连续离子层吸附反应(SILAR)法制备AgGaS_2纳米薄膜及性能表征 被引量：1

1

作者 黄毅 张建军 尔古打机 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1333-1337,共5页

采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,通过500℃退火在玻璃衬底上制备出AgGaS2纳米薄膜。使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、紫外可见(UV-Vis)谱和光致发光(PL)谱等对纳米薄膜的物相、形貌、化学配比和光学性能进行了定... 采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,通过500℃退火在玻璃衬底上制备出AgGaS2纳米薄膜。使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、紫外可见(UV-Vis)谱和光致发光(PL)谱等对纳米薄膜的物相、形貌、化学配比和光学性能进行了定性和定量表征。XRD测试结果表明,实验获得产物为黄铜矿结构AgGaS2,并观测到(112)面和(224)面。使用Scherrer公式估算了AgGaS2产物的晶粒平均粒度大小约为30 nm。SEM观测到的AgGaS2纳米薄膜外形均匀一致,沉积紧密,薄膜沉积的纳米平均颗粒直径约为18～26 nm。EDS测试结果显示AgGaS2纳米薄膜中Ag、Ga和S三元素的原子相对百分含量为25.12%,26.66%和49.93%,其化学计量比几近于1:1:2物质的量比。通过紫外可见透过光谱得到截止波长为470.1 nm,禁带宽度为2.64 eV。室温PL测试发现发光中心在456 nm,与AgGaS2晶体发光中心相比产生了约40 nm的蓝移。以上结果充分表明SILAR法是一种制备AgGaS2纳米薄膜的有效方式。 展开更多

关键词 连续离子层吸附反应法 AgGaS2纳米薄膜

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连续离子层吸附反应法制备超薄功能膜及应用 被引量：1

2

作者 石亚平 高燕 +1 位作者 孙承月 吴宜勇 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期5-9,共5页

阐述了液相法中制备超薄功能膜的新方法——连续离子层吸附反应法(Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction,SILAR)。探究了它的薄膜生长机理、工艺参数影响以及应用现状,指出了尚需深入研究的问题。

关键词 连续离子层吸附反应法 超薄 功能膜 工艺参数

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连续离子层吸附与反应法(SILAR)生长ZnO多晶薄膜的研究 被引量：5

3

作者 高相东 李效民 于伟东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期610-616,共7页

采用连续离子层吸附与反应法(SILAR),以锌氨络离子([Zn(NH_3)_4]^(2+))为前驱体溶液,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以XRD和SEM等手段分析了薄膜的晶体结构和表面、断面形貌,考察了空气气氛下的退火过程对ZnO薄膜晶体结构与微观形貌的影响... 采用连续离子层吸附与反应法(SILAR),以锌氨络离子([Zn(NH_3)_4]^(2+))为前驱体溶液,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以XRD和SEM等手段分析了薄膜的晶体结构和表面、断面形貌,考察了空气气氛下的退火过程对ZnO薄膜晶体结构与微观形貌的影响,并初步探讨了以SILAR方法沉积ZnO薄膜的机理.结果表明,经200次SILAR沉积循环,所得ZnO薄膜为红锌矿结构的多晶薄膜,沿<002>方向择优生长;薄膜表面致密、光滑均匀,厚度约800nm.退火处理使ZnO薄膜氧缺位减少,晶粒沿c轴取向增强;随退火温度升高,锌间隙原子增加;500℃退火时,ZnO薄膜发生再结晶.减小前驱体溶液的[NH_3·H_2O]/[Zn^(2+)]比率可提高ZnO薄膜生长速率. 展开更多

关键词 ZNO 薄膜 连续离子层吸附与反应方法(SILAR)

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连续式离子层吸附与反应法沉积CuSCN薄膜及其微观结构、光学特性研究 被引量：2

4

作者 诸葛福伟 高相东 +1 位作者 李效民 甘小燕 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期8-12,共5页

采用乙二醇作溶剂,以连续式离子层吸附与反应法(SILAR)实现硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜在ITO、TiO2薄膜以及玻璃衬底上的沉积.通过X射线衍射、扫描电镜和紫外-可见光透过谱等手段表征薄膜结晶性、表面和断面微观形貌以及光学特性.结果表明,... 采用乙二醇作溶剂,以连续式离子层吸附与反应法(SILAR)实现硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜在ITO、TiO2薄膜以及玻璃衬底上的沉积.通过X射线衍射、扫描电镜和紫外-可见光透过谱等手段表征薄膜结晶性、表面和断面微观形貌以及光学特性.结果表明,衬底以及溶剂性质均对SILAR法薄膜沉积过程存在重要影响.ITO衬底上获得的CuSCN薄膜更为致密,呈结晶态,而TiO2薄膜衬底上的CuSCN薄膜主要由颗粒组成,为非晶态.随沉积次数增加,薄膜表面粗糙度增大,光学透过率逐渐下降.在优化条件下(ITO衬底,20次沉积循环),所得CuSCN薄膜表面致密均匀,可见光透过率约60%. 展开更多

