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倒装芯片封装中非牛顿流体下填充的数值仿真
被引量：
3
1
作者
姚兴军
张关华
+2 位作者
王正东
章文俊
周鑫延
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期69-73,78,共6页
倒装芯片封装中的下填充工艺可以有效地提高封装连接的可靠性,因而得到了广泛应用。含有硅填料的环氧树脂是常用的下填充胶料,在下填充流动过程中表现出明显的非牛顿流体特性。利用Fluent软件对具有非牛顿流体特性胶料的下填充过程进行...
倒装芯片封装中的下填充工艺可以有效地提高封装连接的可靠性,因而得到了广泛应用。含有硅填料的环氧树脂是常用的下填充胶料,在下填充流动过程中表现出明显的非牛顿流体特性。利用Fluent软件对具有非牛顿流体特性胶料的下填充过程进行了三维数值模拟。采用流体体积比函数(VOF)对流动前沿界面进行追踪,再用连续表面张力(CSF)模型来计算下填充流动的毛细驱动力,并用幂函数本构方程来体现下填充胶料的非牛顿流体特性。通过数值模拟,获得了下填充流动前沿位置随时间变化的数据,这些数据与实验结果有较好的吻合度。该数值方法可较好地预测具有非牛顿流体性质胶料的下填充过程。
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关键词
倒装芯片
下填充
非牛顿流体
流体体积比函数
连续表面张力模型
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职称材料
题名
倒装芯片封装中非牛顿流体下填充的数值仿真
被引量：
3
1
作者
姚兴军
张关华
王正东
章文俊
周鑫延
机构
华东理工大学机械与动力工程学院
萨斯喀彻温大学机械工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期69-73,78,共6页
文摘
倒装芯片封装中的下填充工艺可以有效地提高封装连接的可靠性,因而得到了广泛应用。含有硅填料的环氧树脂是常用的下填充胶料,在下填充流动过程中表现出明显的非牛顿流体特性。利用Fluent软件对具有非牛顿流体特性胶料的下填充过程进行了三维数值模拟。采用流体体积比函数(VOF)对流动前沿界面进行追踪,再用连续表面张力(CSF)模型来计算下填充流动的毛细驱动力,并用幂函数本构方程来体现下填充胶料的非牛顿流体特性。通过数值模拟,获得了下填充流动前沿位置随时间变化的数据,这些数据与实验结果有较好的吻合度。该数值方法可较好地预测具有非牛顿流体性质胶料的下填充过程。
关键词
倒装芯片
下填充
非牛顿流体
流体体积比函数
连续表面张力模型
Keywords
flip-chip
underfill
non-Newtonian flow
volume of fluid （VOF）
continuum surface force （CSF） model
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
倒装芯片封装中非牛顿流体下填充的数值仿真
姚兴军
张关华
王正东
章文俊
周鑫延
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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