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选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
被引量：
2
1
作者
杨帆
何亮
+2 位作者
郑越
沈震
刘扬
《电源学报》
CSCD
2016年第4期14-20,共7页
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提...
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺(包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质),使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明,选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面,使器件具备优越的阈值电压稳定性;同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。
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关键词
AlGaN/GaN异质结构
常关型
MOSFET
选择区域外延
阈值电压稳定性
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职称材料
题名
选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
被引量：
2
1
作者
杨帆
何亮
郑越
沈震
刘扬
机构
中山大学电子与信息工程学院电力电子及控制技术研究所
出处
《电源学报》
CSCD
2016年第4期14-20,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(51177175
61274039
+6 种基金
61574173)
国家高技术研究发展计划资助项目(863计划)(2014AA032606)
广东省科技计划资助项目(2014B050505009
2015B010132007)
广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011)
广州市科技计划资助项目(201508010048)
集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目(IOSKL2014KF17)~~
文摘
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺(包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质),使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明,选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面,使器件具备优越的阈值电压稳定性;同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。
关键词
AlGaN/GaN异质结构
常关型
MOSFET
选择区域外延
阈值电压稳定性
Keywords
AlGaN/GaN heterostructure
normally-off
MOSFET
selective area growth
threshold voltage stability
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
杨帆
何亮
郑越
沈震
刘扬
《电源学报》
CSCD
2016
2
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