基于不同衬底材料的TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)多层复合透明导电薄膜的制备与性能研究

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作者 陶凯 丁海 +4 位作者 张佳艺 李孟范 王玉丹 王吴鸽 郭晓茹 《精密成形工程》 北大核心 2025年第3期188-197,共10页

目的在不同衬底材料上磁控溅射沉积TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)多层复合透明导电薄膜并分析其微观结构和光电性能,以探讨衬底材料对复合薄膜性能的影响规律。方法选用纯度≥99.99%的TiO_(2)、Cu和Ag靶材,采用射频和直流溅射电源,在钙钠玻璃... 目的在不同衬底材料上磁控溅射沉积TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)多层复合透明导电薄膜并分析其微观结构和光电性能,以探讨衬底材料对复合薄膜性能的影响规律。方法选用纯度≥99.99%的TiO_(2)、Cu和Ag靶材,采用射频和直流溅射电源,在钙钠玻璃和柔性PET衬底上分别逐层溅射沉积不同结构参数的TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)复合薄膜。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪等对薄膜的微观形貌、物相、透光性和导电性进行检测。结果在玻璃衬底上逐层沉积已优化结构的复合薄膜,得到界面组织均匀、透光性和导电性优异的样品,可见光波段的平均透射率T_(ave(400-800))为91.73%,表面电阻R_(s)为5.52Ω/□,品质因子ϕ_(TC(400-800))达76.47×10^(-3)Ω^(-1)。在PET衬底上沉积的柔性复合薄膜的导电性和透光性均低于同结构的玻璃衬底样品的相应特性,T_(ave(400-800))为84.65%,R_(s)为8.58Ω/□,ϕ_(TC(400-800))为22.02×10^(-3)Ω^(-1)。结论亚纳米厚度Cu种子层的引入可有效增强金属导电层在TiO_(2)介质层上沉积成膜的均匀性,在较高表面粗糙度的柔性衬底上沉积的复合薄膜相对于同结构的玻璃衬底薄膜显示出较低的透光和导电性能。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 多层结构 磁控溅射 介质层 种子层

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介质/金属/介质多层透明导电薄膜研究进展 被引量：8

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作者 刘静 刘丹 顾真安 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期9-12,共4页

综述了介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层透明导电膜材料的特点、制备方法、研究进展与应用现状,重点比较讨论了 ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS 的膜系结构、光电性能、化学稳定性、热稳定性等特点,以及与国内外的研究... 综述了介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层透明导电膜材料的特点、制备方法、研究进展与应用现状,重点比较讨论了 ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS 的膜系结构、光电性能、化学稳定性、热稳定性等特点,以及与国内外的研究差距。ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS 是目前光电性能最好,且无需引入过渡层的两种 D/M/D膜系,但有关其热稳定性的评价和研究存在不同的观点。用资源丰富、价格便宜、无毒的掺铝氧化锌(ZAO)薄膜取代含有价格昂贵的贵金属铟的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,ZAO/Ag/ZAO 膜系结构的设计、薄膜制备、光电性能与 IMI 的对比研究是目前国内外 D/M/D 研究中的热点课题和 D/M/D 发展的主要方向。 展开更多

关键词 透明导电膜 多层(D/M/D)膜 低辐射 透明导电薄膜 金属铟 介质 多层 膜系结构 光电性能 热稳定性

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ZnO和Al_2O_3缓冲层对AZO透明导电膜薄膜性能的影响 被引量：3

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作者 田力 陈姗 +3 位作者 蒋马蹄 廉淑华 杨世江 唐世洪 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第4期605-608,共4页

采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9%,质量分数98%ZnO、2%Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO∶Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助X线... 采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9%,质量分数98%ZnO、2%Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO∶Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱仪(UV-Vis)等方法测试和分析了不同缓冲层,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能的影响。结果表明:加入缓冲层后,在衬底温度为200℃时,溅射30min,负偏压为60V、在氮气气氛下经300℃退火处理后,制得薄膜的可见光透过率为83%～87%,AZO薄膜的最低电阻率,从9.2×10-4Ω.cm(玻璃)分别下降到8.0×10-4Ω.cm(ZnO)和5.4×10-4Ω.cm(Al2O3)。 展开更多

