期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT
被引量：
1
1
作者
金冬月
胡瑞心
+5 位作者
张万荣
高光渤
王肖
付强
赵馨仪
江之韵
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第9期1321-1325,共5页
为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然...
为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然较低,不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增益影响不大但与器件击穿电压密切相关,在采用虚拟衬底结构的同时,对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场,进而提高击穿电压.结果表明:与传统的SiGe HBT相比,新器件的电流增益和击穿电压均得到显著改善,其优值β·V_(CEO)。改善高达14.2倍,有效拓展了微波功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.
展开更多
关键词
应变Si/SiGe
HBT
选择性注入集电区
击穿电压
电流增益
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT
被引量：
1
1
作者
金冬月
胡瑞心
张万荣
高光渤
王肖
付强
赵馨仪
江之韵
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
美国International Rectifier公司
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第9期1321-1325,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61006059)
北京市自然科学基金资助项目(4143059)
文摘
为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然较低,不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增益影响不大但与器件击穿电压密切相关,在采用虚拟衬底结构的同时,对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场,进而提高击穿电压.结果表明:与传统的SiGe HBT相比,新器件的电流增益和击穿电压均得到显著改善,其优值β·V_(CEO)。改善高达14.2倍,有效拓展了微波功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.
关键词
应变Si/SiGe
HBT
选择性注入集电区
击穿电压
电流增益
Keywords
strained Si/SiGe HBT
selectively implanted collector
breakdown voltage
current gain
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT
金冬月
胡瑞心
张万荣
高光渤
王肖
付强
赵馨仪
江之韵
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
