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直拉法单晶硅制备过程控氧技术研究进展
被引量：
4
1
作者
张梦宇
李太
+4 位作者
杜汕霖
黄振玲
赵亮
吕国强
马文会
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2022年第9期3259-3271,3278,共14页
随着我国光伏行业的快速发展,直拉(CZ)法制备的单晶硅朝着大尺寸、高品质、低成本的方向发展,然而随着单晶硅尺寸越来越大,其内部氧杂质含量偏高的问题也越来越突出。本文在介绍CZ法制备单晶硅过程中氧杂质传输机理的基础上,归纳总结了...
随着我国光伏行业的快速发展,直拉(CZ)法制备的单晶硅朝着大尺寸、高品质、低成本的方向发展,然而随着单晶硅尺寸越来越大,其内部氧杂质含量偏高的问题也越来越突出。本文在介绍CZ法制备单晶硅过程中氧杂质传输机理的基础上,归纳总结了单晶硅生产过程的控氧技术现状,分析了热场结构优化、工艺优化、掺杂元素、氩气流场优化以及新型CZ技术对单晶硅氧杂质含量的影响规律,并对控氧技术的发展方向提出了展望。
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关键词
直拉
法
单晶硅
控氧技术
热场结构
工艺参数
连续直拉法
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职称材料
题名
直拉法单晶硅制备过程控氧技术研究进展
被引量：
4
1
作者
张梦宇
李太
杜汕霖
黄振玲
赵亮
吕国强
马文会
机构
昆明理工大学冶金与能源工程学院
云南省硅工业工程研究中心
出处
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2022年第9期3259-3271,3278,共14页
基金
云南省重点研发计划项目(202002AB080030,202103AA080003)。
文摘
随着我国光伏行业的快速发展,直拉(CZ)法制备的单晶硅朝着大尺寸、高品质、低成本的方向发展,然而随着单晶硅尺寸越来越大,其内部氧杂质含量偏高的问题也越来越突出。本文在介绍CZ法制备单晶硅过程中氧杂质传输机理的基础上,归纳总结了单晶硅生产过程的控氧技术现状,分析了热场结构优化、工艺优化、掺杂元素、氩气流场优化以及新型CZ技术对单晶硅氧杂质含量的影响规律,并对控氧技术的发展方向提出了展望。
关键词
直拉
法
单晶硅
控氧技术
热场结构
工艺参数
连续直拉法
Keywords
Czochralski method
single-crystal silicon
oxygen control technology
thermal field structure
process parameter
continuous Czochralski method
分类号
O782.5 [理学—晶体学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
直拉法单晶硅制备过程控氧技术研究进展
张梦宇
李太
杜汕霖
黄振玲
赵亮
吕国强
马文会
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2022
4
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