关键词 ZnO∶Al(AZO) 磁控溅射法 ZnO缓冲层 Al2O3缓冲层 透明导电薄膜

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金属基复合透明导电多层膜的研究进展 被引量：4

4

作者 王振国 蔡珣 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期1-3,16,共4页

简要分析了金属基复合透明导电多层膜的发展及应用现状,对其原理、结构设计、稳定性等方面的研究概况及其存在的问题进行了讨论。阐述了金属基复合透明导电多层膜的发展趋势。

关键词 金属基 透明导电膜 多层膜 光电性能

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银基透明导电多层膜界面研究进展 被引量：1

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作者 张晓锋 颜悦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B02期6-10,共5页

由于具有较低的电阻率和成本、较好的机械加工性能、设计上的灵活性,可室温沉积等优点,银基透明导电多层膜已广泛应用于低辐射膜、强电磁屏蔽、低功耗光电子器件特别是柔性电子器件等领域。但由于材料自身的性质与制备条件的差异性,实... 由于具有较低的电阻率和成本、较好的机械加工性能、设计上的灵活性,可室温沉积等优点,银基透明导电多层膜已广泛应用于低辐射膜、强电磁屏蔽、低功耗光电子器件特别是柔性电子器件等领域。但由于材料自身的性质与制备条件的差异性,实际制备的金属/电介质(或半导体)透明导电多层膜界面处往往存在表面等离子体共振、界面导电电子散射、膜层脱层开裂等问题,这些均与多层膜界面特性密切相关。本文针对这类问题,评述了近年来银基透明导电多层膜界面研究的进展,并对今后发展给予分析和展望。 展开更多

关键词 银基透明导电薄膜 多层膜 界面研究 表面等离子体共振(SPR)

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缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)

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作者 张化福 李雪 +2 位作者 类成新 刘汉法 袁长坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期490-493,共4页

利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒... 利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。 展开更多

关键词 ZnO∶Zr薄膜 缓冲层 磁控溅射 透明导电薄膜

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退火温度对透明导电Ga_2O_3/ITO周期多层膜性能的影响

7

作者 赵银女 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期559-563,共5页

用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和... 用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020 cm-3和14.02cm2 V-1 s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83％,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV. 展开更多

关键词 磁控溅射 多层膜 透明导电膜 退火 光学性质 电学性质

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透明导电GZO/Cu/GZO多层薄膜的室温生长及性能研究 被引量：1

8

作者 别勋 王钰萍 +1 位作者 吕建国 叶志镇 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2011年第2期214-218,共5页

研究Ga掺杂ZnO(GZO)和Cu薄膜形成的GZO/Cu/GZO多层薄膜体系,以期提高透明导电薄膜的综合性能。GZO/Cu/GZO多层薄膜由直流磁控溅射技术在室温下制备,研究Cu层厚度对多层薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明GZO/Cu/GZO多层薄膜具有... 研究Ga掺杂ZnO(GZO)和Cu薄膜形成的GZO/Cu/GZO多层薄膜体系,以期提高透明导电薄膜的综合性能。GZO/Cu/GZO多层薄膜由直流磁控溅射技术在室温下制备,研究Cu层厚度对多层薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明GZO/Cu/GZO多层薄膜具有较好的结晶性能。随着Cu层厚度的增加,多层薄膜的可见光透射率有所降低,同时电学性能大幅度提升。在Cu层厚度为7.5 nm时,GZO/Cu/GZO多层薄膜获得最优的光电综合性能指标,且相对于单层GZO薄膜ΦTC因子从7.65×10-5Ω-1增加到1.48×10-3Ω-1。 展开更多

关键词 ZNO 多层薄膜 透明导电 磁控溅射

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原子层沉积及其在透明导电薄膜领域的研究与应用 被引量：1

