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宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究
被引量：
4
1
作者
於建生
桑磊
+1 位作者
孙世滔
王华
《电子科技》
2015年第4期102-105,共4页
分析了Ga N（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）非线性输出电容C out与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用C out控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹...
分析了Ga N（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）非线性输出电容C out与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用C out控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用Ga N HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率（DE）为81.7%,功率附加效率（PAE）78.3%,功率为40.75 d Bm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带Ga N功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。
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关键词
连续f类放大器
高效率
宽带
非线性电容
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职称材料
题名
宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究
被引量：
4
1
作者
於建生
桑磊
孙世滔
王华
机构
海军驻合肥地区军事代表室
合肥工业大学仪器科学与光电工程学院
安徽华东光电技术研究所
出处
《电子科技》
2015年第4期102-105,共4页
文摘
分析了Ga N（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）非线性输出电容C out与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用C out控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用Ga N HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率（DE）为81.7%,功率附加效率（PAE）78.3%,功率为40.75 d Bm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带Ga N功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。
关键词
连续f类放大器
高效率
宽带
非线性电容
Keywords
continuous class
f
power ampli
f
ier high e
f
f
iciency wide-band nonlinear output capacitance
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究
於建生
桑磊
孙世滔
王华
《电子科技》
2015
4
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