关键词 CUSCN 连续式离子层吸附与反应 微观结构 光学性能

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二氧化钛纳米管的制备及其光催化性能 被引量：8

5

作者 高大伟 王春霞 +4 位作者 林洪芹 魏取福 李伟伟 陆逸群 姜宇 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期22-26,共5页

为提高TiO_2的光催化性能,通过电化学阳极氧化法在金属钛箔基体上制备了结构有序的TiO_2纳米管(TiO_2NTs),并以此为基础通过连续离子层吸附反应技术(SILAR)制备了Ag、CdS共修饰的TiO_2纳米管(AgCdS/TiO_2NTs)。采用X射线衍射仪、扫描电... 为提高TiO_2的光催化性能,通过电化学阳极氧化法在金属钛箔基体上制备了结构有序的TiO_2纳米管(TiO_2NTs),并以此为基础通过连续离子层吸附反应技术(SILAR)制备了Ag、CdS共修饰的TiO_2纳米管(AgCdS/TiO_2NTs)。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、元素分析仪和紫外可见漫反射光谱等表征手段,对Ag-CdS/TiO_2NTs形貌结构、元素组成和光吸收特性等进行了表征,并研究了Ag、CdS修饰后的TiO_2纳米管的光催化性能。结果表明:Ag和CdS纳米粒子被成功沉积在TiO_2纳米管上;与纯TiO_2纳米管的吸收光谱相比,Ag-CdS/TiO_2NTs对光的吸收范围延伸到整个可见光区域;与纯TiO_2纳米管或CdS修饰的TiO_2纳米管相比,Ag(3)-CdS/TiO_2NTs对甲基橙脱色率最高,70 min后脱色率达100%。 展开更多

关键词 二氧化钛 纳米管 连续离子层吸附反应技术法 修饰 光催化

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SILAR法制备化学计量CuInS_2薄膜 被引量：8

6

作者 石勇 靳正国 +2 位作者 李春艳 安贺松 邱继军 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1286-1290,共5页

在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2+/cIn3+在1￣1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SE... 在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2+/cIn3+在1￣1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2+/cIn3+的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2+/cIn3+=1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104cm-1,禁带宽度Eg为1.45eV。 展开更多

关键词 铜铟硫薄膜 连续离子层吸附反应法 化学计量

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SILAR法制备无机化合物薄膜 被引量：8

7

作者 靳正国 刘晓新 +1 位作者 步绍静 程志捷 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第3期66-68,共3页

介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺—SILAR法(连续离子层吸附反应法),该方法设备简单,成本低廉,成膜质量好。解释了它的非均相薄膜生长机理,对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述。指出了研究发展前景。

关键词 制备 无机化合物薄膜 生长机理 SILAR法 连续离子层吸附反应法 工艺参数

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CuInS2量子点敏化ZnO基光阳极的制备与性能研究 被引量：1

8

作者 夏冬林 郭锦华 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2274-2281,共8页

采用两步法在导电玻璃(FTO)基板上制备纯氧化锌(ZnO)纳米棒和钇掺杂的氧化锌(ZnO∶Y)纳米棒,采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在所制备的ZnO及ZnO∶Y纳米棒上沉积CuInS2量子点制备ZnO/CuInS2和ZnO∶Y/CuInS2光阳极。利用X射线衍射仪(XRD... 采用两步法在导电玻璃(FTO)基板上制备纯氧化锌(ZnO)纳米棒和钇掺杂的氧化锌(ZnO∶Y)纳米棒,采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在所制备的ZnO及ZnO∶Y纳米棒上沉积CuInS2量子点制备ZnO/CuInS2和ZnO∶Y/CuInS2光阳极。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针能谱仪(EDS)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、电流密度-电压(J-V)曲线等技术手段对不同光阳极样品的晶相结构、微观形貌、化学组成、光吸收性能和太阳电池性能进行了表征。实验结果表明:所制备的ZnO纳米棒和ZnO∶Y纳米棒为六方纤锌矿结构。CuInS2量子点敏化的ZnO纳米棒薄膜的光学带隙从3.22 eV减小为2.98 eV。CuInS2量子点敏化ZnO∶Y太阳能电池的短路电流密度和光电转换效率比未掺杂的ZnO纳米棒组装的太阳能电池分别提高了6.5%和50.4%。 展开更多