9

作者 段超 李坤 +4 位作者 高岗 杨磊 徐梁格 浩钢 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1052-1066,共15页

集成电路行业器件尺寸不断缩小,表面更复杂,对镀膜提出了更高的要求,而原子层沉积因其保形性和自限制生长的优势而获得了广泛的关注和研究。本文在简要介绍一些常用的镀膜方式基础上,对原子层沉积原理及自限制生长进行了重点介绍。以氧... 集成电路行业器件尺寸不断缩小,表面更复杂,对镀膜提出了更高的要求,而原子层沉积因其保形性和自限制生长的优势而获得了广泛的关注和研究。本文在简要介绍一些常用的镀膜方式基础上,对原子层沉积原理及自限制生长进行了重点介绍。以氧化铟为代表,通过对比分析说明原子层沉积制备薄膜在形貌、成分等方面的优越性,对不同方式制备的常见透明导电薄膜的光电性能进行了总结。详细讨论了原子层沉积的应用范围,包括在大尺寸基底,如大平面和大曲率基底上可以制备高质量薄膜,在小尺寸基底,如粉体、沟槽、微纳结构上仍然有着超高的保形性。最后对原子层沉积制备薄膜的优势进行了总结,对其独特的发展潜力进行了展望。 展开更多

关键词 原子层沉积 透明导电薄膜 镀膜方式 形貌 成分 光电性能

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基于旋涂法和电子束蒸发法制备的V2O5/Ag/V2O5叠层透明导电薄膜 被引量：2

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作者 佐婧 郭晓阳 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期360-365,共6页

利用溶胶-凝胶技术与电子束蒸镀相结合的方法在常温下制备了叠层V2O5/Ag/V2O5(VAV)透明导电薄膜,研究了各层薄膜厚度对叠层结构光电特性的影响.用原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪及开尔文探针对样品的表面形貌、光... 利用溶胶-凝胶技术与电子束蒸镀相结合的方法在常温下制备了叠层V2O5/Ag/V2O5(VAV)透明导电薄膜,研究了各层薄膜厚度对叠层结构光电特性的影响.用原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪及开尔文探针对样品的表面形貌、光电性能及功函数等性质进行了表征.实验结果表明,该薄膜具有良好的光学和电学性质,可见光(380 ～ 780 nm)平均透过率达75％,迁移率为16.89 cm2/(V·s),载流子浓度为-1.043×1022 cm-3,方块电阻值为15.1 Ω/□,功函数为5.17 eV.该制备方法降低了V2O5薄膜的工艺制备难度,为该材料在太阳能电池中的应用创造了良好的前期基础. 展开更多

关键词 溶胶-凝胶技术 透明导电薄膜 V2O5/Ag/V2O5叠层

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GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率

11

作者 张李骊 刘战辉 +3 位作者 钟霞 修向前 张荣 谢自力 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期51-56,62,共7页

详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米... 详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米尺度的突起,而纳米级Ni/Au TCL样品表面则较为平整;研究波长范围内,Ga Zn O薄膜具有较高的透射率(大于90%)。对两种LED芯片的光电特性进行测试,结果表明,Ga Zn O作为透明导电层的LED芯片发光均匀,具有较小的正向开启电压、等效串联电阻,发光峰中心波长变化仅有5.6 nm,而发光效率相对于传统的Ni/Au TCL LED提高40%,光电工作特性优异。 展开更多

关键词 绿光发光二极管(LED) 镓掺杂氧化锌(GaZnO)薄膜 发光效率 透明导电层(tcl) 多量子阱(MQW)

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基于Sb_2O_3/Ag/Sb_2O_3叠层透明导电薄膜的自组装沟道透明薄膜晶体管 被引量：1

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作者 张楠 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期1469-1473,共5页

