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逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展被引量：2: 1; 作者张广银沈千行 +3 位作者张须坤田晓丽卢烁今朱阳军《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期721-729,共9页; 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优... 展开更多; 关键词功率器件逆阻型绝缘栅双极型晶体管(rb-igbt) 反向阻断隔离技术终端混合隔离; 在线阅读下载PDF 职称材料

550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计: 2; 作者杨瑞丰《电子产品世界》 2020年第9期73-75,79,共4页; 逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的... 展开更多; 关键词逆导型横向绝缘栅双极晶体管电压折回现象绝缘体上硅导通压降关断损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

逆导型IGBT发展概述被引量：11: 3; 作者张文亮田晓丽 +1 位作者谈景飞朱阳军《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期836-841,共6页; 逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点,但是逆导型IGBT的电压回跳现象限制了它在... 展开更多; 关键词绝缘栅双极型晶体管逆导型绝缘栅双极型晶体管初次回跳二次回跳引导区; 在线阅读下载PDF 职称材料

逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现: 4; 作者邓小社郭绪阳 +2 位作者李泽宏张波张大成《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期669-674,695,共7页; 逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以... 展开更多; 关键词逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC TRENCH FS IGBT) 载流子寿命反向恢复时间回扫现象开关特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构: 5; 作者王柳敏金锐 +2 位作者徐晓轶谢刚盛况《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期280-285,共6页; 为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,... 展开更多; 关键词三维横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT) 阳极短路 p型柱体逆阻效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

3300V逆导型IGBT器件仿真被引量：2: 6; 作者李晓平赵哿 +5 位作者刘江高明超王耀华金锐温家良潘艳《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期406-410,共5页; 基于现有仿真平台,设计一款3 300V/50A逆导型绝缘栅双极晶体管器件(逆导型IGBT或RC-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞设计中采用载流子增强技术(EP),元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低IGBT工作模式下... 展开更多; 关键词逆导型绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管二极管饱和压降; 在线阅读下载PDF 职称材料