关键词 量子点敏化太阳能电池 氧化锌光阳极 钇掺杂氧化锌纳米棒 CuInS2量子点 连续离子层吸附反应法

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超声辅助SILAR法生长纳米晶ZnO多孔薄膜及其光学性能研究 被引量：8

9

作者 高相东 李效民 于伟东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期965-970,共6页

将超声辐照技术引入连续离子层吸附与反应(SILAR)法,提出超声辅助连续离子层吸附与反应(UA-SILAR)液相成膜技术.以锌氨络离子([Zn(NH3)4]2+)溶液为前驱体,在90℃下沉积得到ZnO薄膜,对其晶体结构,微观形貌、透过光谱和光致发光性能进行表... 将超声辐照技术引入连续离子层吸附与反应(SILAR)法,提出超声辅助连续离子层吸附与反应(UA-SILAR)液相成膜技术.以锌氨络离子([Zn(NH3)4]2+)溶液为前驱体,在90℃下沉积得到ZnO薄膜,对其晶体结构,微观形貌、透过光谱和光致发光性能进行表征, 并考察了超声辐照和沉积循环次数对薄膜形貌、结构和光学特性的影响.结果表明,所得薄膜由彼此交联、尺寸均匀的ZnO晶粒组成,呈现典型的多孔特征,同时具有高结晶性和强c轴取向性.由于多孔结构对入射光的散射作用,薄膜在可见光区具有低透射率(约20%);在紫外光激发下,薄膜具有较强的近带边发射和很弱的蓝带发射,体现出薄膜较高的光学质量;薄膜生长过程中超声辐照的引入可对薄膜的结晶性能和微观结构产生显著的影响. 展开更多

关键词 ZNO 薄膜 连续离子层吸附与反应方法(SILAR) 超声辐照

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CuSCN薄膜的室温液相沉积及其光学性能 被引量：3

10

作者 高相东 李效民 +2 位作者 于伟东 邱继军 甘小燕 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期535-539,共5页

采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20～25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关... 采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20～25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关键因素.结果表明,所得薄膜具有明显结晶性及沿c轴择优生长趋势,表面致密、均匀,分别由50～100nm的较大颗粒和20～30nm的小颗粒紧密堆聚而成;薄膜在400～800nm波段的透过率为50%～70%,光学禁带宽度为3.94eV.CuSCN薄膜的沉积过程受铜前驱液中S_2O_3^(2-)与Cu^(2+)的摩尔比、衬底漂洗方式和生长温度等因素影响显著,高络离子浓度、多次沉积反应后再进行衬底漂洗、以及室温生长条件有利于得到高质量的CuSCN薄膜. 展开更多

关键词 CUSCN 薄膜 连续离子层吸附与反应 SILAR 光学性能

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SnS掺杂对P3HT/PCBM体系太阳能电池光电特性的影响研究

11

作者 陆冠宏 赵新洛 +3 位作者 王焱 朱书影 孙静 谢晓峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期263-268,共6页

采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在TiO_2/FTO电极上沉积Sn S,组装结构为FTO/TiO_2/Sn S/P3HT:PCBM/Ag的多层异质结太阳能电池,结果显示:Sn S掺杂能显著提高P3HT/PCBM体系太阳能电池的光电转化性能。通过SEM观察、UV-Vis光谱、J-V曲线、... 采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在TiO_2/FTO电极上沉积Sn S,组装结构为FTO/TiO_2/Sn S/P3HT:PCBM/Ag的多层异质结太阳能电池,结果显示:Sn S掺杂能显著提高P3HT/PCBM体系太阳能电池的光电转化性能。通过SEM观察、UV-Vis光谱、J-V曲线、Raman光谱以及射频辉光放电光谱仪(GD-OES)等手段,系统研究了不同前驱体液浓度制备的Sn S对电池的影响,发现当n(Sn^(2+)):n(S^(2-))为1:1.5时,电池的光电转化效率最高,达到0.369%,其开路电压、短路电流和填充因子分别达到0.373 V、1.92 m A/cm^2和51.2%。另外,GD-OES谱图显示前驱体溶液中Sn^(2+)/S^(2-)比例对于Sn S_x层的化学组成及沉淀量具有重要影响,从而导致复合太阳能电池光电性能的显著变化。 展开更多

关键词 太阳能电池 连续离子层吸附反应 硫化亚锡 多层异质结

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基于氧化物异质结的量子点敏化太阳电池 被引量：1

12

作者 李毅 张嘉 +5 位作者 刘锋 魏俊峰 朱俊 唐军旺 胡林华 戴松元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2218-2221,共4页

