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非均匀高掺杂对透射式光电阴极光电发射性能影响研究: 1; 作者罗美娜白廷柱 +3 位作者任彬曲晓霞彭岔霞郭晖《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第5期419-423,共5页; 研究分析了高掺杂浓度下幂函数掺杂阴极发射层内部形成恒定电场情况,探讨了光电阴极发射层材料内部形成恒定电场对提高透射式光电阴极量子效率中有效电子输运长度、表面电子逸出几率等参量的影响。结合掺杂浓度不同带来的光电子散射问题... 展开更多; 关键词透射式光电阴极幂函数掺杂量子效率微光夜视; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析: 2; 作者闫金良《应用光学》 CAS CSCD 1998年第5期17-20,共4页; 从简化的二维扩散方程出发，推导ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式阴极的调制传递函数表达式，计算２μｍ厚ＧａＡｓ阴极层的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射阴极的理论分辨力特性曲线，并讨论它与若干参数的关系。; 关键词 GaAs/GaAlAs透射式光电阴极分辨力量子效率三代像增强器二维扩散方程; 在线阅读下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析被引量：4: 3; 作者李晓峰张景文 +1 位作者高鸿楷侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期312-316,共5页; 本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .; 关键词 ALGAAS/GAAS X射线衍射光电阴极倒易点二维图砷化镓透射式GAAS光电阴极外延层镓铝砷化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析被引量：2: 4; 作者李晓峰张景文 +1 位作者高鸿楷侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期778-780,共3页; 介绍了 Ga As光电阴极在高温烘烤后不同深度上 Ga原子和 As原子氧化的 XPS分析结果 ,并对 Ga As中的 Ga原子比 As原子更容易氧化以及 Ga As光电阴极在经过高温烘烤后。; 关键词透射式GAAS光电阴极组件表面氧化 XPS分析真空砷化镓高温烘烤; 在线阅读下载PDF 职称材料

透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究被引量：3: 5; 作者杜晓晴钟广明田健《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期397-401,共5页; 研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模... 展开更多; 关键词紫外探测透射式GaN光电阴极量子效率特性背面光照正面光照; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用紫外透射光谱研究透射式GaN光电阴极的材料结构及光学特性被引量：2: 6; 作者杜晓晴田健周强富《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1606-1610,共5页; GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件,其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式,其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱,通过建立透射... 展开更多; 关键词紫外透射光谱透射式GaN光电阴极薄膜厚度光学吸收系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究被引量：1: 7; 作者李晓峰张景文 +1 位作者高鸿楷侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期200-204,共5页; 本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外... 展开更多; 关键词倒易点二维图热应力半导体透射式GAAS光电阴极砷化镓 AlGaAs/GaAs外延层镓铝砷化合物晶格弯曲 X射线衍射; 在线阅读下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究: 8; 作者李晓峰张景文 +1 位作者高鸿楷侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期205-208,共4页; 本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga; 关键词应变结构晶格常量透射式GAAS光电阴极 X射线衍射 AlGaAs/GaAs外延层 MOCVD 镓铝砷化合物砷化镓生长温度控制模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非均匀高掺杂对透射式光电阴极光电发射性能影响研究: 1; 作者罗美娜白廷柱任彬曲晓霞彭岔霞郭晖; 机构北京理工大学光电成像技术与系统教育部重点实验室微光夜视技术重点实验室; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第5期419-423,共5页; 基金微光夜视技术重点实验室基金项目项目编号:J20110108; 文摘研究分析了高掺杂浓度下幂函数掺杂阴极发射层内部形成恒定电场情况,探讨了光电阴极发射层材料内部形成恒定电场对提高透射式光电阴极量子效率中有效电子输运长度、表面电子逸出几率等参量的影响。结合掺杂浓度不同带来的光电子散射问题,对比讨论了传统的均匀掺杂、指数掺杂、幂函数掺杂情况下发射层材料量子效率情况。; 关键词透射式光电阴极幂函数掺杂量子效率微光夜视; Keywords transmissive photocathode power-function-doping quantum efficiency night vision; 分类号 O462.3 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析: 2; 作者闫金良; 机构武警学院基础部; 出处《应用光学》 CAS CSCD 1998年第5期17-20,共4页; 文摘从简化的二维扩散方程出发，推导ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式阴极的调制传递函数表达式，计算２μｍ厚ＧａＡｓ阴极层的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射阴极的理论分辨力特性曲线，并讨论它与若干参数的关系。