逆导型IGBT的发展及其在智能电网中的应用被引量：2: 7; 作者李晓平刘江 +4 位作者赵哿高明超王耀华金锐温家良《智能电网》 2017年第1期1-8,共8页; 介绍逆导型绝缘栅双极型晶体管(reverse conducting-insulated gate bipolar transistors,RC-IGBT)的结构与原理、技术发展历程及发展趋势。结合逆导型IGBT电流容量大、成本低、可靠性高等性能特点,分析了其在智能电网中的应用前景。RC-... 展开更多; 关键词逆导型绝缘栅双极型晶体管发展智能电网; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化槽隔离型RC-IGBT的设计与仿真被引量：1: 8; 作者马丽李伟 +3 位作者李佳豪谢加强康源王馨梅《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期195-200,共6页; 提出了一种新型的RC-IGBT器件,相比于常规RC-IGBT,新型的RC-IGBT在集电极侧引入了一个类似于栅极的多晶硅沟槽结构,不同之处是沟槽底部结构没有氧化层将多晶硅与硅体区相隔离,于是可将此重掺杂的多晶硅区作为新型的RC-IGBT的集电极的N+... 展开更多; 关键词逆导型绝缘栅双极场效应晶体管回跳现象器件仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展被引量：2: 1; 作者张广银沈千行张须坤田晓丽卢烁今朱阳军; 机构中国科学院大学中国科学院微电子研究所江苏物联网研究发展中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期721-729,共9页; 基金国家重大科技专项资助项目(2013ZX02305-005-002) 国家自然科学基金资助项目(51490681) 省院合作高技术产业化专项资金项目(2016SYHZ0026); 文摘逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。; 关键词功率器件逆阻型绝缘栅双极型晶体管(rb-igbt) 反向阻断隔离技术终端混合隔离; Keywords power device reverse blocking-insulated gate bipolar transistor（rb-igbt） reverse blocking isolation technique termination hybrid isolation; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计: 2; 作者杨瑞丰; 机构电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《电子产品世界》 2020年第9期73-75,79,共4页; 文摘逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的衬底,利用埋氧层的隔离特性实现了IGBT与续流二极管之间的电学隔离,进而实现了完全消除电压折回现象。仿真结果显示:在几乎相同的耐压和反向导通能力下,由于更小的器件尺寸,本文提出的器件获得了更高的电流密度;本文器件的导通压降与关断损耗分别相比于传统器件降低14.4%和62.2%,实现了更好的导通压降与关断损耗的折中。; 关键词逆导型横向绝缘栅双极晶体管电压折回现象绝缘体上硅导通压降关断损耗; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名逆导型IGBT发展概述被引量：11: 3; 作者张文亮田晓丽谈景飞朱阳军; 机构中国科学院微电子研究所江苏物联网研究发展中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期836-841,共6页; 基金国家科技重大专项(2011ZX02503-003 2011ZX02504-002); 文摘逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点,但是逆导型IGBT的电压回跳现象限制了它在实际中的应用。研究了逆导型IGBT器件的结构原理以及回跳现象产生的原因,介绍了引导区结构和背面版图正交布局两种有效抑制回跳现象的方法。通过合理的设计,逆导型IGBT基本上克服了传统的特性缺陷,这将使逆导型IGBT在未来有更为广阔的应用前景。; 关键词绝缘栅双极型晶体管逆导型绝缘栅双极型晶体管初次回跳二次回跳引导区; Keywords reverse conducting-insulated gate bipolar transistor（IGBT） RC-IGBT primary snap-back secondary snap-back pilot IGBT; 分类号 TN389 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现: 4; 作者邓小社郭绪阳李泽宏张波张大成; 机构北京大学软件与微电子学院电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期669-674,695,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61404023) 国家科技重大专项资助项目(2011ZX02504-001 +1 种基金 2011ZX02504-003) 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201301); 文摘逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真。研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善。依据器件的最优化设计进行了流片。测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化。; 关键词逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC TRENCH FS IGBT) 载流子寿命反向恢复时间回扫现象开关特性; Keywords reverse conduction trench field stop insulated gate bipolar translator（RC Trench FS IGBT） carrier life time reverse recovery time snapback phenomenon switch performance; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构: 5; 作者王柳敏金锐徐晓轶谢刚盛况; 机构浙江大学电气工程学院国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所国家电网公司南通供电公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期280-285,共6页; 基金国家高科技发展研究计划(863计划)资助项目(2014AA052401) 国网科技项目(SGRI-WD-71-14-005); 文摘为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,可以增强通态条件下器件的电导调制效应,降低器件的通态压降。利用三维仿真软件Crosslight-APSYS仿真研究了p型柱体的高度、宽度和长度对逆阻现象以及对器件通态压降和关断速度的影响。结果表明,当p型柱体的高度为1μm,宽度为12μm,长度为20μm时,器件的逆阻现象完全消失。通态压降为1.61 V,关断时间为110.3 ns,而传统结构LIGBT的通态压降为1.56 V,关断时间为2.33μs。; 关键词三维横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT) 阳极短路 p型柱体逆阻效应; Keywords three-dimensional lateral insulated gate bipolar transistor（LIGBT） anode short circuit p-pillar snap-back; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名3300V逆导型IGBT器件仿真被引量：2: 6; 作者李晓平赵哿刘江高明超王耀华金锐温家良潘艳; 机构全球能源互联网研究院功率半导体研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期406-410,共5页; 基金国家电网公司科技项目<高压逆导型IGBT的可行性研究>(5455DW150011); 文摘基于现有仿真平台,设计一款3 300V/50A逆导型绝缘栅双极晶体管器件(逆导型IGBT或RC-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞设计中采用载流子增强技术(EP),元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低IGBT工作模式下的饱和压降。采用二维数值仿真研究了器件结构及结构参数对器件性能的影响,通过结构参数拉偏,折衷优化IGBT与内集成二极管的性能参数,仿真得到的3 300V/50A逆导型IGBT器件饱和压降为3.4V,二极管导通压降为2.3V,阈值电压为5.6V,击穿电压为4 480V,与相同电压等级的分立IGBT器件和二极管性能相当。; 关键词逆导型绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管二极管饱和压降; Keywords reverse conducting insulator gate bipolar transistor(RC-IGBT) IGBT diode saturation voltage; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名逆导型IGBT的发展及其在智能电网中的应用被引量：2: 7; 作者李晓平刘江赵哿高明超王耀华金锐温家良; 机构全球能源互联网研究院; 出处《智能电网》 2017年第1期1-8,共8页; 基金国家电网公司科技项目(5455DW150011)~~; 文摘介绍逆导型绝缘栅双极型晶体管(reverse conducting-insulated gate bipolar transistors,RC-IGBT)的结构与原理、技术发展历程及发展趋势。结合逆导型IGBT电流容量大、成本低、可靠性高等性能特点,分析了其在智能电网中的应用前景。RC-IGBT在低开关频率下具有很大优势,非常适合MMC应用。对于混合直流断路器的应用情况,RC-IGBT技术将使现有压接式模块的开断容量增加一倍。使用逆导型IGBT器件的电力电子装置系统设计更简单、散热装置更简化、装置体积也更小,因此,在智能电网迅速发展的今天,逆导型IGBT器件必将成为坚强智能电网建设的最佳选择。; 关键词逆导型绝缘栅双极型晶体管发展智能电网; Keywords reverse conducting-insulated gate bipolar transistors （RC-IGBT） development smart grid; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化槽隔离型RC-IGBT的设计与仿真被引量：1: 8; 作者马丽李伟李佳豪谢加强康源王馨梅; 机构西安理工大学理学院西安理工大学自动化与信息工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期195-200,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61575158); 文摘提出了一种新型的RC-IGBT器件,相比于常规RC-IGBT,新型的RC-IGBT在集电极侧引入了一个类似于栅极的多晶硅沟槽结构,不同之处是沟槽底部结构没有氧化层将多晶硅与硅体区相隔离,于是可将此重掺杂的多晶硅区作为新型的RC-IGBT的集电极的N+短路区,故称为TO-RC-IGBT(Trench oxide reverse conducting IGBT)。由于集电极P+阳极层与N+短路区之间的氧化层隔离,TO-RC-IGBT并未出现常规RC-IGBT导通时的回跳现象。为了避免产生回跳现象,常规RC-IGBT的元胞宽度通常达数百微米,而TO-RC-IGBT元胞宽度只有20μm,因而TO-RC-IGBT不会出现常规RC-IGBT的反向电流分布不均匀的问题。; 关键词逆导型绝缘栅双极场效应晶体管回跳现象器件仿真; Keywords RC-IGBT snapback device simulation; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展	张广银沈千行张须坤田晓丽卢烁今朱阳军	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计	杨瑞丰	《电子产品世界》	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	逆导型IGBT发展概述	张文亮田晓丽谈景飞朱阳军	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	11	在线阅读下载PDF 职称材料
4	逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现	邓小社郭绪阳李泽宏张波张大成	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构	王柳敏金锐徐晓轶谢刚盛况	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	3300V逆导型IGBT器件仿真	李晓平赵哿刘江高明超王耀华金锐温家良潘艳	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	逆导型IGBT的发展及其在智能电网中的应用	李晓平刘江赵哿高明超王耀华金锐温家良	《智能电网》	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
8	氧化槽隔离型RC-IGBT的设计与仿真	马丽李伟李佳豪谢加强康源王馨梅	《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料