将半导体钒酸铋(BiVO4)作为光俘获材料,采用连续离子层吸附和反应法(SILAR)将其沉积在纳米晶TiO2多孔薄膜上并用作光阳极制备液态量子点敏化太阳电池。利用紫外可见吸收光谱、XRD和TEM等表征手段深入研究BiVO4前驱体溶液的浓度、离子沉... 将半导体钒酸铋(BiVO4)作为光俘获材料,采用连续离子层吸附和反应法(SILAR)将其沉积在纳米晶TiO2多孔薄膜上并用作光阳极制备液态量子点敏化太阳电池。利用紫外可见吸收光谱、XRD和TEM等表征手段深入研究BiVO4前驱体溶液的浓度、离子沉积次数以及浸泡处理时间对BiVO4敏化的TiO2薄膜的影响及机理。结果表明:采用Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3的水溶液作为前驱体溶液时,当NH4VO3水溶液的pH=3,连续沉积20次后,电池具有最佳光伏性能:电池短路电流密度为1.78mA/cm2,光电转换效率达到0.32%。结果表明,BiVO4作为光俘获材料,在量子点敏化太阳电池中具有潜在的应用前景。 展开更多

关键词 太阳电池 量子点 钒酸铋 连续离子层吸附和反应法

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4.81%光电转换效率的全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池（英文） 被引量：2

13

作者 陈军军 史成武 +3 位作者 张正国 肖冠南 邵章朋 李楠楠 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第10期2029-2034,共6页

利用TiO_2纳米棒阵列和在旋涂辅助连续离子层吸附反应过程中使用乙二硫醇的策略,成功地在TiO_2纳米棒阵列上获得了致密PbS量子点薄膜,组装了新颖结构的全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池。研究了TiO_2纳米棒阵列长度... 利用TiO_2纳米棒阵列和在旋涂辅助连续离子层吸附反应过程中使用乙二硫醇的策略,成功地在TiO_2纳米棒阵列上获得了致密PbS量子点薄膜,组装了新颖结构的全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池。研究了TiO_2纳米棒阵列长度对全固态致密PbS量子点薄膜敏化太阳电池光伏性能的影响,发现TiO_2纳米棒阵列长度为290、540和1040 nm时,相应太阳电池的光电转换效率分别是2.02%、4.81%和1.95%。对于组装全固态量子点敏化太阳电池,综合考虑空穴传输长度和量子点担载量的平衡是获得较高光电转换效率的关键所在。 展开更多

关键词 致密PbS量子点薄膜 TiO2纳米棒阵列 乙二硫醇 连续离子层吸附反应 全固态量子点敏化太阳电池

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β-Bi_(2)O_(3)的表面敏化:SILAR法沉积Bi_(2)S_(3)纳米晶 被引量：1

14

作者 章丰庆 王君 +1 位作者 汪颖 蒋良兴 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期409-417,共9页

采用化学水浴法在氟掺杂氧化锡(FTO)玻璃上制备层级多孔β-Bi_(2)O_(3)薄膜作为光阳极,并通过连续离子层吸附反应法(SILAR)在β-Bi_(2)O_(3)表面原位制备硫化铋纳米晶体进行敏化改性,以改善电极材料的光电化学性能。研究结果表明,Bi_(2)... 采用化学水浴法在氟掺杂氧化锡(FTO)玻璃上制备层级多孔β-Bi_(2)O_(3)薄膜作为光阳极,并通过连续离子层吸附反应法(SILAR)在β-Bi_(2)O_(3)表面原位制备硫化铋纳米晶体进行敏化改性,以改善电极材料的光电化学性能。研究结果表明,Bi_(2)S_(3)作为一种出色的光敏剂与β-Bi_(2)O_(3)薄膜形成Bi_(2)S_(3)/β-Bi_(2)O_(3)异质结,可以显著增强材料对可见光的光学响应。在100 mW/cm^(2)的光强度和1.2 V偏置电压下,Bi_(2)S_(3)/β-Bi_(2)O_(3)光电阳极在1 mol/L Na_(2)SO_(4)溶液中的光响应电流达到2.6 mA/cm^(2),显示出良好的光电催化活性。 展开更多

关键词 氧化铋 硫化铋纳米晶 连续离子层吸附反应法 光电催化

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纳米硫氰酸亚铜制备与应用

15

作者 叶明富 王标 +3 位作者 孔祥荣 王成 许立信 金玲 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期229-231,234,共4页

