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65nm工艺节点下的光刻掩模版优化算法
被引量：
2
1
作者
熊伟
张进宇
+2 位作者
Tsai Min-Chun
王燕
余志平
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2008年第5期577-584,共8页
在模拟退火算法中引入了准梯度的概念,改进了以模拟退火算法为基础的光刻掩模版优化算法.该算法优先搜索由准梯度确定的关键区域,减少了模拟退火算法的无效搜索次数,在保证优化效果的基础上,可以提高原算法的收敛效率.实验结果表明,在65...
在模拟退火算法中引入了准梯度的概念,改进了以模拟退火算法为基础的光刻掩模版优化算法.该算法优先搜索由准梯度确定的关键区域,减少了模拟退火算法的无效搜索次数,在保证优化效果的基础上,可以提高原算法的收敛效率.实验结果表明,在65nm CMOS工艺节点下,该算法使得收敛速度大幅提高,优化效果更好.
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关键词
掩模
逆向光刻
模拟退火算法
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职称材料
题名
65nm工艺节点下的光刻掩模版优化算法
被引量：
2
1
作者
熊伟
张进宇
Tsai Min-Chun
王燕
余志平
机构
清华大学微电子学研究所
Advanced Technology Group
出处
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2008年第5期577-584,共8页
基金
国家“九七三”重点基础研究发展规划项目(2006CB302700)
文摘
在模拟退火算法中引入了准梯度的概念,改进了以模拟退火算法为基础的光刻掩模版优化算法.该算法优先搜索由准梯度确定的关键区域,减少了模拟退火算法的无效搜索次数,在保证优化效果的基础上,可以提高原算法的收敛效率.实验结果表明,在65nm CMOS工艺节点下,该算法使得收敛速度大幅提高,优化效果更好.
关键词
掩模
逆向光刻
模拟退火算法
Keywords
photomasks
inverse lithography
simulated annealing algorithm
分类号
TP202 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
65nm工艺节点下的光刻掩模版优化算法
熊伟
张进宇
Tsai Min-Chun
王燕
余志平
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2008
2
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