首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3(SAS)叠层透明导电薄膜作为透明电极,并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺,在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的... 首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3(SAS)叠层透明导电薄膜作为透明电极,并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺,在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的透明薄膜晶体管具有良好的器件性能,其迁移率高达11.36cm2/(V·s)。整个器件在可见光范围内的平均透过率为80%。结果表明,这种透明薄膜晶体管有希望应用于低成本透明光电子产品中。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 Sb2O3/Ag/Sb2O3叠层 自组装沟道 透明薄膜晶体管

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基于铝浸润层的超薄银透明导电薄膜研究

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作者 李栋 潘永强 +2 位作者 刘欢 郑志奇 周泽林 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期980-985,共6页

超薄银薄膜具有高柔韧性和优良的光电性能,是用于透明导电电极的潜在材料。通过电阻热蒸发技术以金属铝作为浸润层制备超薄银透明导电薄膜。引入铝浸润层降低银薄膜的阈值厚度,使银薄膜在K9玻璃基底上以尽可能低的厚度达到连续。对不同... 超薄银薄膜具有高柔韧性和优良的光电性能,是用于透明导电电极的潜在材料。通过电阻热蒸发技术以金属铝作为浸润层制备超薄银透明导电薄膜。引入铝浸润层降低银薄膜的阈值厚度,使银薄膜在K9玻璃基底上以尽可能低的厚度达到连续。对不同厚度铝浸润层上银薄膜方块电阻进行测试,经SEM图像验证后得出,1 nm铝浸润层对银薄膜具有较好的浸润效果。随后采用相同的工艺在1 nm铝浸润层上制备了不同厚度的银薄膜,透过率和方阻测试结果表明,1 nm铝浸润层上制备的10 nm银薄膜方阻值可达到13Ω/,其在0.4μm~2.5μm波段内透过率可达到50%以上。 展开更多

关键词 超薄银薄膜 铝浸润层 电阻热蒸发 透明导电薄膜

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原子层沉积技术用于红外透明导电薄膜

14

作者 段超 李坤 +1 位作者 高岗 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第8期1553-1553,F0004,共2页

二十世纪六七十年代,前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov首次提出了原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,但受限于沉积效率低、表面化学反应复杂、设备要求较高等因素而未得到发展。二十世纪九十年代以后,集成电路行业器件尺寸... 二十世纪六七十年代,前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov首次提出了原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,但受限于沉积效率低、表面化学反应复杂、设备要求较高等因素而未得到发展。二十世纪九十年代以后,集成电路行业器件尺寸不断减小,纵横比不断增大,器件表面更加复杂,镀膜困难程度不断提高。ALD技术以其可自限制生长和共形沉积的特点,在大平面、大曲率基底、小尺寸沟槽及缝隙等复杂三维表面均匀沉积薄膜,甚至可以用于辅助生长纳米催化剂,因而在众多薄膜沉积技术中脱颖而出。 展开更多

关键词 表面化学反应 透明导电薄膜 原子层沉积 纳米催化剂 纵横比 沉积薄膜 三维表面 沉积效率

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插入NiCr合金层对SnO_(2)/Ag/SnO_(2)多层结构透明导电薄膜热稳定性的影响

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作者 郑思龙 祝柏林 +2 位作者 易昌鸿 王崇杰 吴隽 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期2167-2173,共7页

室温下通过磁控溅射技术制备了SnO_(2)/Ag/SnO_(2)(SAS)、SnO_(2)/Ag/NiCr/SnO_(2)(SANS)和SnO_(2)/NiCr/Ag/NiCr/SnO_(2)(SNANS)三类多层膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了大气... 室温下通过磁控溅射技术制备了SnO_(2)/Ag/SnO_(2)(SAS)、SnO_(2)/Ag/NiCr/SnO_(2)(SANS)和SnO_(2)/NiCr/Ag/NiCr/SnO_(2)(SNANS)三类多层膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了大气和真空退火温度与薄膜结构、形貌和透明导电性能的关系。结果表明,随着退火温度升高,薄膜的结晶程度及透明导电性能先增强后下降,薄膜的粗糙度先下降后上升。插入NiCr合金层提高了薄膜的热稳定性,且在Ag层两侧插入厚的NiCr合金层时薄膜热稳定性最优。而薄膜在真空环境下比在大气环境下的热稳定性更优。450℃真空退火后,SNANS(1 nm NiCr)薄膜平均透光率(400~800 nm)为90.31%,电阻率为8.21×10^(-5)Ω·cm,品质因子为3.87×10^(-2)Ω^(-1)。 展开更多