综述了纳米硫氰酸亚铜的制备方法,包括液相沉淀法、电沉积法、连续离子层吸附与反应法、前驱体法等,及其在太阳能电池、防污涂料和电存储材料等方面的应用,并对其应用前景进行了展望。

关键词 CUSCN 液相沉淀法 电沉积法 连续离子层吸附与反应法 应用

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CdS量子点敏化ZnO纳米棒阵列电极的制备和光电化学性能 被引量：9

16

作者 张桥保 冯增芳 +3 位作者 韩楠楠 林玲玲 周剑章 林仲华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2927-2934,共8页

采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱... 采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱研究了不同CdS循环沉积次数及不同沉积浓度对复合电极的光电性能影响.结果表明,前驱体浓度都为0.1mol·L-1且沉积15次敏化后的ZnO纳米棒阵列电极光电性能最好.与单纯的ZnO纳米棒阵列电极和单纯的CdS量子点电极相比,其光电转换效率显著提高,单色光光子-电流转换效率(IPCE)在380nm处达到76%.这是因为CdS量子点可以拓宽光的吸收到可见光区,并且在所形成的界面上光生载流子更容易分离.荧光光谱实验进一步说明了光电增强的原因是,两者间形成的界面中表面态大大减少,有利于减少光生电子和空穴的复合. 展开更多

关键词 ZNO纳米棒阵列 CDS量子点 CdS量子点/ZnO纳米棒 连续式离子层吸附与反应法 光电化学性能

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SILAR法制备TiO_2/CdS/Co-Pi水氧化光阳极及其性能

17

作者 周丽 刘欢欢 +1 位作者 杨玉林 强亮生 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2731-2736,共6页

采用连续离子层吸附法(SILAR)沉积Cd S制备type-II异质结TiO_2/Cd S光阳极,用光电化学沉积法在TiO_2/Cd S表面沉积催化剂(Co-Pi)得到TiO_2/Cd S/Co-Pi水氧化光阳极。通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)... 采用连续离子层吸附法(SILAR)沉积Cd S制备type-II异质结TiO_2/Cd S光阳极,用光电化学沉积法在TiO_2/Cd S表面沉积催化剂(Co-Pi)得到TiO_2/Cd S/Co-Pi水氧化光阳极。通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)仪等对样品结构及组成进行分析,证明Cd S与Co-Pi已成功负载在TiO_2表面。用已制备的光阳极在中性溶液中模拟水氧化测试,在较低外偏压(0 V(vs Ag/Ag Cl))和无电子牺牲剂的情况下,即使在可见光照射下,依然得到较高的初始光电流和稳定光电流,分别为1.3和0.5 m A?cm^(-2),表明制备的光阳极可以在可见光照下有效地驱动水氧化反应。光电化学池的工作原理为,Cd S吸收光子产生光生电子-空穴,TiO_2和Co-Pi分别传输电子和空穴,空穴进行水氧化,电子转移到阴极完成质子还原。 展开更多

关键词 光催化 水氧化 连续离子层吸附及反应 可见光 TiO_2/CdS/Co-Pi光阳极

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CdS量子点敏化的ZnO纳米片-纳米棒制备及其应用研究

18

作者 李伟利 岳世伟 +3 位作者 姚璐 耿洪超 张志玮 盛鹏涛 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期783-788,共6页

本文采用三电极体系,利用电化学沉积技术,以导电玻璃(ITO)为基底制备多孔ZnO纳米片。然后以ZnO纳米片作为"种子层",选取0.005mol/L六次甲基四胺和Zn(NO_3)_6混合液为前驱液,采用低温水热法二次生长ZnO纳米棒阵列,两步法制备... 本文采用三电极体系,利用电化学沉积技术,以导电玻璃(ITO)为基底制备多孔ZnO纳米片。然后以ZnO纳米片作为"种子层",选取0.005mol/L六次甲基四胺和Zn(NO_3)_6混合液为前驱液,采用低温水热法二次生长ZnO纳米棒阵列,两步法制备得到具有大比表面积的ZnO纳米片-纳米棒复合结构。在室温条件下,通过连续离子层吸附与反应法(SILAR)制备CdS量子点,得到CdS/ZnO纳米片-纳米棒复合电极,此电极具有较高电致发光强度。利用多巴胺(DA)对所制备电极电致发光具有猝灭作用,可用于DA的检测。研究表明此电极对DA检测具有高的灵敏度,DA检测的线性范围为0.01～50μmol/L,检测限为0.01μmol/L,具有一定的实际应用价值。 展开更多

关键词 ZnO纳米片-纳米棒 连续离子层吸附与反应法 电致发光 多巴胺

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