复合靶材,通过射频磁控溅射技术,在衬底温度为150℃时分别在Ar+O2和Ar+H2的混合气氛中制备Zn O薄膜,通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果发现,薄膜厚度随O2流量增加而明显增加而随H2流量增加呈下降趋势。只有通入合适流量的O_2或H_2,薄膜才能保持(002)择优取向、较高的结晶度以及较小的压应力,同时在薄膜中形成高浓度VO和/或Hi等缺陷,因此有效降低Zn O薄膜的电阻率,并保持高的透光率,从而改善Zn O薄膜透明导电性能。当前研究中,当O_2和H_2流量分别为0.4 sccm和2.0 sccm时,得到的最低电阻率分别为6.33×10-3和2.51×10-3Ω·cm,平均透光率均大约为81.5%,相应的最高品质因子分别为1.04×10-3和1.29×10-3Ω-1。 展开更多

关键词 Zn/ZnO复合靶 反应溅射 气体流量 ZNO薄膜 结晶度 透明导电性

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插入NiCr合金层对SnO_(2)/Ag/SnO_(2)多层结构透明导电薄膜热稳定性的影响

11

作者 郑思龙 祝柏林 +2 位作者 易昌鸿 王崇杰 吴隽 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期2167-2173,共7页

室温下通过磁控溅射技术制备了SnO_(2)/Ag/SnO_(2)(SAS)、SnO_(2)/Ag/NiCr/SnO_(2)(SANS)和SnO_(2)/NiCr/Ag/NiCr/SnO_(2)(SNANS)三类多层膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了大气... 室温下通过磁控溅射技术制备了SnO_(2)/Ag/SnO_(2)(SAS)、SnO_(2)/Ag/NiCr/SnO_(2)(SANS)和SnO_(2)/NiCr/Ag/NiCr/SnO_(2)(SNANS)三类多层膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了大气和真空退火温度与薄膜结构、形貌和透明导电性能的关系。结果表明,随着退火温度升高,薄膜的结晶程度及透明导电性能先增强后下降,薄膜的粗糙度先下降后上升。插入NiCr合金层提高了薄膜的热稳定性,且在Ag层两侧插入厚的NiCr合金层时薄膜热稳定性最优。而薄膜在真空环境下比在大气环境下的热稳定性更优。450℃真空退火后,SNANS(1 nm NiCr)薄膜平均透光率(400~800 nm)为90.31%,电阻率为8.21×10^(-5)Ω·cm,品质因子为3.87×10^(-2)Ω^(-1)。 展开更多

关键词 氧化物/金属/氧化物多层膜 透明导电性 退火处理 热稳定性 品质因子

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氧化锌薄膜研究的新进展 被引量：12

12

作者 贾晓林 张海军 谭伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第F09期207-209,213,共4页

ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料。ZnO薄膜的制备方法多样,薄膜的性质取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关。简述了ZnO薄膜的制备方法与基本性质与应用,分析了ZnO薄膜研究、应用与开发现状,展望了产... ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料。ZnO薄膜的制备方法多样,薄膜的性质取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关。简述了ZnO薄膜的制备方法与基本性质与应用,分析了ZnO薄膜研究、应用与开发现状,展望了产业化发展前景。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 制备方法 压电性 透明导电性 光电性 气敏性 压敏性 晶格结构 半导体

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