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题名逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
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作者
邓小社
郭绪阳
李泽宏
张波
张大成
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机构
北京大学软件与微电子学院
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期669-674,695,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61404023)
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02504-001
+1 种基金
2011ZX02504-003)
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201301)
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文摘
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真。研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善。依据器件的最优化设计进行了流片。测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化。
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关键词
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(rc
TRENCH
FS
IGBT)
载流子寿命
反向恢复时间
回扫现象
开关特性
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Keywords
reverse conduction trench field stop insulated gate bipolar translator（rc Trench FS IGBT）
carrier life time
reverse recovery time
snapback phenomenon
switch performance
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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