; 关键词 GaAs/GaAlAs透射式光电阴极分辨力量子效率三代像增强器二维扩散方程; Keywords GaAs/GaAlAs photocathode, resolution, quantum yield, third generation intensifier; 分类号 TN144.03 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析被引量：4: 3; 作者李晓峰张景文高鸿楷侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期312-316,共5页; 文摘本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .; 关键词 ALGAAS/GAAS X射线衍射光电阴极倒易点二维图砷化镓透射式GAAS光电阴极外延层镓铝砷化合物; Keywords GaAs/AlGaAs X-ray diffraction Photocathode Reciprocal space mapping; 分类号 TN103 [电子电信—物理电子学] O462 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析被引量：2: 4; 作者李晓峰张景文高鸿楷侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期778-780,共3页; 文摘介绍了 Ga As光电阴极在高温烘烤后不同深度上 Ga原子和 As原子氧化的 XPS分析结果 ,并对 Ga As中的 Ga原子比 As原子更容易氧化以及 Ga As光电阴极在经过高温烘烤后。; 关键词透射式GAAS光电阴极组件表面氧化 XPS分析真空砷化镓高温烘烤; Keywords GaAs Photocathode Vaccum Oxidization XPS; 分类号 TN103 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究被引量：3: 5; 作者杜晓晴钟广明田健; 机构光电技术与系统教育部重点实验室重庆大学光电工程学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期397-401,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(6070101360871012); 文摘研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模式下光电子的表面逸出几率与光子能量具有不同的依赖关系,背面光照下,光电子将以一个一致的表面逸出几率从表面发射出去,并且短波响应会受到缓冲层及界面特性的影响,总体光电发射效率依赖于阴极表面势垒所决定的平均电子逸出几率。利用所推导的量子效率公式对实验曲线进行拟合,可实现多个阴极参量的评估,这为透射式GaN阴极材料与制备工艺水平的分析提供了重要依据。; 关键词紫外探测透射式GaN光电阴极量子效率特性背面光照正面光照; Keywords Ultraviolet detector； Transmission-mode GaN photocathode； Quantum efficiency property； Back illumination； Front illumination；; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用紫外透射光谱研究透射式GaN光电阴极的材料结构及光学特性被引量：2: 6; 作者杜晓晴田健周强富; 机构重庆大学光电工程学院; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1606-1610,共5页; 基金国家自然科学基金项目(60701013)资助; 文摘 GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件,其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式,其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱,通过建立透射式GaN阴极样品的透射模型,得到了GaN阴极样品的薄膜厚度、光学吸收系数与透射谱之间的函数关系。计算得到的GaN外延材料的厚度与实际值误差小,吸收系数与已发表数据一致,表明紫外透射光谱法能够准确地实现透射式GaN阴极材料结构及光学特性的评估。; 关键词紫外透射光谱透射式GaN光电阴极薄膜厚度光学吸收系数; Keywords Ultraviolet transmission spectral Transmission-mode GaN photocathode Thin film thickness Optical adsorption coefficient; 分类号 O433 [机械工程—光学工程] TN23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究被引量：1: 7; 作者李晓峰张景文高鸿楷侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期200-204,共5页; 文摘本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的实测倒易点二维图 ,最后提出了降低 Al Ga As/ Ga; 关键词倒易点二维图热应力半导体透射式GAAS光电阴极砷化镓 AlGaAs/GaAs外延层镓铝砷化合物晶格弯曲 X射线衍射; Keywords AlGaAs GaAs X-ray Lattice Epitaxy Diffraction Reciprocal lattice point; 分类号 TN013 [电子电信—物理电子学] O471.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究: 8; 作者李晓峰张景文高鸿楷侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期205-208,共4页; 文摘本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga; 关键词应变结构晶格常量透射式GAAS光电阴极 X射线衍射 AlGaAs/GaAs外延层 MOCVD 镓铝砷化合物砷化镓生长温度控制模型; Keywords GaAs AlGaAs X-ray Photocathode Epitaxy Strain Lattice parameter; 分类号 TN103 [电子电信—物理电子学] TN304.205 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	非均匀高掺杂对透射式光电阴极光电发射性能影响研究	罗美娜白廷柱任彬曲晓霞彭岔霞郭晖	《红外技术》 CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析	闫金良	《应用光学》 CAS CSCD	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析	李晓峰张景文高鸿楷侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析	李晓峰张景文高鸿楷侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究	杜晓晴钟广明田健	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	利用紫外透射光谱研究透射式GaN光电阴极的材料结构及光学特性	杜晓晴田健周强富	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究	李晓峰张景文高鸿楷侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究	李晓峰张景文高鸿楷侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料