关键词 氧化物/金属/氧化物多层膜 透明导电性 退火处理 热稳定性 品质因子

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形成透明导电层用的涂液

16

《黄金科学技术》 2004年第3期41-41,共1页

关键词 涂液 透明导电层 溶剂 贵金属微粒 导电膜

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透明导电薄膜材料的研究与发展趋势 被引量：13

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作者 蔡珣 王振国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期76-82,共7页

本文简述了透明导电薄膜材料的发展现况和趋势,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态.材料设计原理及其应用进行了重点介绍,并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论.

关键词 透明导电性 氧化物透明导电膜 功函数 相空间 复合多层膜

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退火温度对ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜结构及光电性能的影响 被引量：4

18

作者 孙洪涛 王小平 +6 位作者 王丽军 王金烨 孙义清 李剑 文俊伟 刘凌鸿 于颖 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期352-356,351,共6页

采用电子束蒸发法成功制备了透明导电的ZnO/Mo/ZnO(ZMZ)复合薄膜,研究了不同的退火温度对其电学和光学性质的影响规律。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能谱仪、紫外可见分光光度计和四探针测试仪等检测手段对样品的性能进行了... 采用电子束蒸发法成功制备了透明导电的ZnO/Mo/ZnO(ZMZ)复合薄膜,研究了不同的退火温度对其电学和光学性质的影响规律。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能谱仪、紫外可见分光光度计和四探针测试仪等检测手段对样品的性能进行了分析。实验结果表明:随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,晶粒尺寸增大;薄膜的电阻率先降低后升高;薄膜的光学透过率先升高后降低。当退火温度为250℃时,ZnO/Mo/ZnO薄膜具有最佳的综合光电性能,在400nm^900nm波长范围内最高透过率为81.4%,平均透过率高于80%,最低电阻率为1.71×10-4Ω·cm,表面电阻为15.5Ω/sq。研究表明所制备的ZMZ复合透明导电薄膜可应用于太阳能电池、液晶显示器等领域。 展开更多

关键词 氧化锌 透明导电薄膜 多层膜 光电性能

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基底温度对ZnO/Cu/ZnO透明导电膜性能的影响 被引量：2

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作者 李爱丽 闫金良 +1 位作者 石亮 刘建军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1227-1230,共4页

采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征。结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取... 采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征。结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4Ω/□。 展开更多

关键词 透明导电膜 多层膜 光学性质 电学性质

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粉末靶制备的AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的光电性能 被引量：2

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作者 刘思宁 周艳文 +1 位作者 吴川 吴法宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1427-1433,共7页

室温下,采用射频磁控溅射AZO粉末靶和Ag靶在玻璃基底上制备Ag层厚度分别为12 nm和15 nm两组对称结构掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)透明导电薄膜,研究了Ag层和AZO层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明:3层薄膜的可见光区平均透... 室温下,采用射频磁控溅射AZO粉末靶和Ag靶在玻璃基底上制备Ag层厚度分别为12 nm和15 nm两组对称结构掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)透明导电薄膜,研究了Ag层和AZO层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明:3层薄膜的可见光区平均透光率达到了80%,550 nm处的最高透过率达到了88%,方块电阻小于5Ω/□。Ag层厚度是影响AZO/Ag/AZO薄膜光电性能的主要因素,AZO层的厚度对薄膜光学性能影响较大。 展开更多

关键词 多层透明导电薄膜 金属基透明导电薄膜 粉末靶 射频磁控溅射

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